wayground logo

Free Printable Worksheets

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

Полупроводниковые приборы и оптоэлектроника — тестовые вопросы

Total questions: 135

Worksheet time: 1hrs 8mins

Name
Class
Date
1.

Какой из h‑параметров является коэффициентом передачи тока?

a)

h21

b)

h11

c)

h12

d)

h01

e)

h22

2.

Как связаны между собой коэффициенты передачи токов эмиттера α\alpha и базы β\beta транзистора?

a)

β=α1−α\beta=\dfrac{\alpha}{1-\alpha}

b)

β=α−1α\beta=\alpha-\dfrac{1}{\alpha}

c)

β=1−α\beta=1-\alpha

d)

β=1−α1+α\beta=\dfrac{1-\alpha}{1+\alpha}

e)

β=1α−1\beta=\dfrac{1}{\alpha-1}

3.

В какой схеме включения транзистора можно получить усиление тока?

a)

по всей схеме

b)

в схеме с ОБ

c)

в схеме с ОЭ и ОБ

d)

с ОК и ОБ

e)

с ОЭ и ОК

4.

Зависит ли сечение канала от величины напряжения UСИU_{СИ} полевого транзистора?

a)

зависит, т.к. падение напряжения в канале определяет напряжение на переходе, а также его ширину

b)

не зависит, т.к. ширина перехода определяется лишь приложенным напряжением

c)

не зависит, т.к. падение напряжения в канале всегда постоянно и не зависит от напряжения сток‑исток

d)

зависит, т.к. при изменении UЗИU_{ЗИ} транзистора меняется уровень инжекции носителей

e)

не зависит, так как оно зависит только от напряжения затвор‑исток

5.

Что такое вентильный режим фотодиода?

a)

режим без источника напряжения во внешней цепи

b)

режим не освещённого фотодиода в обратном направлении

c)

режим с источником напряжения, но без нагрузки во внешней цепи

d)

режим с источником напряжения и с нагрузкой во внешней цепи

e)

режим неосвещённого фотодиода в прямом направлении

6.

Какая из областей фототранзистора должна освещаться светом, чтобы изменялся ток через фототранзистор?

a)

только при освещении базы, т.к. база является «ловушкой» для носителей

b)

ток фототранзистора изменяется при освещении любой из областей, если толщина их меньше диффузионной длины носителей

c)

только при освещении коллектора, т.к. коллектор не является «ловушкой» для носителей

d)

только при освещении эмиттера, т.к. эмиттер не является «ловушкой» для носителей

e)

только при освещении коллектора и эмиттера, т.к. они являются поверхностными областями

7.

Какие главные процессы определяют зависимость коэффициента переноса в базе от частоты?

a)

конечное время движения дырок от эмиттерного перехода к коллекторному и разброс скоростей дырок

b)

влияние сопротивления базы

c)

модуляция ширины базы высокочастотным напряжением коллектора

d)

лавинные процессы в коллекторном переходе

e)

материал изготовления базы

8.

Чему равно входное сопротивление полевого транзистора?

a)

несколько МОм

b)

десятки кОм

c)

сотни Ом

d)

несколько Ом

e)

сотни кОм

9.

Как можно объяснить хорошие высокочастотные характеристики дрейфового транзистора?

a)

малой ёмкостью коллекторного перехода

b)

малой толщиной базы

c)

малым дрейфовым током через переход

d)

маленьким удельным сопротивлением базы

e)

маленьким временем движения неосновных носителей заряда через базу под действием электрического поля

10.

Как происходит управление моментом переключения транзистора?

a)

введением носителей в базовые области

b)

изменением напряжения на коллекторе при сохранении напряжения на эмиттерах

c)

введением тока в крайние области четырёхслойной структуры

d)

изменением тока в эмиттере

e)

повышением напряжения на нагрузке до значения напряжения включения

11.

Зависит ли сечение канала полевого транзистора от величины напряжения UСИU_{СИ} транзистора?

a)

не зависит, т.к. падение напряжения в канале всегда постоянно и не зависит от напряжения сток‑исток

b)

зависит, т.к. при изменении UЗИU_{ЗИ} транзистора меняется уровень инжекции носителей

c)

не зависит, так как оно зависит только от напряжения затвор‑исток

d)

не зависит, т.к. ширина перехода определяется лишь приложенным напряжением

e)

зависит, т.к. падение напряжения в канале определяет напряжение на переходе, а также его ширину

12.

Что такое процесс экстракции в транзисторе?

a)

вытягивание полем коллектора дырок, подошедших к коллекторному переходу

b)

переход дырок из эмиттера в базу

c)

перенос электронов из эмиттера в базу

d)

образование носителями заряда тока базы

e)

прохождение носителей заряда из эмиттера в базу за счёт диффузии

13.

В какой схеме включения — с ОБ или с ОЭ — коэффициент прямой передачи тока сильнее зависит от частоты?

a)

в схеме с общим эмиттером

b)

в схеме с общей базой

c)

в обеих схемах одинаково

d)

это зависит от температуры

e)

это зависит от материала изготовления

14.

Какие транзисторы называются дрейфовыми?

a)

транзисторы, в которых движение неосновных носителей в базе происходит в основном за счёт дрейфа

b)

транзисторы, в которых движение носителей через p‑n‑переходы происходит только под действием электрического поля

c)

транзисторы, в которых наблюдается заметный дрейф носителей в эмиттерном переходе

d)

транзисторы, в которых токи в областях транзистора определяются исключительно дрейфовым носителем

e)

транзисторы, в которых дрейфовый ток через эмиттерный переход больше, чем через коллекторный

15.

Какое максимальное количество импульсов в одну секунду передаётся через одномодовый волоконно‑оптический световод?

a)

>1 млн. имп/с

b)

2 млн. имп/с

c)

5 млн. имп/с

d)

0,5 млн. имп/с

e)

10 млн. имп/с

16.

Можно ли перевести тиристор в закрытое состояние управляющим током?

a)

можно, если подать отрицательный импульс управляющего импульса

b)

нет

c)

можно, если понизить управляющий ток до нуля

d)

можно, если подать положительный импульс управляющего импульса

e)

можно, если заземлить базу

17.

С какой целью делают площадь коллекторного перехода существенно большей площади эмиттерного перехода?

a)

с целью уменьшения рекомбинации неосновных носителей в базе

b)

с целью уменьшения диффузионного сопротивления базы

c)

с целью увеличения ёмкости коллекторного перехода

d)

с целью уменьшения сопротивления коллекторного перехода

e)

с целью уменьшения сопротивления эмиттерного перехода

18.

Какой из транзисторов, дрейфовый или без дрейфовый, обладает лучшими высокочастотными свойствами?

a)

дрейфовый

b)

без дрейфовый

c)

оба одинаковы

d)

это зависит от толщины базы

e)

это зависит от материала изготовления

19.

Чем отличается МДП‑транзистор от нитрона?

a)

проводящий канал в МДП образуется между истоком и стоком под затвором, сопротивление которого определяется концентрацией носителей в канале, а у нитрона сопротивление канала определяется его шириной

b)

конструкцией, обеспечивающей надёжную изоляцию между затвором и другими электродами

c)

значением напряжения, подаваемого на затвор

d)

проводящий канал в МДП образуется между двумя p‑n‑переходами, изолированными друг от друга; один из переходов является затвором

e)

Проводящий канал в МДП образуется одним из слоёв p‑ или n‑проводимости, у нитрона — двумя p‑n‑переходами, включёнными встречно

20.

Чему равно значение входного сопротивления для схемы с общей базой?

a)

Rвх=10÷100R_{вх}=10\div100 Ом

b)

Rвх=10÷100R_{вх}=10\div100 кОм

c)

Rвх=1R_{вх}=1 кОм

d)

Rвх=100R_{вх}=100 кОм ÷1\div1 МОм

e)

Rвх=100R_{вх}=100 Ом ÷10\div10 кОм

21.

Чему равно значение выходного сопротивления для схемы с общей базой?

a)

Rвых=100R_{вых}=100 кОм ÷1\div1 МОм

b)

Rвых=10÷100R_{вых}=10\div100 кОм

c)

Rвых=1R_{вых}=1 кОм

d)

Rвых=10÷100R_{вых}=10\div100 Ом

e)

Rвых=100R_{вых}=100 Ом ÷10\div10 кОм

22.

Чему равно значение входного сопротивления для схемы с общим эмиттером?

a)

Rвх=100R_{вх}=100 Ом ÷10\div10 кОм

b)

Rвх=10÷100R_{вх}=10\div100 кОм

c)

Rвх=1R_{вх}=1 кОм

d)

Rвх=10÷100R_{вх}=10\div100 Ом

e)

Rвх=100R_{вх}=100 кОм ÷1\div1 МОм

23.

Покажите формулу для коэффициента поля дрейфового транзистора η\eta .

a)

η=ΔU2φг\eta=\dfrac{\Delta U}{2\varphi_{г}}

b)

η=Uφг\eta=\dfrac{U}{\varphi_{г}}

c)

η=φгΔU\eta=\dfrac{\varphi_{г}}{\Delta U}

d)

η=2ΔUφг+1\eta=\dfrac{2\Delta U}{\varphi_{г}+1}

e)

η=ΔU+φг2\eta=\dfrac{\Delta U+\varphi_{г}}{2}

24.

Чему равно значение входного сопротивления для схемы с общим коллектором?

a)

Rвх=10÷100R_{вх}=10\div100 кОм

b)

Rвх=1R_{вх}=1 кОм

c)

Rвх=10÷100R_{вх}=10\div100 Ом

d)

Rвх=100R_{вх}=100 кОм ÷1\div1 МОм

e)

Rвх=100R_{вх}=100 Ом ÷10\div10 кОм

25.

На каких частотах работает дрейфовый транзистор?

a)

100 МГц ÷\div 1 ГГц

b)

1 МГц ÷\div 100 МГц

c)

1 кГц ÷\div 100 кГц

d)

100 Гц ÷\div 1 кГц

e)

100 кГц ÷\div 1 МГц

26.

Какое максимальное количество импульсов в секунду можно передать через многомодовый волоконно‑оптический световод?

a)

20 млн. имп/с

b)

5 млн. имп/с

c)

50 млн. имп/с

d)

30 млн. имп/с

e)

10 млн. имп/с

27.

Покажите связь между диффузионной длиной носителей заряда и их временем жизни.

a)

L=DτL=\sqrt{D\tau}

b)

L=DqτL=\sqrt{Dq\tau}

c)

L=DμτL=\sqrt{D\mu\tau}

d)

L=qτL=\sqrt{q\tau}

e)

L=qμτL=\sqrt{q\mu\tau}

28.

Дан коэффициент передачи тока эмиттера транзистора α=0,97\alpha=0{,}97 . Найдите коэффициент передачи тока базы β\beta .

a)

β=32,33\beta=32{,}33

b)

β=42,35\beta=42{,}35

c)

β=50,5\beta=50{,}5

d)

β=100\beta=100

e)

β=70,45\beta=70{,}45

29.

Чему равно значение выходного сопротивления для схемы с общим коллектором?

a)

Rвых=10÷100R_{вых}=10\div100 Ом

b)

Rвых=10÷100R_{вых}=10\div100 кОм

c)

Rвых=1R_{вых}=1 кОм

d)

Rвых=100R_{вых}=100 кОм ÷1\div1 МОм

e)

Rвых=100R_{вых}=100 Ом ÷10\div10 кОм

30.

Покажите маркировку полевого транзистора.

a)

КТ315А

b)

КП303Л

c)

ГТ420В

d)

КД209Ж

e)

АИ401Г

31.

Покажите маркировку резисторного оптрона.

a)

ОЭП

b)

АОД

c)

АОТ

d)

ТО

e)

ФДК‑1

32.

Покажите маркировку тиристорного оптрона.

a)

ТО

b)

АОТ

c)

АОД

d)

ОЭП

33.

Какие виды пробоя называются обратимыми?

a)

лавинные и туннельные

b)

равновероятно в обоих направлениях

c)

h21

d)

h22

e)

наличием внешнего источника тока

34.

Какой из h‑параметров является коэффициентом передачи по току?

a)

h21

b)

h01

c)

h11

d)

h12

e)

β=α−(1/α)

35.

Как называется вольт‑амперная характеристика Ic=f(Uбе) при Uкэ=const для транзистора, включённого по схеме с ОЭ?

a)

входная

b)

электроны

c)

положительные ионы

d)

отрицательные ионы

e)

позитроны

36.

Как называется прибор, имеющий три области проводимости p‑n‑p или n‑p‑n, чередующиеся внутри полупроводникового микрокристалла?

a)

биполярный транзистор

b)

двойной слой объёмных зарядов

c)

двойной слой молекул

d)

двойной слой положительных ионов и электронов

e)

двойной слой отрицательных ионов и дырок

37.

Транзистор, в котором неосновные носители в базе связаны с диффузией — это

a)

бездрейфовый биполярный транзистор

b)

двойной слой отрицательных ионов и дырок

c)

двойной слой объёмных зарядов

d)

двойной слой положительных ионов и электронов

e)

двойной слой молекул

38.

Зависит ли ширина канала полевого транзистора от Uзи напряжения?

a)

зависит

b)

ток инжекции

c)

равны

d)

это зависит от концентрации акцепторной примеси в эмиттере

e)

это зависит от концентрации донорной примеси в базе

39.

На чём основано управление током в полевом транзисторе с управляющим p‑n‑переходом?

a)

на изменении ширины перехода и сечения канала при изменении входного напряжения

b)

для преобразования частоты

c)

для стабилизации напряжения

d)

для усиления слабых сигналов

e)

для генерирования незатухающих колебаний

40.

Что называется эмиттером?

a)

область транзистора, назначением которой является инъекция в базу основных носителей, которые становятся неосновными

b)

малой ёмкостью коллекторного перехода

c)

малым дрейфовым током через переход

d)

малой толщиной базы

e)

маленьким удельным сопротивлением базы

41.

Назовите, какие транзисторы называются дрейфовыми.

a)

транзисторы, в которых движение неосновных носителей в базе происходит в основном за счёт дрейфа в электрическом поле

b)

с ОК

c)

с ОЭ

d)

с ОБ

e)

одинаковое минимальное у схемы с ОБ и ОЭ

42.

Какова величина входного сопротивления полевого транзистора?

a)

несколько МОм

b)

0,01–0,033 мкФ

c)

100–1000 пФ

d)

1–10 мкФ

e)

несколько Ом

43.

Какой из h‑параметров является входным сопротивлением?

a)

h11

b)

скачок потенциала на границе различных полупроводников

c)

барьер Шоттки

d)

φ0=1,25 В

e)

h01

44.

Что такое активный режим транзистора?

a)

эмиттерный переход открыт, коллекторный переход закрыт

b)

эмиттерный и коллекторный переходы закрыты

c)

эмиттерный и коллекторный переходы открыты

d)

эмиттерный переход закрыт, коллекторный переход открыт

e)

режим, при котором имеют место только эквивалентные активные сопротивления и отсутствуют эквивалентные ёмкостные сопротивления

45.

Какой из h‑параметров является входным сопротивлением?

a)

h11

b)

h12

c)

h21

d)

h22

46.

В какой схеме включения биполярного транзистора можно получить усиление тока?

a)

во всех схемах

b)

в схеме с ОБ

c)

с ОЭ и ОБ

d)

с ОК и ОБ

e)

с ОЭ и ОК

47.

Чем объяснить малое значение тока динистора на участке OA его характеристики (см. рисунок)?

a)

закрыт средний переход структуры

b)

закрыты крайние переходы структуры

c)

отсутствует инжекция неосновных носителей в базовой области динистора

d)

отсутствует экстракция неосновных носителей из базовой области динистора

e)

генерация пар

48.

Какой из транзисторов, дрейфовый или бездрейфовый, обладает лучшими высокочастотными свойствами?

a)

дрейфовый

b)

бездрейфовый

c)

оба одинаковы

d)

это зависит от толщины базы

e)

это зависит от материала изготовления

49.

Как происходит управление моментом переключения тринистора?

a)

введением носителей в базовые области

b)

повышением напряжения на нагрузке до значения напряжения включения

c)

изменением напряжения на коллекторе при сохранении напряжения на эмиттерах

d)

введением тока в крайние области четырёхслойной структуры

e)

изменением тока в эмиттере

50.

Что больше, ток эмиттера или ток инжекции неосновных носителей в базу транзистора?

a)

ток эмиттера

b)

ток инжекции

c)

оба равны

d)

это зависит от концентрации акцепторной примеси в эмиттере

e)

это зависит от концентрации донорной примеси в базе

51.

Что такое активный пиксель?

a)

фоточувствительный элемент

b)

транзисторный элемент

c)

диодный элемент

d)

вакуумный элемент

e)

термочувствительный элемент

52.

В какой схеме включения транзистора коэффициент усиления по напряжению примерно равен единице?

a)

в схеме с ОК

b)

в схеме с ОБ

c)

с ОЭ и ОК

d)

с ОЭ и ОБ

e)

ОК и ОБ

53.

Чем объяснить малое значение тока динистора на участке OA его характеристики (см. рисунок)?

a)

закрыт средний переход структуры

b)

закрыты крайние переходы структуры

c)

отсутствует инжекция неосновных носителей в базовой области динистора

d)

отсутствует экстракция неосновных носителей из базовых областей динистора

e)

нет правильного ответа

54.

В схеме включения транзистора максимальное выходное сопротивление

a)

с ОБ

b)

с ОК

c)

с ОЭ

d)

одинаковое минимальное у схемы с ОБ и ОЭ

e)

у всех схем одинаковая

55.

Какой схемы включения биполярного транзистора не существует?

a)

с общим калибратором

b)

с общей цепи

c)

с общим эмиттером

d)

с общей базой

e)

с общим коллектором

56.

Как называется полупроводниковый прибор с двумя переходами и тремя и более выводами?

a)

триод

b)

диод

c)

биполярный транзистор

d)

полевой транзистор

e)

вольтметр

57.

Как называется устройство, состоящее из катушки и железного сердечника внутри неё?

a)

электромагнит

b)

батарея

c)

аккумулятор

58.

Что такое диполь?

a)

два разноимённых электрических заряда, расположенных на небольшом расстоянии друг от друга

b)

абсолютная диэлектрическая проницаемость вакуума

c)

выстраивание диполей вдоль силовых линий электрического поля

59.

Как называется часть генератора, которая вращается?

a)

ротор

b)

статор

c)

катушка

d)

кольцо

e)

редуктор

60.

В цепь с напряжением 250 V включили последовательно две лампы, рассчитанные на это же напряжение. Одна лампа мощностью 500 W, а другая мощностью 25 W. Необходимо определить сопротивление цепи.

a)

2625 Ом

b)

2045 Ом

c)

238 Ом

d)

275 Ом

e)

345 Ом

61.

Трансформатором тока называют:

a)

трансформатор, питающийся от источника тока

b)

трансформатор, первичная обмотка которого электрически не связана со вторичными обмотками

c)

трансформатор, питающийся от источника напряжения

d)

все перечисленные

e)

катушка индуктивности

62.

Электрической цепью называют

a)

совокупность устройств, предназначенных для прохождения электрического тока

b)

устройство для измерения ЭДС

c)

упорядоченное движение заряженных частиц в проводнике

d)

последовательность подвижно соединённых между собой, жёстких элементов

e)

все перечисленные

63.

Кто впервые глубоко и тщательно изучил явления в электрических цепях?

a)

Георг Ом

b)

Фарадей

c)

Максвелл

d)

Кулон

e)

Ньютон

64.

Как называется часть цепи между двумя точками?

a)

участок цепи

b)

ветвь

c)

контур

d)

граф

e)

кабель

65.

Потенциал точки это

a)

называют работу, по перемещению единичного заряда из точки поля в бесконечность

b)

разность потенциалов двух точек электрического поля

c)

абсолютная диэлектрическая проницаемость вакуума

d)

разность потенциалов двух точек магнитного поля

e)

диэлектрик

66.

Где используется тепловое действие электрического тока

a)

в электроутюгах

b)

в электродвигателях

c)

в генераторах

d)

в радиаторах

e)

в аккумуляторах

67.

Источник электроэнергии, который выдает переменный ток

a)

сеть 220 V

b)

гальваническая батарейка

c)

аккумулятор

d)

выпрямительный диод

e)

полевые транзисторы

68.

При измерении силы тока амперметр включают в цепь

a)

последовательно с тем прибором, силу тока в котором измеряют

b)

последовательно с тем прибором, силу тока в котором не измеряют

c)

параллельно с источником тока

d)

параллельно с тем прибором, силу тока в котором не измеряют

e)

параллельно с тем прибором, силу тока в котором измеряют

69.

Определить величину сигнала на входе двухкаскадного усилителя и его коэффициент усиления в децибелах, если коэффициент усиления первого каскада K1=20K_1=20 , второго K2=50K_2=50 ; а на выходе напряжение равно 20 V20\,\text{V}

a)

U=0,02 VU=0{,}02\,\text{V} , K=60 dBK=60\,\text{dB}

b)

U=0,05 VU=0{,}05\,\text{V} , K=100 dBK=100\,\text{dB}

c)

U=0,02 VU=0{,}02\,\text{V} , K=100 dBK=100\,\text{dB}

d)

U=0,05 VU=0{,}05\,\text{V} , K=60 dBK=60\,\text{dB}

e)

U=0,01 VU=0{,}01\,\text{V} , K=80 dBK=80\,\text{dB}

70.

Полевой транзистор, включенный по схеме с общим истоком, имеет

a)

высокое входное и среднее выходное сопротивления

b)

низкое входное и низкое выходное сопротивления

c)

низкое входное и высокое выходное сопротивления

d)

низкое входное и среднее выходное сопротивления

e)

высокое входное и высокое выходное сопротивления

71.

Какую схему соединения следует использовать для согласования высокого выходного сопротивления схемы с низким сопротивлением нагрузки

a)

эмиттерный повторитель

b)

схему с общим эмиттером

c)

схему с заземленной сеткой

d)

схему с общим истоком

e)

никакую

72.

Триггер имеет

a)

два устойчивых состояния

b)

одно устойчивое состояние

c)

три устойчивых состояния

d)

ни одного устойчивого состояния

e)

все состояния устойчивы

73.

Что называется обратной связью

a)

подача части сигнала с выхода схемы на ее вход

b)

подача части сигнала с входа схемы на ее выход

c)

отношение входного сигнала к выходному

d)

связь между элементами обратной схемы

e)

выделение части сигнала на каком-либо участке схемы

74.

Какая обратная связь называется положительной

a)

когда сигнал ОС суммируется с входным сигналом

b)

оказывающая полезное влияние на работу схемы

c)

оказывающая вредное влияние на работу схемы

d)

когда сигнал ОС отнимается от входного сигнала

e)

когда сигнал ОС представлен положительным напряжением

75.

Какая обратная связь называется отрицательной

a)

когда сигнал ОС отнимается от входного сигнала

b)

оказывающая полезное влияние на работу схемы

c)

оказывающая вредное влияние на работу схемы

d)

когда сигнал ОС суммируется с входным сигналом

e)

когда сигнал ОС представлен отрицательным напряжением

76.

Как влияет положительная обратная связь на коэффициент усиления

a)

увеличивает

b)

уменьшает

c)

не изменяется

d)

обратная связь не влияет на коэффициент усиления

e)

нет верного ответа

77.

Как влияет отрицательная обратная связь на коэффициент усиления

a)

уменьшает

b)

увеличивает

c)

не изменяется

d)

обратная связь не влияет на коэффициент усиления

e)

нет верного ответа

78.

Какая из схем включения биполярного транзистора не дает усиления по напряжению

a)

ОК

b)

ОБ

c)

ОЭ

d)

ОЭ и ОК

e)

БТ

79.

Какая из схем включения биполярного транзистора не дает усиления по мощности

a)

нет верного ответа

b)

ОБ

c)

ОК

d)

ОЭ

e)

ОЭ и ОК

80.

Что характеризует параметр h11h_{11} биполярного транзистора

a)

входное сопротивление

b)

выходную проводимость

c)

входную проводимость

d)

коэффициент обратной связи по напряжению

e)

коэффициент передачи по току

81.

Что характеризует параметр h12h_{12} биполярного транзистора

a)

коэффициент обратной связи по напряжению

b)

выходную проводимость

c)

входное сопротивление

d)

входную проводимость

e)

коэффициент передачи по току

82.

Что характеризует параметр h21h_{21} биполярного транзистора

a)

коэффициент передачи по току

b)

выходную проводимость

c)

входное сопротивление

d)

входную проводимость

e)

коэффициент обратной связи по напряжению

83.

Что характеризует параметр h22h_{22} биполярного транзистора

a)

выходную проводимость

b)

входное сопротивление

c)

входную проводимость

d)

коэффициент обратной связи по напряжению

e)

коэффициент передачи по току

84.

Что представляют собой законченное микроэлектронное устройство, способное выполнять функции аппаратуры

a)

сверхбольшие интегральные схемы

b)

малые интегральные схемы

c)

транзисторы

d)

лампы

e)

диоды

85.

Амплитудно-частотная характеристика (АЧХ) — это зависимость модуля коэффициента усиления от

a)

частоты

b)

напряжения

c)

силы тока

d)

мощности

e)

сопротивления

86.

Аналоговые интегральные схемы предназначены для обработки сигналов, заданных в виде

a)

непрерывной функции

b)

линейной функции

c)

константы

d)

логических функций

e)

интегральных

87.

Буквой N в системе условных обозначений типов зарубежных интегральных схем определяют

a)

гибридные микросхемы

b)

МОП микросхемы

c)

новые микросхемы

d)

ДОП микросхемы

e)

во всех перечисленных

88.

Важными параметрами усилителя являются его

a)

входное и выходное сопротивления

b)

входное и выходное напряжение

c)

входное сопротивление

d)

выходное сопротивление

e)

выходной ток

89.

Второй элемент системы условных обозначений типов зарубежных интегральных схем представляет собой

a)

букву, выбираемую фирмой-изготовителем и не имеющую специального назначения

b)

букву, обозначающую гибридную микросхему

c)

букву, обозначающую страну изготовитель

d)

букву, обозначающую страну импортер

e)

букву, обозначающую марку

90.

Входной ток логической единицы интегральных схем — это входной ток, обеспечивающий формирование

a)

логической единицы

b)

логического нуля

c)

синусоидального сигнала

d)

логического нуля или единицы

e)

только нуля

91.

Выходной каскад дифференциального усилителя выполнен по схеме двухтактного

a)

эмиттерного повторителя

b)

коллекторного повторителя

c)

повторителя

d)

усилителя

e)

каскада

92.

Генератор – это электронное устройство, предназначенное для

a)

создания электрических колебаний заданной формы и частоты

b)

преобразования поступающих сигналов

c)

создания сдвига по фазе

d)

усиления поступающих сигналов

e)

смещение

93.

Демультиплексор – операционный элемент, который осуществляет адресное подключение

a)

одного входного сигнала к одному из множества выходов

b)

многих входов сигнала к многим выходам

c)

одного входного сигнала к одному выходу

d)

многих выходов сигнала к одному входу

e)

кабеля с приемником

94.

Дешифратор – операционный элемент, который

a)

преобразует nn ‑разрядный входной код в сигнал только на одном из своих mm ‑выходов

b)

преобразует mm ‑разрядный входной код в сигнал только на одном выходе

c)

осуществляет адресное подключение одного входного сигнала к одному из множества выходов

d)

осуществляет адресное подключение

e)

предназначен для создания сдвига по фазе

95.

Дифференциальным входным сигналом называют

a)

разность напряжений, формируемых на входах

b)

разность напряжений, формируемых на выходах

c)

разность токов, формируемых на входах

d)

разность мощностей, формируемых на входах

e)

все перечисленные

96.

Инверсией называется

a)

операция НЕ обозначается штрихом «¬» переменной

b)

операция ИЛИ обозначается штрихом «+» переменной

c)

операция И обозначается штрихом «&» переменной

d)

операция исключающее ИЛИ

97.

Интегральная схема представляет собой

a)

конструктивно законченное изделие электронной техники, содержащее совокупность электрически связанных в функциональную схему электронрадиоэлементов, изготовленных в одном технологическом цикле

b)

класс интегральных схем со стандартными элементами или узлами по заранее заданной функциональной схеме

c)

схемы без запоминания переменных

d)

схемы с временным запоминанием

98.

Комбинационные логические схемы представляют собой

a)

схемы без запоминания переменных

b)

конструктивно законченное изделие электронной техники, содержащее совокупность электрически связанных в функциональную схему электронрадиоэлементов, изготовленных в одном технологическом цикле

c)

класс интегральных схем со стандартными элементами или узлами по заранее заданной функциональной схеме

d)

схемы с запоминанием переменных

99.

Компаратор – операционный элемент, который

a)

сравнивает два входных сигнала и выдает логический уровень на выходе

b)

суммирует входные сигналы

c)

осуществляет адресное подключение входа к одному из выходов

d)

генерирует колебания заданной частоты

100.

Логическими элементами ИС называются электронные схемы, выполняющие

a)

две логические операции

b)

три логические операции

c)

простейшие символьные операции

d)

простейшие логические операции

101.

Максимальное обратное напряжение на переходах интегральных схем – это наибольшее значение

a)

падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

b)

падения тока на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

c)

падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании прямого тока

d)

увеличения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании прямого тока

102.

Малые интегральные схемы (МИС) содержат до скольких элементов и компонентов на кристалле

a)

100

b)

200

c)

300

d)

1000

103.

Микропроцессорные комплекты – это серии ИС программно

a)

и технологически совместимые

b)

и технологически несовместимые

c)

и технологически равные

d)

не совместимые

104.

Микропроцессоры – это класс ИС для

a)

вычислительных устройств

b)

транзисторных устройств

c)

аналоговых устройств

d)

ПЗУ

105.

Модулятор – это микроэлектронное устройство, управляющее заданным параметром

a)

колебательного процесса в соответствии с сигналами передаваемого сообщения

b)

колебательного процесса в соответствии с напряжением

c)

силы тока в соответствии с сигналами передаваемого сообщения

d)

колебательного процесса в соответствии с сопротивлением

106.

Мультиплексор – операционный элемент, который

a)

осуществляет адресное переключение заданного числа входных сигналов на один выход

b)

микроэлектронное устройство, управляющее заданным параметром колебательного процесса в соответствии с сигналами передаваемого сообщения

c)

осуществляет переключение трех входных сигналов на один выход

d)

осуществляет переключение трех входных сигналов на три выхода

107.

Напряжение логического нуля интегральных схем – это значение

a)

низкого уровня напряжения для «положительной» логики и значение высокого уровня напряжения для «отрицательной» логики

b)

низкого уровня тока для «положительной» логики и значение высокого уровня напряжения для «отрицательной» логики

c)

высокого уровня напряжения для «положительной» логики и значение высокого уровня напряжения для «отрицательной» логики

d)

это 1

108.

Напряжение отпускания интегральных схем – это

a)

наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

b)

среднее значение напряжений постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

c)

наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

109.

Напряжение смещения интегральных схем – это значение

a)

напряжения постоянного тока на входе ИС, при котором выходное напряжение равно нулю

b)

тока постоянного тока на входе ИС, при котором выходное напряжение равно нулю

c)

напряжения постоянного тока на входе ИС, при котором выходное напряжение равно единице

d)

напряжения постоянного тока на входе ИС, при котором выходное напряжение равно единице или нулю

110.

Напряжение срабатывания интегральных схем – это

a)

наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

b)

наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

c)

среднее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

d)

значение напряжения постоянного тока на входе равное 1V

111.

Неинвертирующий усилитель представляет собой микроэлектронное устройство, позволяющее

a)

усилить сигнал без изменения полярности

b)

гасить сигнал без изменения полярности

c)

усилить сигнал с изменением полярности

d)

усиливать сигнал на 10%

112.

Нижняя граничная частота полосы пропускания интегральных схем – это

a)

наименьшее значение частоты, на которой коэффициент усиления интегральной схемы уменьшается на 3 дB при заданной частоте

b)

наибольшее значение частоты, на которой коэффициент усиления интегральной схемы уменьшается на 3 дB при заданной частоте

c)

среднее значение частоты, на которой коэффициент усиления интегральной схемы уменьшается на 3 дB при заданной частоте

d)

частота равная 0

113.

Операционные усилители конструктивно выполняются в виде

a)

интегральных схем средней степени интеграции

b)

интегральных схем большой степени интеграции

c)

интегральных схем малой степени интеграции

d)

транзисторов

114.

Операционный усилитель имеет в основе

a)

дифференциальный усилитель

b)

предварительный усилитель

c)

интегральный усилитель

d)

два конденсатора

115.

Операционный усилитель обязательно имеет

a)

внешние цепи

b)

внутренние цепи

c)

обратные цепи

d)

два транзистора

116.

Операционный усилитель – это электронное устройство, предназначенное для

a)

усиления постоянного тока

b)

усиления переменного тока

c)

выпрямления переменного тока

d)

выпрямления постоянного тока

117.

От короткого замыкания операционный усилитель защищают

a)

резисторы-огранничители

b)

транзисторы-ограничители

c)

диоды-ограничители

d)

предохранители

118.

Переходная характеристика усилителя – это зависимость выходного сигнала (тока, напряжения) от

a)

времени при скачкообразном входном воздействии

b)

напряжения входном воздействии

c)

входное воздействие

d)

зависимость входного сигнала от температуры

119.

Полосовые фильтры – это электронное устройство, не пропускающее колебания в заданном интервале

a)

частот

b)

тока

c)

напряжения

d)

четные колебания

120.

Полузаказанная интегральная схема представляет собой класс интегральных схем, имеющих

a)

постоянную части

b)

переменную часть

c)

перемноженную часть

d)

ровно 10000 транзисторов

121.

Пороговое напряжение логического нуля интегральных схем – это наибольшее значение

a)

низкого уровня напряжения для «положительной» логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

b)

высокого уровня напряжения для «положительной» логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

c)

низкого уровня напряжения для «отрицательной» логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

d)

напряжение равное 1В

122.

Пороговое напряжение логической единицы интегральных схем – это наименьшее значение

a)

высокого уровня напряжения для «положительной» логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

b)

высокого уровня напряжения для логики на входе ИС

c)

низкого уровня напряжения для «положительной» логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

d)

напряжение равное 1,5 В

123.

Преобразователь – это

a)

микроэлектронное устройство, преобразующее параметры сигналов: частоты, фазы, длительности, мощности и т.д.

b)

микроэлектронное устройство, пропускающее колебания в заданном интервале напряжения

c)

класс интегральных схем, имеющих переменную часть

d)

класс интегральных схем, имеющих полевые транзисторы

124.

Регистр – последовательный элемент, который предназначен для

a)

хранения и (или) преобразования многорязрядных двоичных чисел

b)

передачи и (или) преобразования многорязрядных двоичных чисел

c)

хранения многорязрядных двоичных чисел

d)

хранения только десятичных чисел

125.

Результатом процесса формирования топологии интегральных схем являются формирование

a)

физических и геометрических параметров активных и пассивных элементов заданной схемы заданного функционального назначения

b)

геометрических параметров активных и пассивных элементов заданной схемы заданного функционального назначения

c)

и геометрических параметров активных заданной схемы заданного функционального назначения

d)

параметров активных заданной схемы заданного функционального назначения

126.

Синфазным входным сигналом называют

a)

разность полусуммы напряжений, формируемых на входах

b)

разность произведения напряжений, формируемых на входах

c)

разность полусуммы токов, формируемых на входах

d)

сигнал с напряжением равным 1В

127.

Счётчик – последовательный элемент, который предназначен для

a)

счёта импульсов, поступающих на вход

b)

счёта импульсов, поступающих на выход

c)

суммы импульсов, поступающих на вход

d)

счёта только нечётных импульсов, поступающих на выход

128.

Ток утечки на входе интегральных схем – это значение тока во входной цепи интегральной схемы при

a)

закрытом состоянии входа

b)

заданных режимах на остальных выводах

c)

закрытом состоянии

d)

открытом состоянии

129.

Транзисторы приоткрывают в режиме покоя для

a)

уменьшения нелинейных искажений

b)

увеличения нелинейных искажений

c)

уменьшения линейных искажений

d)

умножения линейных искажений

130.

Триггер – последовательный элемент, который имеет

a)

два устойчивых выходных состояния

b)

три устойчивых выходных состояния

c)

четыре устойчивых выходных состояния

d)

пять устойчивых выходных состояний

131.

Усилитель – это микроэлектронное устройство, предназначенное для

a)

усиления сигналов в заданном диапазоне частот

b)

уменьшения сигналов в заданном диапазоне частот

c)

суммирования сигналов в заданном диапазоне частот

d)

суммирования сигналов транзистора

132.

Фазочастотная характеристика (ФЧХ) – это зависимость угла сдвига фаз между

a)

входным и выходным напряжениями от частоты

b)

выходным и входным напряжениями от напряжения

c)

входным и выходным напряжениями от тока

d)

сила тока равная 1А

133.

Фильтр – это электронное устройство, предназначенное для

a)

разделения электрических колебаний различных частот

b)

суммирования электрических колебаний различных частот

c)

разделения на частоты

d)

устройство для усиления электрических сигналов

134.

Фильтры нижних частот – это электронное устройство

a)

пропускающее колебания не выше заданной граничной частоты

b)

пропускающее колебания не ниже заданной граничной частоты

c)

не пропускающее колебания не выше заданной граничной частоты

d)

предназначенное для суммирования электрических колебаний различных частот

135.

Чувствительность интегральных схем – это

a)

наименьшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

b)

наибольшее входное напряжение, при котором схема остаётся работоспособной

c)

среднее входное напряжение в рабочем диапазоне схемы

d)

любое входное напряжение, при котором выход равен нулю

Similar Resources on Wayground

тесты осд

140 questions

тесты осд

quiz

Worksheet

•

University

ELKTR MTRV 1 4AST'

135 questions

ELKTR MTRV 1 4AST'

quiz

Worksheet

•

University

жемқорлық

131 questions

жемқорлық

quiz

Worksheet

•

University

Бағдарламалық қамсыздандыру туралы тест

140 questions

Бағдарламалық қамсыздандыру туралы тест

quiz

Worksheet

•

University

модуль з патфізи 5

133 questions

модуль з патфізи 5

quiz

Worksheet

•

University

Турецкий язык A1 — рабочий лист (извлечённые вопросы)

132 questions

Турецкий язык A1 — рабочий лист (извлечённые вопросы)

quiz

Worksheet

•

University

тест3

139 questions

тест3

quiz

Worksheet

•

University

мәдениеттану

130 questions

мәдениеттану

quiz

Worksheet

•

University