ทฤษฎี วิเคราะห์วงจร

แถบพลังงานใดที่มีอิเล็กตรอนอิสระ

• แถบที่ 1

• แถบวาเลนซ์

• แถบฉนวน

• แถบความนำ

นิวเคลียสมีส่วนประกอบมาจากข้อใด

• อิเล็กตรอนและโปรตอน

• โปรตอนและนิวตรอน

• อิเล็กตรอนและนิวตรอน

• อิเล็กตรอนและอะตอม

สารเจือปนที่มีอิเล็กตรอนวงนอกสุด 3 ตัว เมื่อเติมลงไปในซิลิคอนบริสุทธิ์จะทำให้เกิดสารกึ่งตัวนำ ชนิดใหม่คือข้อใด

• สารกึ่งตัวนำแกลเลียม

• สารกึ่งตัวนำชนิดพี

• สารกึ่งตัวนำชนิดเอ็น

• สารกึ่งตัวนำบริสุทธิ์

จุดประสงค์ของการเจือปนสารที่มีอิเล็กตรอนวงนอกสุด 5 ตัวเพื่ออะไร

• เพิ่มจำนวนโฮลในสารกึ่งตัวนำ

• ลดสภาวะการเป็นตัวนำของซิลิคอน

• เพิ่มจำนวนอิเล็กตรอนในสารกึ่งตัวนำ

• สร้างประจุพาหะข้างน้อยในสารกึ่งตัวนำ

รอยต่อพี-เอ็นเกิดจากข้อใด

• เกิดจากขอบของรอยต่อพี-เอ็น

• การโคจรของโปรตอนและนิวตรอน

• การรวมตัวกันของอิเล็กตรอนและโฮล

• รอยเดินไปซื้อพี-เอ็นแล้วเงินไม่พอ

การให้ไบอัสตรงข้อใดถูกต้อง

• A+,K-

• A+,K+

• A-,K+

• A-,K-

ถ้านำสารกึ่งตัวนำชนิดซิลิกอนไปใช้ทำเป็นไดโอด เราต้องจ่ายแรงดันไบอัสตรงขนำดเท่าใดจึงจะทำให้ไดโอดนำกระแสได้

• มากกว่า 0.3 V

• มากกว่า 0.7 V

• น้อยกว่า 0.3 V

• น้อยกว่า 0.7 V

คุณสมบัติของไดโอดขณะที่ได้รับแรงดันไบอัสกลับตรงกับข้อใด

• เกิดเป็นแบตเตอรี่สมมุติหรือดีพลีชั่นรีจินขึ้นที่บริเวณรอยต่อ

• มีกระแสไหลที่เกิดจากพาหะข้างน้อยในสารกึ่งตัวนำพีและเอ็นซึ่งมีค่าน้อย

• มีกระแสไหลที่เกิดจากพาหะข้างมากในสารกึ่งตัวนำพีและเอ็นซึ่งมีค่าน้อยมาก

• มีกระแสไหลกลับทิศทำงจากเดิม และมีค่าน้อยมาก

อุณหภูมิที่สูงขึ้นมีผลกระทบต่อไดโอดขณะได้รับไบอัสตรงอย่างไร

• ทำให้แรงดันตกคร่อมไดโอดขณะนั้นลดลง

• ทำให้กระแสไหลลดลง

• ทำให้ค่าความต้านทำนของไดโอดสูงขึ้น

• ทำให้แรงดันตกคร่อมไดโอดขณะนั้นเท่ากับแหล่งจ่าย

อุณหภูมิที่สูงขึ้นมีผลกระทบต่อไดโอดขณะได้รับไบอัสกลับอย่างไร

• ทำให้แรงดันตกคร่อมไดโอดขณะนั้นลดลง

• ทำให้กระแสไหลสูงขึ้นมาก

• ทำให้ค่าความต้านทำนของไดโอดไม่คงที่

• ทำให้ค่าความต้านทำนของไดโอดเพิ่มขึ้น