Điện Tử Công Suất

Phát biểu nào sau đây đúng cho GTO (gate turn off SCR)

• ⦁ GTO có cấu tạo giống như SCS, nhưng không có cực GA

• ⦁ GTO có cấu tạo giống như SCR nhưng có thêm cực điều khiển ngắt mắc song song với cực điều khiển đóng

• ⦁ GTO có cấu tạo giống như SCR nhưng có thêm cực điều khiển ngắt mắc đối diện với cực điều khiển đóng

• ⦁ Các phát biểu trên đều sai

Phát biểu nào sau đây đúng với IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)

• ⦁ IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCR và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet .

• ⦁ IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCS và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

• ⦁ IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Transistor và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

• ⦁ IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Triac và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

Phát biểu nào sau đây đúng với đặc tính của IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)

• ⦁ Công suất cung cấp cho tải trung bình (khoảng vài kW)

• ⦁ Tần số làm việc cao (vài kHz)

• ⦁ Thời gian giao hoán ngắt bé (khoảng 0,15μs)

• ⦁ Cả A, B, C điều đúng.

Trong các linh kiện sau đây loại nào không phải là linh kiện công suất

• BJT

• TRIAC

• UJT

• JFET

Trong các linh kiện sau đây loại nào không có khả năng điều khiển công suất.

• MOSFET

• TRIAC

• THYIRSTOR

• DIAC

Phát biểu nào sau đây là đúng với cấu trúc của Mosfet công suất

• ⦁ Có cấu trúc xen kẻ của các tiếp giáp P-N để cấp dòng lớn

• ⦁ Có cấu trúc kênh dẫn theo hình chữ V nên còn gọi là Vmosfet để cấp dòng lớn.

• ⦁ Có diện tích tiếp xúc vùng hiếm nhỏ để cấp dòng lớn.

• ⦁ Cả ba câu trên điều đúng.

Phát biểu nào sau đây là đúng về sự khác biệt giữa Mosfet so với BJT công suất.

• ⦁ Tần số làm việc thấp so với BJT công suất.

• ⦁ Đáp ứng tần số nhỏ hơn BJT công suất.

• ⦁ Đặc tuyến có trị số tới hạn tối đa, không có hiện tượng hủy thác thứ cấp so với BJT công suất

• ⦁ Thực hiện mạch kích khó hơn BJT công suất

Diode công suất ở trạng thái dẫn có điện áp V_AK là:

• ⦁ 0,2 V

• ⦁ 0,3 V

• ⦁ 0,6 V

• ⦁ Lớn hơn 0,8 V

Để SCR chuyển từ trạng thái ngưng dẫn sang dẫn hoàn toàn sau khi được phân cực thuận và được kích dẫn còn phải:

• Duy trì tín hiệu kích

• Điện áp phân cực phải được tăng

• Dòng I_A đủ lớn

• Không cần thêm điều kiện nào.

Transistor công suất thường được sử dụng trong các mạch

• ⦁ Như các công tắc đóng ngắt các mạch điện

• ⦁ Mạch công suất lớn

• ⦁ Mạch chịu nhiệt độ cao

• ⦁ Mạch công suất có tần số cao