WorksheetsUC_Sprawdzian
Total questions: 15
Worksheet time: 15mins
Pamięć EEPROM jest kasowana:
Promieniami UV
Elektrycznie
Promieniami X
Stan Pamięci ROM
Jest określony w czasie produkcji układu scalonego
Może go zmienić użytkownik
Jest to pamięć ulotna
Pamięć PROM
Może być kasowana przez użytkownika
Potrzebny jest specjalny programator do programowania
Można ją przeprogramować
Pamięć EPROM z okienkiem kwarcowym
Jest zawsze kasowana za pomocą promieni Rentgena
Może być kasowana za pomocą promieni UV
Można ją skasować w ciągu 1 sekundy
Pamięć EEPROM Flash
Potrzebuje 15 min na skasowanie
Wymaga kasowania pojedynczych bajtów
Można ją skasować szybciej niż EEPROM
Pamięć SRAM zbudowana jest zwykle:
Z samych tranzystorów
Z tranzystorów i kondensatorów miniaturowych
wymaga odświeżania, bo jest to pamięć statyczna
Pamięć DRAM
Zbudowana jest z multiplekserów
Nazywa się dynamiczną dlatego, że wymaga odświeżania
Wymaga odświeżania, bo multipleksery nie zapamiętują bitów
Bramka trójstanowa pracuje w 3 stanach
niskim, wysokim i nieokreślonym
wysokim, niskim i zwarcia na wyjściu
niskim, wysokim i wysokiej impedancji(Z)
Doprowadzona do pamięci linia CE
aktywuje zegar
aktywuje dany układ pamięci
aktywuje wyjście danych
Linia WE doprowadzona do pamięci
aktywuje możliwość odczytu
aktywuje możliwość zapisu
kasuje całą pamięć
Czas dostępu pamięci asynchronicznej to czas jaki upłynie:
od narastającego zbocza zegara do pojawienia się danych na wyjściu
od pojawienia się nowego adresu do pojawienia się danych na wyjściu z komórki pamięci o tym adresie
od narastającego zbocza zegara do pojawienia się sygnału OE(Output Enable na wyjściu)
od pojawienia się sygnału WE (Write Enable) do pojawienia się sygnału OE(Output Enable)
Czas blokowania liczony jest od
zmiany stanu wejścia wybierającego układ (CS lub CE) do przejścia wyjść w stan wysokiej impedancji Z.
zmiany stanu sygnału OE (włączanie wyjścia) do pojawienia się sygnału WE (umożliwianie zapisu)
od resetu do zbocza narastającego zegara
W celu zwiększenia pojemności pamięci 1kB na 2 kB możemy połączyć dwa układy pamięciowe o organizacji komórek 8-bitowej:
rozszerzając magistralę adresową
rozszerzając magistralę danych
nie wolno łączyć takich pamięci
Jeżeli mamy układy pamięciowe 32-bitowe, a chcemy uzyskać pamięć 64-bitową o tej samej ilości adresów możemy rozszerzyć przez odpowiednie ich połączenie :
magistrale adresowe
magistrale danych
magistrale danych i adresową
nie wolno łączyć takich pamieci
Czasem cyklu nazywamy czas
między kolejnymi prawidłowymi odczytami lub zapisami do pamięci
między czasem odczytu a zapisu do pamięci
między czasem zapisu a odczytu do pamięci
między resetem a sygnałem aktywowania ukłdu pamięci CE
