ทฤษฎี วิเคราะห์วงจร

แถบที่ 1

แถบวาเลนซ์

แถบฉนวน

แถบความนำ

อิเล็กตรอนและโปรตอน

โปรตอนและนิวตรอน

อิเล็กตรอนและนิวตรอน

อิเล็กตรอนและอะตอม

สารกึ่งตัวนำแกลเลียม

สารกึ่งตัวนำชนิดพี

สารกึ่งตัวนำชนิดเอ็น

สารกึ่งตัวนำบริสุทธิ์

เพิ่มจำนวนโฮลในสารกึ่งตัวนำ

ลดสภาวะการเป็นตัวนำของซิลิคอน

เพิ่มจำนวนอิเล็กตรอนในสารกึ่งตัวนำ

สร้างประจุพาหะข้างน้อยในสารกึ่งตัวนำ

เกิดจากขอบของรอยต่อพี-เอ็น

การโคจรของโปรตอนและนิวตรอน

การรวมตัวกันของอิเล็กตรอนและโฮล

รอยเดินไปซื้อพี-เอ็นแล้วเงินไม่พอ

A+,K-

A+,K+

A-,K+

A-,K-

มากกว่า 0.3 V

มากกว่า 0.7 V

น้อยกว่า 0.3 V

น้อยกว่า 0.7 V

เกิดเป็นแบตเตอรี่สมมุติหรือดีพลีชั่นรีจินขึ้นที่บริเวณรอยต่อ

มีกระแสไหลที่เกิดจากพาหะข้างน้อยในสารกึ่งตัวนำพีและเอ็นซึ่งมีค่าน้อย

มีกระแสไหลที่เกิดจากพาหะข้างมากในสารกึ่งตัวนำพีและเอ็นซึ่งมีค่าน้อยมาก

มีกระแสไหลกลับทิศทำงจากเดิม และมีค่าน้อยมาก

ทำให้แรงดันตกคร่อมไดโอดขณะนั้นลดลง

ทำให้กระแสไหลลดลง

ทำให้ค่าความต้านทำนของไดโอดสูงขึ้น

ทำให้แรงดันตกคร่อมไดโอดขณะนั้นเท่ากับแหล่งจ่าย

ทำให้แรงดันตกคร่อมไดโอดขณะนั้นลดลง

ทำให้กระแสไหลสูงขึ้นมาก

ทำให้ค่าความต้านทำนของไดโอดไม่คงที่

ทำให้ค่าความต้านทำนของไดโอดเพิ่มขึ้น