NanoElectr04_Наноелектронні діоди, селективне легування

NanoElectr04_Наноелектронні діоди, селективне легування

University

5 Qs

quiz-placeholder

Similar activities

Опрос

Опрос

9th Grade - University

10 Qs

История атомной отрасли

История атомной отрасли

University

10 Qs

Механічний рух

Механічний рух

7th Grade - University

10 Qs

Тест по теме занятия

Тест по теме занятия

University

10 Qs

Масса молекул. Количество вещества. Формулы

Масса молекул. Количество вещества. Формулы

10th Grade - University

10 Qs

Тепло

Тепло

8th Grade - University

8 Qs

№7 Зорі

№7 Зорі

University

7 Qs

Physics Russian group DOSTYQ

Physics Russian group DOSTYQ

KG - Professional Development

10 Qs

NanoElectr04_Наноелектронні діоди, селективне легування

NanoElectr04_Наноелектронні діоди, селективне легування

Assessment

Quiz

Physics

University

Practice Problem

Hard

Created by

Олег Оліх

FREE Resource

AI

Enhance your content in a minute

Add similar questions
Adjust reading levels
Convert to real-world scenario
Translate activity
More...

5 questions

Show all answers

1.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Media Image

Які частинки (квазічастинки) НЕ приймають участь у електрон-фононному розсіянні?

дірки

атоми у вузлах кристалічної гратки

фонони

домішкові атоми

2.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Media Image

Для наноелектронного діоду випрямляючий ефект спостерігається при русі електронів

у площині рисунка згори вниз

у площині рисунка справа наліво

перпендикулярно площині рисунка до нас

перпендикулярно площині рисунка від нас

3.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Media Image

Модуляційно-леговані структури забезпечують

зростання рухливості носіїв

періодичність рівня легування

зменшення електричного опору

здешевлення виробництва наноелектронних пристроїв

4.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Media Image

Електронна спорідненість позначена на рисунку цифрою

1

2

3

4

5.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Media Image

У HEMT використовуються шари напівпровідників

широкозонного та вузькозонного з однаковим рівнем легування

широкозонного та вузькозонного з різним типом легування

широкозонного сильнолегованого та вузькозонного слабколегованого

широкозонного слабколегованого та вузькозонного сильнолегованого