Wayground logo

Free Printable Worksheets

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

UC_Sprawdzian

Total questions: 15

Worksheet time: 15mins

Name
Class
Date
1.

Pamięć EEPROM jest kasowana:

a)

Promieniami UV

b)

Elektrycznie

c)

Promieniami X

2.

Stan Pamięci ROM

a)

Jest określony w czasie produkcji układu scalonego

b)

Może go zmienić użytkownik

c)

Jest to pamięć ulotna

3.

Pamięć PROM

a)

Może być kasowana przez użytkownika

b)

Potrzebny jest specjalny programator do programowania

c)

Można ją przeprogramować

4.

Pamięć EPROM z okienkiem kwarcowym

a)

Jest zawsze kasowana za pomocą promieni Rentgena

b)

Może być kasowana za pomocą promieni UV

c)

Można ją skasować w ciągu 1 sekundy

5.

Pamięć EEPROM Flash

a)

Potrzebuje 15 min na skasowanie

b)

Wymaga kasowania pojedynczych bajtów

c)

Można ją skasować szybciej niż EEPROM

6.

Pamięć SRAM zbudowana jest zwykle:

a)

Z samych tranzystorów

b)

Z tranzystorów i kondensatorów miniaturowych

c)

wymaga odświeżania, bo jest to pamięć statyczna

7.

Pamięć DRAM

a)

Zbudowana jest z multiplekserów

b)

Nazywa się dynamiczną dlatego, że wymaga odświeżania

c)

Wymaga odświeżania, bo multipleksery nie zapamiętują bitów

8.

Bramka trójstanowa pracuje w 3 stanach

a)

niskim, wysokim i nieokreślonym

b)

wysokim, niskim i zwarcia na wyjściu

c)

niskim, wysokim i wysokiej impedancji(Z)

9.

Doprowadzona do pamięci linia CE

a)

aktywuje zegar

b)

aktywuje dany układ pamięci

c)

aktywuje wyjście danych

10.

Linia WE doprowadzona do pamięci

a)

aktywuje możliwość odczytu

b)

aktywuje możliwość zapisu

c)

kasuje całą pamięć

11.

Czas dostępu pamięci asynchronicznej to czas jaki upłynie:

a)

od narastającego zbocza zegara do pojawienia się danych na wyjściu

b)

od pojawienia się nowego adresu do pojawienia się danych na wyjściu z komórki pamięci o tym adresie

c)

od narastającego zbocza zegara do pojawienia się sygnału OE(Output Enable na wyjściu)

d)

od pojawienia się sygnału WE (Write Enable) do pojawienia się sygnału OE(Output Enable)

12.

Czas blokowania liczony jest od

a)

zmiany stanu wejścia wybierającego układ (CS lub CE) do przejścia wyjść w stan wysokiej impedancji Z.

b)

zmiany stanu sygnału OE (włączanie wyjścia) do pojawienia się sygnału WE (umożliwianie zapisu)

c)

od resetu do zbocza narastającego zegara

13.

W celu zwiększenia pojemności pamięci 1kB na 2 kB możemy połączyć dwa układy pamięciowe o organizacji komórek 8-bitowej:

a)

rozszerzając magistralę adresową

b)

rozszerzając magistralę danych

c)

nie wolno łączyć takich pamięci

14.

Jeżeli mamy układy pamięciowe 32-bitowe, a chcemy uzyskać pamięć 64-bitową o tej samej ilości adresów możemy rozszerzyć przez odpowiednie ich połączenie :

a)

magistrale adresowe

b)

magistrale danych

c)

magistrale danych i adresową

d)

nie wolno łączyć takich pamieci

15.

Czasem cyklu nazywamy czas

a)

między kolejnymi prawidłowymi odczytami lub zapisami do pamięci

b)

między czasem odczytu a zapisu do pamięci

c)

między czasem zapisu a odczytu do pamięci

d)

między resetem a sygnałem aktywowania ukłdu pamięci CE