электроника 81-161

Располагается уровень Ферми у невырожденных примесных полупроводников n-типа;

• в запрещенной вблизи зоны проводимости

• посредине запрещенной зоны

• в валентной зоне

• в зоне проводимости

• в запрещенной вблизи валентной зоны

Укажите величину барьерной емкости p-n – перехода конденсатора

• 1000 нФ

• 1000 пФ

• 10 пФ

• 0,1 мкФ

• 0,033 мкФ

Чему равна энергетическая ширина запрещенной зоны кремния?

• 0,47 эВ

• 0,74 эB

• 1,1 эВ

• 1,54 эВ

• 0,67 эВ

Что такое модуляция толщины базы коллекторным напряжением?

• изменение толщины базы из-за влияния коллекторного напряжения на концентрацию подвижных носителей в базе

• изменение толщины базы из-за влияния коллекторного напряжения на ширину эмиттерного перехода

• пробой

• изменение толщины базы при изменении коллекторного напряжения вследствие изменения ширины коллекторного перехода

• влияние коллекторного напряжения на толщину базы в области вывода базы

Чтобы получить полупроводник n – типа атомы какого элемента нужно внедрить внутрь полупроводника?

• серебра

• золота

• индия

• железа

• фосфора

Применяются опорные диоды?

• для выпрямления переменного тока

• для преобразования частоты

• для генерирования незатухающих колебаний

• для усиления слабых сигналов

• для стабилизации напряжения

Где больше концентрация подвижных носителей, в области p-n – перехода или прилегающих к нему областях полупроводника?

• в области p-n – перехода

• в прилегающих к p-n – переходу областях полупроводников

• примерно одинаково

• в прилегающей p – области

• в прилегающей n – области

Чтобы получить полупроводник p – типа атомы какого элемента нужно внедрить внутрь полупроводника?

• золота

• серебра

• индия

• фосфора

• железа

Какой величины емкость электролитического конденсатора сглаживающего фильтра?

• 1÷10 мкФ

• 100÷1000 пФ

• 0,01÷0,033 мкФ

• 100÷1000 мкФ

• 100÷1001 нФ

От чего зависит проводимость примесных полупроводников?

• нет правильного ответа

• от вида примесей

• от полярности приложенного напряжения

• от направления протекающего тока

• от концентрации примесей