Câu Hỏi Trắc Nghiệm Điện Tử

Câu Hỏi Trắc Nghiệm Điện Tử

University

133 Qs

quiz-placeholder

Similar activities

Câu Hỏi Ôn Tập Mạng 141

Câu Hỏi Ôn Tập Mạng 141

University

138 Qs

Khoa học môi trường

Khoa học môi trường

University

136 Qs

cs trẻ em

cs trẻ em

University

132 Qs

tâm lý học đại  cương

tâm lý học đại cương

University

132 Qs

Ôn Tập Năng Lượng

Ôn Tập Năng Lượng

University

138 Qs

lttvd

lttvd

University

136 Qs

Kiểm nghiệm chất lượng nông sản. Chương 2 part 2

Kiểm nghiệm chất lượng nông sản. Chương 2 part 2

University

133 Qs

Câu hỏi Dược học Cổ truyền

Câu hỏi Dược học Cổ truyền

University

136 Qs

Câu Hỏi Trắc Nghiệm Điện Tử

Câu Hỏi Trắc Nghiệm Điện Tử

Assessment

Quiz

Science

University

Hard

Created by

29 11A14

FREE Resource

133 questions

Show all answers

1.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, nĕng lượng thất thoát trong thời gian khởi dẫn là

swoffSWON tIVW.. 6 1 =

swonSWON tIVW.. 6 1 =

swonSWON tIVW.. 3 1 =

swoffSWON tIVW.. 3 1 =

2.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, nĕng lượng thất thoát trong thời gian khởi ngưng là

swoffSWOFF tIVW.. 6 1 =

swonSWOFF tIVW.. 6 1 =

swonSWOFF tIVW.. 3 1 =

swoffSWOFF tIVW.. 3 1 =

3.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, nĕng lượng thất thoát trong một chu kǶ giao hoán là

() swoffswonSW ttIVW+=. 3 1

() swoffswonSW ttIVW+=. 6 1

() swoffswonSW ttIVW+=. 2 1

() swoffswonSW ttIVW+=.

4.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, công suất tiêu tán trong một chu kǶ giao hoán là

() fttVIP swoffswonSW+=

() fttVIP swoffswonSW+=

(fttVIP swoffswonSW+=

() fttVIP swoffswonSW+=

5.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Công suất thất thoát tổng cộng của một diode được tính

SWOFFONT PPPP++= T t IVP on FFT =

T t IVP off RRT =

fttIVP swoffswonFFT)( maxmax +=

6.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Transistor công suất (BJT) được xem như là một công tắc bán dẫn có khả nĕng chịu được dòng điện lớn nên điện tính trong vùng phát phải thật lớn vì thế

Transistor được thiết kế độ rộng vùng phát hẹp để giảm điện trở nền ký sinh

Transistor có cấu

7.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

bán dẫn có khả nĕng chịu được dòng điện lớn nên điện tính trong vùng phát phải thật lớn vì thế (D)

Transistor được thiết kế độ rộng vùng phát hẹp để giảm điện trở nền ký sinh

Transistor có cấu trúc xen kẻ (interdigitated structure) của nhiều cực nền và cực phát

Transistor có điện trở cực phát rất nhỏ

Các câu a, b, c đều đúng

Create a free account and access millions of resources

Create resources
Host any resource
Get auto-graded reports
or continue with
Microsoft
Apple
Others
By signing up, you agree to our Terms of Service & Privacy Policy
Already have an account?