wayground logo

Free Printable Worksheets

NEW

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

Тест по электронике: транзисторы, фотоприборы и ВОК (12 класс)

Total questions: 45

Worksheet time: 23mins

Name
Class
Date
1.

Какой из h‑параметров является коэффициентом передачи тока?

a)

h21

b)

h11

c)

h12

d)

h01

e)

h22

2.

Как связаны между собой коэффициенты передачи токов эмиттера α и β транзистора?

a)

β=α/(1−α)

b)

β=α−(1/α)

c)

β=1−α

d)

β=(1−α)/(1+α)

e)

β=1/(α−1)

3.

В какой схеме включения транзистора можно получить усиление тока?

a)

по всей схеме

b)

в схеме с ОБ

c)

в схемах с ОЭ и ОБ

d)

в схемах с ОК и ОБ

e)

в схемах с ОЭ и ОК

4.

Зависит ли сечение канала от величины напряжения Ucи полевого транзистора?

a)

зависит, так как падение напряжения в канале определяет напряжение на переходе, а также его ширину

b)

не зависит, так как ширина перехода определяется лишь приложенным напряжением

c)

не зависит, так как падение напряжения в канале всегда постоянно и не зависит от напряжения сток‑исток

d)

зависит, так как при изменении Uси транзистора меняется уровень инжекции носителей

e)

не зависит, так как оно определяется только напряжением затвор‑исток

5.

Что такое вентильный режим фотодиода?

a)

режим без источника напряжения во внешней цепи

b)

режим неосвещённого фотодиода в обратном направлении

c)

режим с источником напряжения, но без нагрузки во внешней цепи

d)

режим с источником напряжения и нагрузкой во внешней цепи

e)

режим неосвещённого фотодиода в прямом направлении

6.

Какая из областей фототранзистора должна освещаться светом, чтобы изменялся ток через фототранзистор?

a)

только при освещении базы, т.к. база является «ловушкой» для носителей

b)

ток фототранзистора изменяется при освещении любой из областей, если толщина их меньше диффузионной длинны носителей

c)

только при освещении коллектора, т.к. коллектор не является «ловушкой» для носителей

d)

только при освещении эмиттера, т.к. эмиттер не является «ловушкой» для носителей

e)

только при освещении коллектора и эмиттера, т.к. они являются поверхностными областями

7.

Какие главные процессы определяют зависимость коэффициента переноса в базе от частоты?

a)

конечное время движения дырок от эмиттерного перехода к коллекторному и разброс их скоростей дырок

b)

влияние сопротивления базы

c)

модуляция ширины базы высокочастотным напряжением коллектора

d)

лавинные процессы в коллекторном переходе

e)

материал изготовления базы

8.

Чему равно входное сопротивление полевого транзистора?

a)

несколько МОм

b)

десятки кОм

c)

сотни Ом

d)

несколько Ом

e)

сотни кОм

9.

Как можно объяснить хорошие высокочастотные характеристики дрейфового транзистора?

a)

малой ёмкостью коллекторного перехода

b)

малой толщиной базы

c)

малым дрейфовым током через переход

d)

маленьким удельным сопротивлением базы

e)

маленьким временем движения неосновных носителей через базу под действием электрического поля

10.

Как происходит управление моментом переключения транзистора?

a)

введением носителей в базовые области

b)

изменением напряжения на коллекторе при сохранении напряжения на эмиттере

c)

введением тока в крайние области четырёхслойной структуры

d)

изменением тока в эмиттере

e)

повышением напряжения на нагрузке до значения напряжения включения

11.

Зависит ли сечение канала полевого транзистора от величины напряжения Uси транзистора?

a)

не зависит, так как падение напряжения в канале всегда постоянно и не зависит от напряжения сток-исток

b)

зависит, так как при изменении Uси транзистора меняется уровень инжекции носителей

c)

не зависит, так как оно определяется только напряжением затвор-исток

d)

не зависит, так как ширина перехода определяется лишь приложенным напряжением

e)

зависит, так как падение напряжения в канале определяет напряжение на переходе и его ширину

12.

Что такое процесс экстракции в транзисторе?

a)

вытягивание полем коллектора дырок, подошедших к коллекторному переходу

b)

переход дырок из эмиттера в базу

c)

перенос электронов из эмиттера в базу

d)

образование носителями зарядов тока базы

e)

прохождение носителей заряда из эмиттера в базу за счёт диффузии

13.

В какой схеме — с общей базой (ОБ) или общим эмиттером (ОЭ) — коэффициент прямой передачи тока сильнее зависит от частоты?

a)

в схеме с общим эмиттером

b)

в схеме с общей базой

c)

в обеих схемах одинаково

d)

зависит от температуры

e)

зависит от материала изготовления

14.

Какие транзисторы называются дрейфовыми?

a)

транзисторы, в которых движение неосновных носителей в базе происходит в основном за счёт дрейфа

b)

транзисторы, в которых движение носителей через p‑n‑переходы происходит только под действием электрического поля

c)

транзисторы, в которых наблюдается заметный дрейф носителей в эмиттерном переходе

d)

транзисторы, в которых токи в областях определяются исключительно дрейфовым носителем

e)

транзисторы, в которых дрейфовый ток через эмиттерный переход больше, чем через коллекторный

15.

Какое максимальное количество импульсов в одну секунду передаётся через одномодовый волоконно‑оптический световод?

a)

1 млн имп/с

b)

2 млн имп/с

c)

5 млн имп/с

d)

0,5 млн имп/с

e)

10 млн имп/с

16.

Можно ли перевести тиристор в закрытое состояние управляющим током?

a)

можно, если подать отрицательный импульс управляющего импульса

b)

нет

c)

можно, если понизить управляющий ток до нуля

d)

можно, если подать положительный импульс управляющего импульса

e)

можно, если заземлить базу

17.

С какой целью делают площадь коллекторного перехода существенно больше площади эмиттерного перехода?

a)

с целью уменьшения рекомбинации неосновных носителей в базе

b)

с целью уменьшения диффузионного сопротивления базы

c)

с целью увеличения емкости коллекторного перехода

d)

с целью уменьшения сопротивления коллекторного перехода

e)

с целью уменьшения сопротивления эмиттерного перехода

18.

Какой из транзисторов, дрейфовый или без дрейфовый, обладает лучшими высокочастотными свойствами?

a)

дрейфовый

b)

бездрейфовый

c)

оба одинаково

d)

зависит от толщины базы

e)

зависит от материала изготовления

19.

Чем отличается МДП транзистор от у нитрона?

a)

проводящий канал в МДП образуется между истоком и стоком под затвором, сопротивление которого определяется концентрацией носителей в канале, а у нитрона сопротивление канала определяется его шириной

b)

конструкцией, обеспечивающей надёжную изоляцию между затвором и другими электродами

c)

значением напряжения, подаваемого на затвор

d)

проводящий канал в МДП образуется между двумя р-n – переходами, изолированными друг от друга Один из переходов, является затвором

e)

Проводящий канал в МДП образуется одним из слоев р или n проводимости, у нитрона – двумя p-n – переходами, включенными встречно

20.

Чему равно значение входного сопротивления для схемы с общей базой?

a)

Rвх=10–100 Ом

b)

Rвх=10–100 кОм

c)

Rвх=1 кОм

d)

Rвх=100 кОм–1 МОм

e)

Rвх=100 Ом–10 кОм

21.

Чему равно значение выходного сопротивления для схемы с общей базой?

a)

Rвых=100 кОм–1 МОм

b)

Rвых=10–100 кОм

c)

Rвых=1 кОм

d)

Rвых=10–100 Ом

e)

Rвых=100 Ом–10 кОм

22.

Чему равно значение входного сопротивления для схемы с общим эмиттером?

a)

Rвх=100 Ом–10 кОм

b)

Rвх=10–100 кОм

c)

Rвх=1 кОм

d)

Rвх=10–100 Ом

e)

Rвх=100 кОм–1 МОм

23.

Покажите формулу для коэффициента поля дрейфового транзистора

a)

η=ΔU/2φт

b)

η=U/φт

c)

η=φт/ΔU

d)

η=2ΔU/(φт+1)

e)

η=(ΔU+φт)/2

24.

Чему равно входное сопротивление для схемы с общим коллектором?

a)

Rвх=10–100 кОм

b)

Rвх=1 кОм

c)

Rвх=10–100 Ом

d)

Rвх=100 кОм–1 МОм

e)

Rвх=100 Ом–10 кОм

25.

На каких частотах работает дрейфовый транзистор?

a)

100 МГц–1 ГГц

b)

>1 МГц–100 МГц

c)

1 кГц–100 кГц

d)

100 Гц–1 кГц

e)

100 кГц–1 МГц

26.

Какое максимальное количество импульсов в секунду можно передать через многомодовый волоконно-оптический световод?

a)

20 млн имп/с

b)

5 млн имп/с

c)

50 млн имп/с

d)

30 млн имп/с

e)

10 млн имп/с

27.

Покажите связь между диффузионной длиной носителей заряда и их временем жизни.

a)

L=DτL=\sqrt{D\tau}

b)

L=DqτL=\sqrt{Dq\tau}

c)

L=DμτL=\sqrt{D\mu\tau}

d)

L=qτL=\sqrt{q\tau}

e)

L=μτL=\sqrt{\mu\tau}

28.

Дан коэффициент передачи тока эмиттера транзистора α=0,97\alpha=0{,}97 . Найдите коэффициент передачи тока базы β\beta .

a)

β=32,33\beta=32{,}33

b)

β=42,35\beta=42{,}35

c)

β=50,5\beta=50{,}5

d)

β=100\beta=100

e)

β=70,45\beta=70{,}45

29.

Чему равно значение выходного сопротивления для схемы с общим коллектором?

a)

Rвых=10–100R_{\text{вых}}=10\text{–}100 Ом

b)

Rвых=10–100R_{\text{вых}}=10\text{–}100 кОм

c)

Rвых=1R_{\text{вых}}=1 кОм

d)

Rвых=100R_{\text{вых}}=100 кОм– 11 МОм

e)

Rвых=100R_{\text{вых}}=100 Ом– 1010 кОм

30.

Покажите маркировку полевого транзистора.

a)

КТ315А

b)

КП303И

c)

ГТ420В

d)

КД209Ж

e)

АИ401Г

31.

Покажите маркировку резисторного оптрона.

a)

ОЭП

b)

АОД

c)

АОТ

d)

ТО

e)

ФДК-1

32.

Покажите маркировку тиристорного оптрона.

a)

ТО

b)

АОД

c)

АОТ

d)

ОЭП

e)

ФДК-1

33.

Какие виды пробоя называются обратимыми?

a)

лавинные и туннельные

b)

равновероятно в обоих направлениях

c)

h21h_{21}

d)

h22h_{22}

e)

наличием внешнего источника тока

34.

Какой из h‑параметров является коэффициентом передачи по току?

a)

h21h_{21}

b)

h01h_{01}

c)

h11h_{11}

d)

h12h_{12}

e)

β=α−(1/α)\beta=\alpha-(1/\alpha)

35.

Как называется вольтамперная характеристика Iк=f(Uбэ)I_{\text{к}}=f(U_{\text{бэ}}) при Uкэ=constU_{\text{кэ}}=\text{const} для транзистора, включённого по схеме с ОЭ?

a)

входная

b)

электроны

c)

положительные ионы

d)

отрицательные ионы

e)

позитроны

36.

Как называется прибор, имеющий три области проводимости p‑n‑p или n‑p‑n, чередующиеся внутри полупроводникового микрокристалла?

a)

биполярный транзистор

b)

двойной слой объёмных зарядов

c)

двойной слой молекул

d)

двойной слой положительных ионов и электронов

e)

двойной слой отрицательных ионов и дырок

37.

Транзистор, в котором неосновные носители в базе связаны с диффузией.

a)

бездрейфовый биполярный транзистор

b)

двойной слой отрицательных ионов и дырок

c)

двойной слой объёмных зарядов

d)

двойной слой положительных ионов и электронов

e)

двойной слой молекул

38.

Зависит ли ширина канала полевого транзистора от UзиU_{\text{зи}} напряжения?

a)

зависит

b)

ток инжекции

c)

равны

d)

это зависит от концентрации акцепторной примеси в эмиттере

e)

это зависит от концентрации донорной примеси в базе

39.

На чём основано управление током в полевом транзисторе с управляющим p‑n‑переходом?

a)

на изменении ширины перехода и сечения канала при изменении входного напряжения

b)

для преобразования частоты

c)

для стабилизации напряжения

d)

для усиления слабых сигналов

e)

для генерации незатухающих колебаний

40.

Что называется эмиттером?

a)

область транзистора, назначением которой является инжекция в базу основных носителей, которые становятся неосновными

b)

малой ёмкостью коллекторного перехода

c)

малым дрейфовым током через переход

d)

малой толщиной базы

e)

маленьким удельным сопротивлением базы

41.

Назовите, какие транзисторы называются дрейфовыми.

a)

транзисторы, в которых движение неосновных носителей в базе происходит в основном за счёт дрейфа в электрическом поле

b)

с ОК

c)

с ОЭ

d)

с ОБ

e)

одинаковое минимальное у схемы с ОБ и ОЭ

42.

Какова величина входного сопротивления полевого транзистора?

a)

несколько МОм

b)

0,01–0,033 мкФ

c)

100–1000 пФ

d)

1–10 мкФ

e)

несколько Ом

43.

Какой из h‑параметров является входным сопротивлением?

a)

h11h_{11}

b)

скачок потенциала на границе различных полупроводников

c)

барьер Шоттки

d)

φ0=1,25\varphi_0=1{,}25 В

e)

h01h_{01}

44.

Что такое активный режим транзистора?

a)

эмиттерный переход открыт, коллекторный переход закрыт

b)

эмиттерный и коллекторный переходы закрыты

c)

эмиттерный и коллекторный переходы открыты

d)

эмиттерный переход закрыт, коллекторный переход открыт

e)

режим, при котором имеют место только эквивалентные активные сопротивления и отсутствуют эквивалентные ёмкостные сопротивления

45.

Какой из h‑параметров является входным сопротивлением?

a)

h11h_{11}

b)

h12h_{12}

c)

h21h_{21}

d)

h22h_{22}

e)

h02h_{02}

Similar Resources on Wayground

Викторина по техническому обслуживанию электрических машин

43 questions

Викторина по техническому обслуживанию электрических машин

quiz

Worksheet

•

12th Grade

7-8то Ремонт

49 questions

7-8то Ремонт

quiz

Worksheet

•

12th Grade

Атомна і ядерна фізика. Залік. 11 клас

44 questions

Атомна і ядерна фізика. Залік. 11 клас

quiz

Worksheet

•

9th - 12th Grade