NanoElectr06_Тунелювання
Authored by Олег Оліх
Physics
University
AI Actions
Add similar questions
Adjust reading levels
Convert to real-world scenario
Translate activity
More...
Content View
Student View
5 questions
Show all answers
1.
MULTIPLE CHOICE QUESTION
30 sec • 1 pt
Якщо енергія носія заряду перевищує висоту потенціального бар’єру, до якого цей носій доходить, то коефіцієнт проходження
перевищує коефіцієнт відбивання
менший, ніж коефіцієнт відбивання
дорівнює коефіцієнту відбивання
неможливо оцінити без додаткових даних
2.
MULTIPLE CHOICE QUESTION
30 sec • 1 pt
Що є неможливим?
проходження частинки через два потенціальні бар’єри з коефіцієнтом відбивання рівним нулеві
зміна повної енергії частинки під час тунелювання
відбивання частинки при проходженні над потенціальною ямою
перебування частинки в області, де її повна енергія менша, ніж потенціальна
3.
MULTIPLE CHOICE QUESTION
30 sec • 1 pt
Чи є несиметричною провідність резонансно-тунельного діоду?
Так
Ні
4.
MULTIPLE CHOICE QUESTION
30 sec • 1 pt
На рисунку зображено схему
транзистора на гарячих електронах
транзистора на гарячих електронах з резонансним тунелюванням
резонансно-тунельного транзистора
резонансно-тунельного діоду
5.
MULTIPLE CHOICE QUESTION
30 sec • 1 pt
Пристрої на гарячих електронах використовують здатність таких носіїв
швидше рухатися
проходити через бар’єри
проходити над бар’єрами
випромінювати надлишок енергії
Access all questions and much more by creating a free account
Create resources
Host any resource
Get auto-graded reports
Continue with Google
Continue with Email
Continue with Microsoft
or continue with
%20(1).png)
Apple
Others
By signing up, you agree to our Terms of Service & Privacy Policy
Already have an account?
