wayground logo

Free Printable Worksheets

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

Semiconductor Fundamentals and P-N Junctions (Part 1)

Total questions: 69

Worksheet time: 36mins

Name
Class
Date
1.

В полупроводнике ток, переносимый электронами – Iэ, и ток, переносимый дырками – Iд. Если полупроводник обладает проводимостью n-типа, то какое соотношение токов будет верным?

a)

акцепторы

b)

Iэ < Iд

c)

Iэ = Iд

d)

Iэ > Iд

e)

силы тока

2.

На рисунке показаны оба возможных включения p-n-перехода. Укажите, в каком случае p-n-переход включен в прямом направлении.

a)

a

b)

d

c)

b

d)

e

e)

c

3.

Расчет резистора для светодиода производится по следующей формуле:

a)

R=(Us−UL)⋅I2R = (U_s − U_L) · I^2

b)

R = I2⋅(Vs−UL)I^2 · (V_s − U_L)

c)

R + I = U_s − U_L

d)

R=(Vs−VL)/I2R = (V_s − V_L)/I^2

e)

R = (U_s − U_L)/I

4.

Что происходит с запрещенной зоной при дефектах кристаллической решетки полупроводника с примесями?

a)

начинается крошиться

b)

появится трещина

c)

увеличивается запрещенная зона

d)

исчезнет все примеси с запрещенной зоны

e)

уменьшается запрещенная зона

5.

Атом, поглотивший один или несколько квантов лучистой энергии, называется

a)

полупроводником

b)

заряженным

c)

p-n – переходом

d)

дырки

e)

возбужденным

6.

Чем сопровождается переход в чистом полупроводнике электрона из валентной зоны в зону проводимости?

a)

появлением дырки в валентной зоне

b)

появлением дырки в запрещенной зоне

c)

появление дырки в зоне проводимости

d)

пропускает электрический ток

e)

заполненных энергетических зон

7.

Что называется p-n – переходом?

a)

дырки в зоне проводимости

b)

область полупроводника, которая пропускает электрический ток

c)

область полупроводника p – типа, которая пропускает электрический ток в одном направлении

d)

область полупроводника n – типа, которая пропускает электрический ток

e)

особая область, возникающая на границе двух полупроводников с различным типом проводимости область полупроводника, которая не пропускает электрический ток

8.

Ионизированный атом, захватывая свободный электрон, становится

a)

проводником

b)

в зоне проводимости

c)

отрицательно заряженным

d)

положительно заряженным

e)

нейтральным

9.

Выберите правильное утверждение

a)

электронно-акцепторной

b)

валентная зона-верхняя из заполненных энергетических зон

c)

валентная зона-нижняя из заполненных энергетических зон

d)

валентная зона-средняя из заполненных энергетических зон

e)

акцепторно-электронной

10.

Не полностью занятая валентная зона характерна для

a)

полупроводников

b)

изоляторов

c)

p-n – переходом

d)

акцептором

e)

проводников

11.

Дефекты кристаллической решетки полупроводника и наличие примесей

a)

пробой

b)

трещиной

c)

становится акцептором

d)

увеличивают запрещенную зону

e)

уменьшают запрещенную зону

12.

Для изготовления полупроводниковых кристаллов используют германий и

a)

кремний

b)

фосфор

c)

металл

d)

атомы

e)

чистый песок

13.

Электропроводность полупроводника p-типа называется

a)

дырочной

b)

ковалентной

c)

электрической

d)

прямое включение

e)

атомной

14.

Электропроводность чистого кристалла, вызванная генерацией пар свободных, то есть способных перемещаться под действием приложенного напряжения, зарядов называется

a)

ампером

b)

собственной

c)

динамической

d)

высокочастотной

e)

автоматической

15.

В собственном полупроводнике количество свободных электронов равно количеству

a)

атомов

b)

101210^{12}

c)

101910^{19}

d)

5*4

e)

дырок

16.

Элемент электротехники, создающий в цепи емкостное сопротивление, называется

a)

варикапы

b)

резистор

c)

контактные переключатели

d)

выпрямительный диод

e)

конденсатор

17.

Область полупроводника, расположенная вблизи металлургической границы между p и n слоями, называется:

a)

p-n – переход

b)

валентный слой

c)

запирающий слой

d)

фазовый переход

e)

зона контакта

18.

Как называется полупроводниковый прибор с двумя переходами и тремя и более выводами?

a)

диодом

b)

триодом

c)

варикапы

d)

биполярным транзистором

e)

p-n – переходы

19.

Как называется атом, если электрон переходит на очень удаленную орбиту и отрывается от атома?

a)

варикап

b)

ионизированным

c)

атомом

d)

p-n – переходом

e)

диодом

20.

Чем является один p-n – переход и 2 омических контакта?

a)

с высоким сопротивлением

b)

резистором

c)

катодом

d)

только p-n – переходом

e)

полупроводниковым диодом

21.

Какие материалы называются полупроводниками?

a)

те, которые имеют малое удельное сопротивление

b)

те, которые имеют высокое удельное сопротивление

c)

те, которые проводят ток в одном направлении

d)

металлы с незаполненной d – орбитой

e)

те, которые по своим свойствам занимают промежуточное положение между проводниками и диэлектриками

22.

Энергетическое состояние атома – это

a)

суммарная энергия ядра и электронов

b)

электроны

c)

энергия ядра

d)

масса

e)

полная энергия электронов

23.

Выберите правильное утверждение

a)

зона проводимости – запрещенная энергетическая зона, расположенная непосредственно над валентной зоной

b)

зона проводимости – разрешенная энергетическая зона, расположенная под валентной зоной

c)

с увеличением температуры

d)

не изменится

e)

зона проводимости – разрешенная энергетическая зона, расположенная непосредственно над валентной зоной

24.

С увеличением температуры

a)

сопротивление полупроводника равно нулю

b)

сопротивление проводника увеличивается, а полупроводников уменьшается

c)

сопротивление проводника уменьшается, а полупроводников увеличивается

d)

сопротивление проводника равно нулю

e)

не изменится

25.

В чистом полупроводнике переход электрона из валентной зоны в зону проводимости сопровождается

a)

появлением дырки в валентной зоне

b)

появлением дырки в запрещенной зоне

c)

появлением дырки в зоне проводимости

d)

с увеличением отрицательного заряда

e)

с донорной примесью

26.

Электропроводность полупроводника, вызванная различными примесями, называется

a)

акцепторной

b)

высокочастотной

c)

динамической

d)

собственной

e)

примесной

27.

Примесь, создающая в четырехвалентном кристалле электронную электропроводность, называется

a)

акцепторной

b)

электронными

c)

донорной

d)

германиевой

e)

примесной

28.

Трехвалентная примесь в полупроводнике называется

a)

акцепторной

b)

примесной

c)

германиевой

d)

донорной

e)

электронными

29.

Процесс спонтанного перехода части электронов из зоны проводимости в валентную зону называется

a)

рекомбинацией пар

b)

валентной зоной

c)

зоны проводимости

d)

собственным полупроводником

e)

однородный полупроводник

30.

Чистый и однородный полупроводник, в котором количество свободных электронов (n-p) равно количеству дырок (p) и называется каким полупроводником

a)

чистым

b)

зонной

c)

ковалентным

d)

собственным

e)

однородным

31.

Элемент электротехники, создающий в цепи активное сопротивление, называется

a)

резистор

b)

сопротивление

c)

полупроводник

d)

металл

e)

R

32.

При подключении к полупроводнику прямого напряжения зона p-n – перехода

a)

не изменяется

b)

расширяется

c)

расширяется со стороны p – слоя

d)

сужается

e)

сужается со стороны n – слоя

33.

Для изготовления полупроводниковых кристаллов используют кремний и

a)

полупроводники

b)

стекло

c)

металл

d)

Al и Fe

e)

германий

34.

Что происходит с запрещенной зоной при дефектах кристаллической решетки полупроводника с примесями?

a)

пробой

b)

увеличивается запрещенная зона

c)

короткая замыкание

d)

p-n – переход исчезнет

e)

уменьшается запрещенная зона

35.

Атом, поглотивший один или несколько квантов лучистой энергии, называется

a)

выпрямительный диод

b)

возбужденным

c)

отсутствием p-n – перехода

d)

ослабленным

e)

нейтральным

36.

Чем сопровождается переход в чистом полупроводнике электрона из валентной зоны в зону проводимости?

a)

появлением высоких токов

b)

вырожденным

c)

появление дырки в зоне проводимости

d)

появлением дырки в запрещенной зоне

e)

появлением дырки в валентной зоне

37.

Что называется p-n – переходом?

a)

акцептором

b)

область полупроводника n – типа, которая пропускает электрический ток

c)

область полупроводника p – типа, которая пропускает электрический ток в одном направлении

d)

область полупроводника, которая пропускает электрический ток

e)

особая область, возникающая на границе двух полупроводников с различным типом проводимости область полупроводника, которая не пропускает электрический ток

38.

Ионизированный атом, захватывая свободный электрон, становится

a)

положительно заряженным

b)

нейтральным

c)

ослабленным

d)

отрицательно заряженным

e)

возбужденным

39.

Выберите правильное утверждение

a)

валентная зона-средняя из заполненных энергетических зон

b)

валентная зона-верхняя из заполненных энергетических зон

c)

—

d)

валентная зона-нижняя из заполненных энергетических зон

e)

—

40.

Не полностью занятая валентная зона характерна для

a)

проводников

b)

изоляторов

c)

атомов

d)

кристаллической решётке

e)

полупроводников

41.

Дефекты кристаллической решетки полупроводника и наличие примесей

a)

—

b)

увеличивает напряжение

c)

увеличивает токи

d)

увеличивают запрещенную зону

e)

уменьшают запрещенную зону

42.

Для изготовления полупроводниковых кристаллов используют

a)

Cu

b)

Al

c)

Fe

d)

Si

e)

Ge

43.

Пятивалентная донорная примесь в четырехвалентном кристалле создает

a)

донор

b)

электронную электропроводность

c)

электронную дырку доноре

d)

электронную дырку акцепторе

e)

акцептор

44.

Электропроводность полупроводника p – типа называется

a)

донорной

b)

валентной

c)

ковалентной

d)

дырочной

e)

акцепторной

45.

Электропроводность чистого кристалла, вызванная генерацией пар свободных, те способных перемещаться под действием приложенного напряжения, зарядов называется

a)

заряженной

b)

ЭДС

c)

выделенной

d)

напряженной

e)

собственной

46.

В собственном полупроводнике количество свободных электронов равно количеству

a)

дырок

b)

U/R

c)

электронов

d)

U/I

e)

U*I

47.

Элемент электронной техники, создающий в цепи емкостное сопротивление, называется

a)

фильтр

b)

диодный мост

c)

конденсатор

d)

сопротивление

e)

контур

48.

Область полупроводника, расположенная вблизи металлургической границы между p и n слоями, называется

a)

фазовый переход

b)

зона контакта

c)

валентный слой

d)

p-n – переход

e)

запирающий слой

49.

При подключении к полупроводнику обратного напряжения зона p-n – перехода

a)

расширяется

b)

сужается

c)

не изменяется

d)

p-n – переход имеет постоянную ширину

e)

расширяется со стороны n – слоя

50.

Сколько электронов на внешних валентных оболочках у атомов германия и кремния?

a)

5 электронов

b)

по 2 электрона

c)

3 электрона

d)

по 4 электрона

e)

1 электрон

51.

Как называется атом, если электрон переходит на очень удаленную орбиту и отрывается от атома?

a)

без порядочным

b)

дырочным

c)

электронным

d)

ионизированным

e)

заряженным

52.

Чем является один p-n – переход и 2 омических контакта?

a)

омическими контактами

b)

переключатель

c)

катушкой

d)

выпрямительным диодом

e)

полупроводниковым диодом

53.

Какие материалы называются полупроводниками?

a)

те, которые имеют малое удельное сопротивление

b)

те, которые проводят ток в одном направлении

c)

те, которые по своим свойствам занимают промежуточное положение между проводниками

d)

металлы с незаполненной d – орбитою

e)

те, которые по своим свойствам занимают промежуточное положение между диэлектриками

54.

Энергетическое состояние атома – это

a)

полная энергия электронов

b)

энергия ядра

c)

суммарная энергия электронов

d)

заряд

e)

суммарная энергия ядра

55.

Выберите правильное утверждение

a)

зона проводимости – разрешенная энергетическая зона, расположенная непосредственно над валентной зоной

b)

U=I*R

c)

зона проводимости – разрешенная энергетическая зона, расположенная под валентной зоной

d)

зона проводимости – запрещенная энергетическая зона, расположенная непосредственно над валентной зоной

e)

U=I/R

56.

С увеличением температуры сопротивление

a)

проводника увеличивается

b)

полупроводников уменьшается

c)

проводника уменьшается, а ток увеличивается

d)

выделяет пузырки

e)

меньше нуля

57.

В чистом полупроводнике переход электрона из валентной зоны в зону проводимости сопровождается появлением дырки в

a)

диоде

b)

полупроводнике

c)

зоне проводимости

d)

запрещенной зоне

e)

валентной зоне

58.

Электропроводность полупроводника, вызванная различными примесями, называется

a)

соединенной

b)

переходной

c)

резистором

d)

электрической цепью

e)

примесной

59.

Примесь, создающая в четырёхвалентном кристалле электронную электропроводность, называется

a)

электронной

b)

вакуумной

c)

донорной

d)

акцепторной

e)

рекомбинацией пар

60.

Трёхвалентная примесь в полупроводнике называется

a)

акцепторной

b)

донорной

c)

вакуумной

d)

электронной

e)

рекомбинацией пар

61.

Процесс спонтанного перехода части электронов из зоны проводимости в валентную зону называется

a)

акцепторной

b)

донорной

c)

электронной

d)

рекомбинацией пар

e)

вакуумной

62.

Элемент электротехники, создающий в цепи активное сопротивление, называется

a)

параллельные соединении

b)

последовательный соединении

c)

смешанные соединении

d)

резистор

e)

диодный мост

63.

При подключении к полупроводнику прямого напряжения зона p–n‑перехода

a)

расширяется

b)

расширяется со стороны p‑слоя

c)

не изменяется

d)

сужается со стороны n‑слоя

e)

сужается

64.

Чему равна энергетическая ширина запрещённой зоны германия?

a)

1,54 эВ

b)

1,1 эВ

c)

0,74 эВ

d)

0,47 эВ

e)

0,67 эВ

65.

Напряжение какого знака возникает на фотодиоде в вентильном режиме его работы при световом потоке?

a)

полярность зависит от полярности внешнего напряжения

b)

полярность определяется интенсивностью светового потока

c)

полярность определяется длиной волны светового потока

d)

плюс на n‑области и минус на p‑области

e)

плюс на p‑области и минус на n‑области

66.

Располагается уровень Ферми у невырожденных примесных полупроводников n‑типа

a)

в запрещённой вблизи валентной зоны

b)

в зоне проводимости

c)

в валентной зоне

d)

посредине запрещённой зоны

e)

в запрещённой вблизи зоны проводимости

67.

Укажите величину барьерной ёмкости p–n‑перехода конденсатора

a)

1000 пФ

b)

0,033 мкФ

c)

0,1 мкФ

d)

10 пФ

e)

1000 нФ

68.

Чему равна энергетическая ширина запрещённой зоны кремния?

a)

1,54 эВ

b)

1,1 эВ

c)

0,47 эВ

d)

0,74 эВ

e)

0,67 эВ

69.

Пятивалентная донорная примесь в четырехвалентном кристалле создает какую электропроводность

a)

электронную

b)

зонную

c)

ковалентную

d)

атомную

e)

токовую