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Eval. Sist Elec 3UD.

Authored by VICTOR MANUEL ANDREU BLAZQUEZ

Engineering

11th Grade

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Eval. Sist Elec 3UD.
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1.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Media Image

El dispositivo capaz de transformar la onda superior en la inferior se denomina

Rectificador de media onda

Rectificador de doble onda

Rectificador de onda completa

Puente de bobinas

2.

MULTIPLE SELECT QUESTION

45 sec • 2 pts

Un transistor MOSFET y BJT (bipolar) se diferencian en:

BJT es Controlado por corriente;

MOSFET Controlado por voltaje

BJT es más lento que el MOSFET.

En el MOSFET la corriente fluye de base a emisor, sumándose a la corriente de emisor a colector, en el BJT no.

BJT es capaz de amplificar corriente al tener ganancia.

3.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Varia la resistencia de forma mecánica:

Fotorresistor

Resistencia

Potenciómetro

Fotocélula

4.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Media Image

A qué tipo de componente se refiere la imagen:

Didodo tiristor

Transistor Mosfet

Transistor NPN

Transistor PNP

5.

MULTIPLE SELECT QUESTION

45 sec • 1 pt

Media Image

¿Qué representa la siguiente gráfica?

Es la curva de trabajo del Transistor bipolar

Representa la Curva característica de un Diodo.

En conexión directa poca tensión permite mucho paso de corriente.

Es el ciclo de trabajo de un fototransistor.

6.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 2 pts

Media Image

En la figura, Vf tiene el valor típico. ¿Cuál es el valor de la corriente que fluye por el circuito?

20 mA

2 A

1.5 mA

10 mA

7.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Teniendo en cuenta que b = base, c = colector y e = emisor. Las zonas de trabajo del transistor bipolar son:

Corte (0 < Vbe < 0.7V)

Saturación (Vce = 0)

Activa (Vbe = 0.7)

Saturación (Vce =0)

Inversa (Vbe = 0)

Directa (Vbe = 0.7)

Activa (0 < Vbe < 0.7V)

Corto (Ic máxima)

Amplificador (Ib*Beta)

Inversa (Vbe máxima)

Corte (Vbe = 0)

Directa (Vbe = 0.7)

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