Threshold voltage là gì?

CMOS viết tắt là gì?

Khi NMOS dẫn, dòng điện đi từ đâu đến đâu?

Trong cấu trúc MOS cơ bản dưới đây (bỏ qua Source và Drain), lớp giữa cổng (Gate) và thân (Body) là gì?

Ở chế độ bão hòa của NMOS, dòng $$I_{DS}$$ chủ yếu phụ thuộc vào đại lượng nào?

Khẳng định nào sau đây là đúng; chọn 2 đáp án đúng.

Quan sát sơ đồ mặt cắt MOSFET; hình (b) có đế loại n với các vùng p+ làm source/drain. Hình (b) là loại transistor nào?

Quan sát sơ đồ mặt cắt MOSFET; hình (a) có đế loại p với các vùng n+ làm source/drain. Hình (a) là loại transistor nào?

Transistor PMOS dẫn dòng khi điện áp cổng–nguồn thỏa điều kiện $$V_{SG}$$ _(2)_ $$|V_{th}|$$ . Chọn ký hiệu toán học thích hợp cho vị trí (2).

Transistor PMOS dẫn dòng khi điện áp cổng–nguồn thỏa điều kiện $$V_{SG}$$ _(1)_ $$|V_{th}|$$ . Chọn cụm từ thích hợp cho vị trí (1).

Khi $$V_{GS} < V_{th}$$ thì dòng $$I_{DS}$$ của MOSFET bằng bao nhiêu?

Hai transistor NMOS và PMOS có cùng tỉ lệ W/L, hãy cho biết transistor nào dẫn mạnh hơn.

Phát biểu sau mô tả hiệu ứng kênh ngắn (Short-Channel Efect) trong MOSFET: giảm đến mức mà trường điện từ từ cực Drain tác động tới lên vùng kênh, hệ quả là điện áp ngưỡng (V(T)) bị giảm, dòng rò dưới ngưỡng (subthreshold leakage curent) tăng, và xuất hiện hiệu ứng “Drain-Inducced Barier Loering (DIBL)”. Hãy chọn đánh giá đúng/sai.

Dựa trên hình tóm tắt ba phương trình dòng Ids trong ba vùng hoạt động của transistor NMOS được đánh số (1), (2), (3), phương trình (2) tương ứng với vùng hoạt động nào?

Dựa trên hình tóm tắt ba phương trình dòng Ids trong ba vùng hoạt động của transistor NMOS được đánh số (1), (2), (3), phương trình (3) tương ứng với vùng hoạt động nào?

Dựa trên hình tóm tắt ba phương trình dòng Ids trong ba vùng hoạt động của transistor NMOS được đánh số (1), (2), (3), phương trình (1) tương ứng với vùng hoạt động nào?

Một transistor NMOS có điện áp ngưỡng $$V_{TH} = 0.5\ \mathrm{V}$$ , $$\mu_n C_{ox} = 200\ \mu\mathrm{A}/\mathrm{V}^2$$ , $$W/L = 10$$ . Khi $$V_{GS} = 1.2\ \mathrm{V}$$ và $$V_{DS} = 0.05\ \mathrm{V}$$ , xác định vùng hoạt động của transistor (ngắt, tuyến tính hay bão hòa).

Chọn đáp án đúng. Một transistor NMOS có $$V_{TH}=0.4\,\text{V}$$ , $$W/L=20$$ , $$\mu_n C_{ox}=300\,\mu\text{A}/\text{V}^2$$ . Khi $$V_{GS}=1.5\,\text{V}$$ và transistor hoạt động trong vùng bão hòa (bỏ qua hiệu ứng Channel-Length Modulation), hãy tính dòng máng $$I_D$$ theo đơn vị $$\mu\text{A}$$ .

Chọn đáp án đúng. Một transistor NMOS có $$V_{TH}=0.4\,\text{V}$$ , $$W/L=20$$ , $$\mu_n C_{ox}=300\,\mu\text{A}/\text{V}^2$$ . Khi $$V_{GS}=1.0\,\text{V}$$ và $$V_{DS}=1.5\,\text{V}$$ , transistor hoạt động trong vùng bão hòa có xét hiệu ứng Channel-Length Modulation với $$\lambda=0.05\,\text{V}^{-1}$$ . Hãy tính dòng máng thực tế $$I_D$$ theo đơn vị $$\mu\text{A}$$ .

Chọn đáp án đúng. Một transistor PMOS có $$V_{THp}=-0.45\,\text{V}$$ , $$\mu_p C_{ox}=100\,\mu\text{A}/\text{V}^2$$ và $$W/L=15$$ . Khi $$V_{SG}=1.2\,\text{V}$$ và $$V_{SD}=0.2\,\text{V}$$ , hãy tính dòng máng $$I_D$$ theo đơn vị $$\mu\text{A}$$ .

Chọn đáp án đúng. Trong công nghệ MOSFET có $$t_{ox}=8\,\text{nm}$$ và hằng số điện môi của oxide $$\varepsilon_{ox}=3.45\times10^{-11}\,\text{F/m}$$ . Hãy tính điện dung riêng của lớp oxide $$C_{ox}=\varepsilon_{ox}/t_{ox}$$ theo đơn vị $$\text{mF}/\text{m}^2$$ (làm tròn hai chữ số thập phân).

Ghép mô tả tương ứng cho Hình a: sơ đồ MOSFET với các cực G, S, D; bên phải là ký hiệu một điện trở nằm giữa S và D, kèm chú thích $$V_{GS}$$ . Mô tả nào đúng về cách hoạt động của MOSFET trong hình này?

Ghép mô tả tương ứng cho Hình b: mạch có điện áp điều khiển $$V_b$$ điều khiển dòng $$I_1$$ ; bên phải là ký hiệu nguồn dòng $$I_1$$ xuống mass. Mô tả nào đúng về cách hoạt động của MOSFET trong hình này?