Worksheetsอิเล็กทรอนิกส์และระบบสมองกลฝังตัว หน่วย 3
Total questions: 8
Worksheet time: 4mins
Name
Class
Date
1.
ใน BJT ประเภท NPN กระแสจะไหลจากขาใดไปขาใด?
a)
a) Base ไป Emitter
b)
b) Collector ไป Emitter
c)
c) Emitter ไป Base
d)
d) Emitter ไป Collector
2.
MOSFET ควบคุมด้วยอะไร?
a)
a) กระแสที่ขา Gate
b)
b) แรงดันที่ขา Gate
c)
c) ความต้านทานที่ขา Drain
d)
d) อุณหภูมิ
3.
ข้อดีของ MOSFET เมื่อเปรียบเทียบกับ BJT คือ?
a)
a) ราคาถูกกว่า
b)
b) ทนแรงดันได้น้อยกว่า
c)
c) ความต้านทานนำต่ำกว่า
d)
d) ความถี่การสวิตชิ่งสูงกว่า
4.
IGBT ย่อมาจากอะไร?
a)
a) Integrated Gate Bipolar Transistor
b)
b) Insulated Gate Bipolar Transistor
c)
c) Internal Gate Base Transistor
d)
d) Independent Gate Bias Transistor
5.
ทรานซิสเตอร์ 2N555 เป็นประเภทใด?
a)
a) NPN BJT
b)
b) PNP BJT
c)
c) N-Channel MOSFET
d)
d) P-Channel MOSFET
6.
ข้อใดคือคุณสมบัติเด่นของ IGBT?
a)
a) กำลังต่ำ ความถี่สูง
b)
b) กำลังสูง ความถี่สูง
c)
c) กำลังสูง ความถี่ปานกลาง
d)
d) กำลังต่ำ ความถี่ต่ำ
7.
ในการใช้งาน BJT แบบ Switch ต้องให้ทรานซิสเตอร์ทำงานในโซนใด?
a)
a) Active Region
b)
b) Cutoff และ Saturation
c)
c) Breakdown Region
d)
d) Linear Region
8.
อุปกรณ์ใดเหมาะสำหรับควบคุมการจ่ายไฟ กำลังสูง?
a)
a) BJT
b)
b) MOSFET
c)
c) IGBT
d)
d) Relay
100 %
