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Cuestionario Memoria

Total questions: 28

Worksheet time: 56mins

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1.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones sobre la memoria caché L1 es cierta?

a)

– Es una memoria de tipo caché con mayor velocidad, velocidad próxima a la de la CPU, pero de espacio de almacenamiento reducido.

b)

– Es una memoria de tipo caché con velocidad intermedia entre la velocidad del procesador y la memoria RAM.

c)

Es una memoria de tipo caché con velocidad más parecida a la velocidad de la memoria RAM.

d)

– Es una memoria de tipo caché con mayor velocidad, velocidad próxima a la de la CPU, pero de espacio de almacenamiento muy grande.

2.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones sobre la Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio es cierta?

a)

– Es una memoria SRAM construida a base de condensadores.

b)

– Es una memoria DRAM construida a base de biestables.

c)

– Es una memoria SRAM construida a base de biestables.

d)

– Es una memoria DRAM que necesita ser refrescada cada cierto tiempo.

3.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones sobre la Memoria Estática de Acceso Aleatorio es cierta?

a)

Es una memoria SRAM construida a base de condensadores

b)

Es una memoria DRAM construida a base de biestables

c)

Es una memoria SRAM construida a base de biestables

d)

Es una memoria DRAM que necesita ser refrescada cada cierto tiempo.

4.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones sobre las memorias EPROM y EEPROM es falsa?

a)

Son dos tipos de memorias de solo lectura

b)

La memoria EPROM no se puede borra mientras que la EEPROM si.

c)

En la memoria EEPROM las palabras almacenadas en memoria se pueden borrar de forma individual mientras que en la EPROM se hace un borrado completo de toda la memoria.

d)

En la memoria EPROM se requiere un dispositivo especial para grabar o borrar la información mientras que en la EEPROM no.

5.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones sobre los registros es falsa?

a)

Están integrados en el mismo chip del procesador

b)

Es una memoria que se sitúa entre la memoria Cache L1 y la memoria principal

c)

El registro es el espacio de memoria que se encuentra dentro del procesador

d)

Se utilizan celdas de memoria de tipo estático, SRAM, para su implementación

6.

¿Cuál de las siguientes memorias utilizan ambos flancos, del ciclo de reloj, para realizar las operaciones de lectura y escritura?

a)

SDRAM

b)

EDO

c)

DDR SDRAM

d)

FPM

7.

Cuáles de las siguientes afirmaciones sobre el ciclo de reloj o velocidad del bus de las memorias es cierta:

a)

Marca la pauta para realizar una operación.

b)

A menor frecuencia mayor número de operaciones.

c)

Sólo tiene sentido en memorias asíncronas.

d)

Todas las anteriores son correctas.

8.

Cuáles de las siguientes afirmaciones sobre ‘la Velocidad efectiva’ es correcta:

a)

Sólo tiene sentido en memorias asíncronas.

b)

Es generalmente calculado por la multiplicación del ancho del bus de datos por la frecuencia con la que transfiere datos.

c)

Es la latencia de una memoria.

d)

Cuando se utilizan los flancos de subida y bajada, de un ciclo de reloj, para realizar operaciones en cada uno de ellos.

9.

El número de ciclos de reloj que transcurren desde que la petición de datos es enviada hasta que los datos son transmitidos desde el módulo es:

a)

Velocidad efectiva.

b)

Ancho de Banda.

c)

Latencia

d)

Velocidad Física

e)

Velocidad de la luz

10.

El Tiempo de Ciclo de Memoria es:

a)

a Segundos que tarda en ejecutar un ciclo de reloj

b)

b Tiempo que se transcurre desde que comienza una lectura o escritura hasta que se puede iniciar la siguiente.

c)

c Tiempo de acceso + tiempo de regeneración

d)

d La B y C son correctas.

e)

e La A y la C son correctas.

11.

En la memoria nos encontramos con:

a)

Un registro de dirección de memoria y otro de instrucción

b)

Un registro de dirección de memoria y otro de información de memoria.

c)

Un registro de instrucción y otro de control

d)

La ALU

12.

La capacidad que posea el microprocesador para el direccionamiento de direcciones en memoria es determinada por:

a)

La velocidad del microprocesador

b)

El ancho del bus de datos

c)

El ancho del bus de direcciones

d)

Depende de la ALU

13.

La memoria de solo lectura que es programable y borrable eléctricamente es:

a)

La EPROM

b)

La ROM

c)

La PROM

d)

La EEPROM

e)

La PRON

14.

La Memoria Principal es una memoria:

a)

De solo lectura

b)

Volátil

c)

Donde se almacena información de forma permanente

d)

Todas las anteriores son correctas

15.

Las memorias que necesitan ser refrescadas cada cierto tiempo:

a)

Están fabricadas con Biestables

b)

Están fabricadas con Condensadores

c)

Son memorias SRAM

d)

Son utilizadas para dispositivos de almacenamiento secundario

16.

¿Qué afirmación sobre la memoria RAM SIMPLE, DUAL, TRIPLE es falsa?

a)

Es la agrupación en un mismo encapsulado de memoria de uno, dos o tres chip de memoria.

b)

Son tecnologías que permiten acceder a varios módulos de memoria al mismo tiempo.

c)

El controlador de memoria que maneja estas memorias antiguamente se encontraba sobre la placa base y en los micros modernos ya está integrado.

d)

Aunque su controlador de memoria se encarga de todo y en los micros modernos se encuentra dentro del procesador, la placa base tiene que tener las líneas necesarias para poder llevar la información.

17.

¿Qué afirmación sobre la memoria SRAM es falsa?

a)

Esta memoria es capaz de mantener los datos, mientras esté alimentada, sin necesidad de circuito de refresco.

b)

La memoria SRAM es más cara, pero más rápida y con un menor consumo (especialmente en reposo) que la memoria DRAM.

c)

Son memorias muy veloces, pero tienen poca capacidad de almacenamiento.

d)

Es una memoria Estática de Acceso Aleatorio construida a base de condensadores.

18.

¿Qué es la latencia RAS?

a)

Latencia al activar el tablero de memoria.

b)

Latencia al activar la fila.

c)

Latencia al activar la celda.

d)

Latencia al desactivar el tablero de memoria.

19.

¿Qué es la memoria PROM?

a)

Es una memoria ROM que se programa durante el proceso de fabricación.

b)

Es una memoria de lectura y escritura programable.

c)

Es una memoria de solo lectura programable por el usuario pero sólo una vez.

d)

Es una memoria de solo lectura programable por el usuario, pudiéndose programar y borrar las veces que se desee.

20.

Si tenemos una memoria DDR200 ¿Cuál sería su nomenclatura PCXXXX?

a)

PC1600

b)

PC2100

c)

PC2700

d)

PC3200

e)

PC400

21.

Si tenemos una memoria de 133 MHz ¿Cuántos segundos tarda en ejecutar un ciclo de reloj?

a)

1 segundo

b)

0,5 segundos

c)

7,5 ns

d)

133 ns

22.

¿Qué es la memoria ROM?

a)

Es una memoria que se programa durante el proceso de fabricación y no se puede borrar

b)

Es una memoria de lectura y escritura programable

c)

Es una memoria de solo lectura programable por el usuario pero sólo una vez

d)

Es una memoria de solo lectura programable por el usuario, pudiéndose programar y borrar las veces que se desee

23.

¿Qué es la latencia CAS?

a)

Latencia al activar el tablero de memoria.

b)

Latencia al activar la fila.

c)

Latencia al activar la celda.

d)

Latencia al desactivar el tablero de memoria.

e)

Ninguna de las anteriores.

24.

¿Qué es la latencia KAS?

a)

Latencia al activar el tablero de memoria.

b)

Latencia al activar la fila.

c)

Latencia al activar la celda.

d)

Latencia al desactivar el tablero de memoria.

e)

Ninguna de las anteriores.

25.

¿Qué afirmación sobre la memoria SRAM es falsa?

a)

Esta memoria es capaz de mantener los datos, mientras esté alimentada, sin necesidad de circuito de refresco

b)

La memoria SRAM es más cara, pero más rápida y con un menor consumo (especialmente en reposo) que la memoria DRAM

c)

Son memorias muy veloces, pero tienen poca capacidad de almacenamiento

d)

Es una memoria Estática de Acceso Aleatorio construida a base de condensadores

26.

¿Qué afirmación sobre el Tiempo de Ciclo de Memoria es cierta?

a)

Son los segundos que tarda en ejecutar un ciclo de reloj.

b)

Es el tiempo que se transcurre desde que comienza una lectura o escritura hasta que se puede iniciar la siguiente.

c)

No existe el Tiempo de Ciclo de Memoria es el Tiempo de Acceso de las memorias

d)

Es el tiempo que tarda en realizar una operación de lectura o escritura, es decir, el tiempo que transcurre desde el instante en el que se presenta una dirección a la memoria hasta que el dato, o ha sido memorizado o está disponible para su uso

27.

¿Qué afirmación sobre DUAL, TRIPLE O QUAD CHANNEL en memorias RAM es falsa?

a)

Son tecnologías que permiten agrupar en un mismo encapsulado de memoria dos, tres o cuatro chip de memoria.

b)

Son tecnologías que permiten acceder a varios módulos de memoria al mismo tiempo

c)

Para poder usar esta tecnología tiene que estar soportado por el microprocesador

d)

Para poder usar esta tecnología tiene que estar soportado por la placa base

28.

Las memorias que no necesitan ser refrescadas cada cierto tiempo:

a)

Están fabricadas con Biestables

b)

Están fabricadas con Condensadores

c)

Son memorias DRAM

d)

Son las utilizadas como memoria principal en los ordenadores.