NanoElectr06_Тунелювання

Якщо енергія носія заряду перевищує висоту потенціального бар’єру, до якого цей носій доходить, то коефіцієнт проходження

• перевищує коефіцієнт відбивання

• менший, ніж коефіцієнт відбивання

• дорівнює коефіцієнту відбивання

• неможливо оцінити без додаткових даних

Що є неможливим?

• проходження частинки через два потенціальні бар’єри з коефіцієнтом відбивання рівним нулеві

• зміна повної енергії частинки під час тунелювання

• відбивання частинки при проходженні над потенціальною ямою

• перебування частинки в області, де її повна енергія менша, ніж потенціальна

Чи є несиметричною провідність резонансно-тунельного діоду?

• Так

• Ні

На рисунку зображено схему

• транзистора на гарячих електронах

• транзистора на гарячих електронах з резонансним тунелюванням

• резонансно-тунельного транзистора

• резонансно-тунельного діоду

Пристрої на гарячих електронах використовують здатність таких носіїв

• швидше рухатися

• проходити через бар’єри

• проходити над бар’єрами

• випромінювати надлишок енергії