Font size
WorksheetsDEM final
Total questions: 25
Worksheet time: 13mins
Alegeți afirmațiile corecte:
electronii au sarcină pozitivă
toată masa atomului este concentrată în nucleu
sarcina elementară este q0= 1,6·10-19C
electronii se pot roti în jurul nucleului pe orice orbită
masa electronului este m0=9,1·10-27kg
La trecerea unui electron de pe un nivel energetic inferior pe un nivel energetic superior are loc:
ionizarea atomului
absorbția unui cuant de energie
formarea unei legături covalente
ruperea unei legături covalente
emisia unui cuant de energie
semiconductorii sunt materialele care:
au banda interzisă între 5-7eV
sunt de obicei tetravalente
în condiții normale conduc slab curentul electric
rezistența lor crește o dată cu temperatura
atomii acestora formează legături covalente
Ruperea unei legături covalente este însoțită de:
recombinarea electronilor cu golurile
generarea unei perechi electron-gol
reducerea numărului de purtători mobili
absorbția unei energii egale cu energia de activare
creșterea concentrației purtătorilor mobili
Impuritățile pot fi:
intrinseci
donoare
de tip n
acceptoare
extrinseci
Semiconductorii pot fi:
de tip p
introverte
de tip i
extrinseci
acceptori
joncțiunea p-n are următoarele proprietăți:
rezistența depinde de tensiunea de polarizare
curentul direct este datorat difuziei purtătorilor majoritari
conduce curentul electric într-o singură direcție
nu posedă capacitate
rezistența inversă este de ordinul 100Ω
Într-un semiconductor, curentul este format:
numai din electroni
numai din goluri
din ioni negativi
atât din electroni, cât şi din goluri
din atomii de impuritate
La polarizarea directă a unei joncţiuni pn:
curent este cel de goluri
curent este cel produs de purtătorii majoritari
curent este cel de electroni
curentul este produs de purtătorii minoritari
într-un semiconductor de tip n, golurile sunt:
purtători minoritari generaţi termic
purtători minoritari generaţi prin dopare
purtători majoritari generaţi termic
purtători majoritari generaţi prin dopare
concentrația golurilor este egală cu concentrația electronilor liberi
Străpungerea unei joncțiuni poate fi:
termică
directă
electrică
bilaterală
inversă
Dioda redresoare are funcția de a:
emite lumină
conduce curentul electric numai într-o singură direcție
stabiliza tensiunea
se opune trecerii curentului electric
transforma semnalul alternativ în semnal continuu
Diodele Zener utilizează proprietatea joncțiunii p-n:
conduce univoc curentul
prezintă o capacitate dependentă de tensiunea de alimentare
are în regim de străpungere o tensiune practic constantă într-un domeniul larg de variație a curentului invers
stabilizează tensiunea
rezistența depinde puternic de tensiunea de polarizare
Terminalele unei diode se numesc:
Anod și masa
Bază și catod
Anod și catod
Emitor și colector
Emitor și grilă
Fie o diodă din siliciu este conectată ca în fig. alăturată, cu ce este agala tensiunea UAB?
0,7V
0,3V
5,3V
4,3V
4,7V
Alegeți caracteristicile tipice ale tranzitoarelor:
sunt considerate convertoare de energie
sunt capabile să amplifice semnalele electrice
sunt formate din 3 sau mai multe joncțiuni p-n
reprezintă dispozitive cu 3 borne
Electrozii unui tranzistor bipolar se numesc:
Emitor, colector, bază
Emitor, colector, masă
Sursă. drenă, grilă
Anod, catod, masă
Emitor, drenă, grilă
Dacă ambele joncțiuni ale unui tranzistor bipolar sunt conectate invers atunci:
curentul prin tranzistor este suficient de mare, însă nu maximal
prin tranzistor circulă curenți reziduali extrem de mici
căderea de tensiune pe tranzistor este extrem de mică 0,2 - 0,3V
rezistența tranzistorului este foarte mare
curentul de ieșire depinde puternic de curentul de intrare
Pentru ca un tranzistor bipolar să amplifice semnalele electrice se impun condițiile:
să fie utilizată conexiunea cu emitor comun
să fie asigurat regimul activ normal
să existe o rezistență în circuitul de ieșire
colectorul să fie polarizat direct iar emitorul invers
Dacă coeficientul β a unui tranzistor este de 99 atunci α va fi egal cu:
100
0,96
0,99
0,1
Alegeți tranzistoarele cu efect de câmp
În structura tranzistoarelor unipolare canalul reprezintă:
regiunea cu cea mai mare suprafață
regiunea dintre sursă și poartă
regiunea în care se formează curentul prin tranzistor
punctul de evacuare a sarcinilor din canal
punctul de intrare a purtătorilor în tranzistor
Spre deosebire de tranzistoarele bipolare, tranzistoarele unipolare:
sunt comandate în tensiune
frecvența de lucrul este mult mai mare
curentul de comandă este mult mai mic
au gabarite mai mari
sunt mai ușor de manipulat
Conductanța canalului depinde de:
de lungimea canalului
secțiunea efectivă a canalului
tensiunea aplicată la capetele canalului
concentrația purtătorilor mobili din canal
valoarea curentului din canal
Structura cărui tranzistor este reprezentată în figură:
TEC-MOS cu canal indus de tip N
TEC-MOS cu canal propriu de tip N
TEC cu joncțiune de comandă
TEC-MOS cu canal indus de tip P
TB de tip NPN
