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WorksheetsRD_25-2_4W_2A
Total questions: 10
Worksheet time: 10mins
반도체에 대한 설명으로 가장 옳은 것은 무엇인가요?
전기 저항이 매우 낮아 전기를 잘 전달하는 물질이다.
전기 저항이 매우 커서 전기를 거의 전달하지 못하는 물질이다.
특정 조건에서만 전기가 통하는 성질을 가지며, 도체와 부도체의 중간 특성을 가진다.
항상 일정한 전기 전도도를 유지하는 물질이다.
오직 실리콘(Si)만이 반도체의 성질을 가진다.
순수한 반도체(진성 반도체)에 공유결합이 깨지면서 생성되는 것은 무엇인가요?
자유전자와 양이온
자유전자와 정공(hole)
중성자와 양성자
광자와 음이온
오직 자유전자만 생성된다.
n형 반도체를 만들기 위해 4가의 실리콘(Si)에 첨가해야 하는 불순물 원소의 특징은 무엇인가요?
3가 원소 (예: 붕소 B)
4가 원소 (예: 저마늄 Ge)
5가 원소 (예: 인 P, 비소 As)
6가 원소 (예: 황 S)
8가 원소 (예: 네온 Ne)
반도체의 에너지대 이론에서 전자가 자유롭게 이동하며 전기 전도성을 나타내는 에너지 대역은 무엇인가요?
가전자대 (Valence band)
금지대 (Forbidden band)
충만대 (Fill band)
전도대 (Conduction band)
공핍층 (Depletion region)
절연체, 반도체, 도체의 에너지 밴드 갭(Band Gap) 크기를 올바르게 비교한 것은 무엇인가요?
절연체 > 반도체 > 도체
도체 > 반도체 > 절연체
반도체 > 절연체 > 도체
절연체 = 반도체 = 도체
도체 > 절연체 > 반도체
반도체 검출기에서 역방향 전압(inverse bias)을 가하는 주된 이유는 무엇인가요?
전류를 더 잘 흐르게 하기 위해
공핍층의 간격을 넓혀 방사선 검출 영역을 확보하기 위해
검출기 온도를 낮추기 위해
불감층(dead layer)을 없애기 위해
공핍층의 간격을 좁히기 위해
HPGe(고순도 저마늄) 검출기에 대한 설명으로 틀린 것은 무엇인가요?
반도체 불순물 정제 기술의 발달로 제작이 가능해졌다.
Ge(Li) 검출기와 달리 상온에서 보관이 가능하다.
에너지 분해능이 매우 우수하여 감마선 분광 분석에 널리 사용된다.
기체 전리 검출기에 비해 검출 효율이 낮다.
측정 시에는 액체질소로 냉각해야 한다.
표면장벽형 검출기(Surface Barrier Detector)가 pn 접합형 검출기에 비해 갖는 가장 큰 장점은 무엇인가요?
가격이 훨씬 저렴하다.
더 넓은 공핍층을 형성할 수 있다.
불감층(dead layer)의 두께가 매우 얇다.
상온에서 냉각 없이 사용 가능하다.
감마선 측정에 더 효율적이다.
신틸레이션 검출기의 구성요소가 아닌 것은 무엇인가요?
신틸레이터 (Scintillator)
광전자증배관 (Photomultiplier Tube)
광음극 (Photocathode)
다이노드 (Dynode)
공핍층 (Depletion region)
Ge(Li) 검출기를 사용할 때 액체질소로 계속 냉각해야 하는 가장 중요한 이유는 무엇인가요?
Ge 상온에서 녹기 때문이다.
상온에서 리튬(Li) 이온이 계속 확산하여 검출기 특성이 저하되는 것을 막기 위함이다.
방사선에 의한 검출기 손상을 방지하기 위함이다.
검출기에서 발생하는 빛을 증폭시키기 위함이다.
대기 중의 수분과 반응하는 것을 막기 위함이다.
