wayground logo

Free Printable Worksheets

NEW

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

Power Electronics ข้อสอบ กว Part1

Total questions: 50

Worksheet time: 25mins

Name
Class
Date
1.

สิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำที่ใช้เป็นสวิตช์กำลังในงานอิเล็กทรอนิกส์กำลัง ที่สามารถนำกระแสได้ 2 ทาง ได้แก่

a)

IGBT, SCR

b)

SCR, GTO

c)

GTO, MOSFET

d)

MOSFET, BJT

2.

สิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำที่ใช้เป็นสวิตช์กำลังในงานอิเล็กทรอนิกส์กำลัง ที่ใช้งานที่ความถี่ไม่เกิน 10 kHz

a)

IGBT, SCR

b)

SCR, GTO

c)

GTO, MOSFET

d)

MOSFET, BJT

3.

สิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำที่ใช้เป็นสวิตช์กำลังในงานอิเล็กทรอนิกส์กำลังที่ให้ความถี่สูงที่สุด ได้แก่

a)

MOSFET, IGBT

b)

IGBT, SCR

c)

SCR, GTO

d)

GTO, BJT

4.

สิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำที่ใช้เป็นสวิตช์กำลังในงานอิเล็กทรอนิกส์กำลังที่ใช้เป็นสวิตช์กำลังที่ให้กำลังสูงสุดได้แก่อุปกรณ์ชนิดใด

a)

MOSFET, IGBT

b)

IGBT, SCR

c)

SCR, GTO

d)

GTO, BJT

5.

สิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำที่ใช้เป็นสวิตช์กำลัง ที่สามารถนำกระแสไฟได้โดยไม่จำเป็นต้องคงสัญญาณขับนำไว้ตลอดเวลาหลังจากการขับครั้งแรก ได้แก่

a)

MOSFET, IGBT

b)

IGBT, SCR

c)

SCR, GTO

d)

GTO, BJT

6.

คุณลักษณะใดที่ใช้จำแนกประเภทของ Thyristors เป็น Phase-Control Thyristors กับ Inverter-Grade Thyristors

a)

พิกัดกระแส

b)

พิกัดแรงดัน

c)

ช่วงเวลาการตัดวงจร (turn-off time)

d)

กระแสยึด (Holding Current)

7.

ข้อใดอธิบายวิธีการทำให้เอสซีอ์หยุดนำกระแสได้อย่างถูกต้อง

a)

หยุดป้อนสัญญาณพัลส์เข้าที่ขาเกตของเอสซีอาร์

b)

ป้อนสัญญาณพัลส์ลบเข้าที่ขาเกตของเอสซีอาร์ ในขณะที่เอสซีอาร์ได้รับแรงดันรีเวอร์ส

c)

ลดกระแสที่ผ่านเอสซีอาร์ให้ต่ำกว่ากระแสยึด (Holding Current) นานเป็นเวลามากกว่า turn-off time

d)

ป้อนสัญญาณพัลส์บวกเข้าที่ขาเกตของเอสซีอาร์ ในขณะที่เอสซีอาร์ได้รับแรงดันรีเวอร์ส

e)

ถูกทุกข้อ

8.

ข้อใดกล่าวอ้างถึงความแตกต่างของคุณลักษณะระหส่าง มอสเฟตกำลัง กับ ไอจีบีที ได้อย่างถูกต้อง

a)

ไอจีบีทีควบคุมด้วยกระแส ส่วนมอสเฟสควบคุมด้วยแรงดัน

b)

ไอจีบีทีมีความเร็วในการสวิตช์สูงกว่ามอสเฟต

c)

ไอจีบีทีมีพิกัดกำลังที่สูงกว่ามอสเฟต

d)

ไอจีบีทีควบคุมด้วยแรงดัน สวนมอสเฟตควบคุมด้วยกระแส

9.

ไดโอดชนิด Fast Recovery เหมาะกับงานประเภทใดต่อไปนี้

a)

วงจรเรียงกระแสที่ด้านอินพุตเป็นไฟบ้าน

b)

แหล่งจ่ายไฟแบบเชิงเส้น (Linear power supply)

c)

แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง (Switching power supply)

d)

วงจรที่ใช้ระดับแรงต่ำ ๆ

10.

GTO มีคุณสมบัติเด่นในเรื่องใด

a)

พิกัดกระแสสูง

b)

พิกัดแรงดันสูง

c)

การทำให้หยุดนำกระแสได้

d)

การทำให้นำกระแสได้ 2 ทาง

11.

อุปกรณ์ใดที่ไม่สามารถป้อนสัญญาณควบคุมเพื่อให้หยุดนำกระแส

a)

MOSFET

b)

IGBT

c)

SCR

d)

GTO

12.

อุปกรณ์ใดที่ทนแรงดันได้ทิศทางเดียว ไม่ว่าจะมีขนาดใหญ่หรือเล็กก็ตาม

a)

SCR

b)

BJT

c)

GTO

d)

MOSFET

13.

IGBT เป็นอุปกรณ์ที่มีโครงสร้างคล้ายกับการนำเอาอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สองอย่างมาประกอบร่วมกัน อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สองอย่างนั้นคืออะไร

a)

SCR-DIODE

b)

BJT-SCR

c)

MOSFET-SCR

d)

BJT-MOSFET

14.

อุปกรณ์ใดเมื่อมีการเปลี่ยนแปลงแรงดันตกคร่อมอย่างรวดเร็ว ( dv

/dt สูง) จะทำให้นำกระแสได้เอง

a)

SCR

b)

IGBT

c)

BJT

d)

MOSFET

15.

เรียงลำดับความมสามารถในการทนแรงดันย้อนกลับสูงสุด (Maximum reverse blocking voltage) จากมากไปน้อย ระหว่าง IGBT,

MOSFET และ GTO

a)

IGBT, MOSFET, GTO

b)

MOSFET, IGBT, GTO

c)

GTO, MOSFET, IGBT

d)

GTO, IGBT, MOSFET

16.

เรียงลำดับความถี่สวิตชิ่งสูงสุด (Maximum switching frequency) จากต่ำหาสูง ระหว่าง IGBT, MOSFET และ GTO

a)

IGBT, MOSFET, GTO

b)

MOSFET, IGBT, GTO

c)

GTO, MOSFET, IGBT

d)

GTO, IGBT, MOSFET

17.

เปรียบเทียบระหว่าง MOSFET และ IGBT ที่มีความสามารถเท่ากันในการนำกระแสสูงสุด (Maximum conduction current) และ ทนแรงดันย้อนกลับสูงสุด (Maximum reverse blocking voltage) ในขณะที่นำกระแสเท่า ๆ กัน ความสูญเสียของ MOSFET

เมื่อเปรียบเทียบกับของ IGBT จะ

a)

มากกว่า

b)

เท่ากัน

c)

น้อยกว่า

d)

ถูกทั้ง 1 และ 2

18.

ในบรรดาอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลัง สารกึ่งตัวนำที่มี body diode อยู่ในโรงสร้าง คืออุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังตัวใด

a)

IGBT

b)

MOSFET

c)

GTO

d)

SCR

e)

ไม่มีข้อถูก

19.

จงเรียงพิกัดความถี่ใช้งานของอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำต่อไปนี้ จากความถี่ใช้งานต่ำสุดไปถึงความถี่ใช้งานสูงสุด

a)

Thyristor, IGBT, BJT, MOSFET

b)

IGBT, BJT, MOSFET, thyristor

c)

Thyristor, MOSFET, BJT, IGBT

d)

Thyristor, BJT, IGBT, MOSFET

20.

จงเรียงลำดับแรงดันใช้งานของอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำต่อไปนี้ จากแรงดันต่ำสุดไปหาแรงดันสูงสุด

a)

SCR, BJT, IGBT, MOSFET

b)

Thyristor, GTO, MOSFET, IGBT

c)

MOSFET, IGBT, BJT, Thyristor

d)

IGBT, BJT, SCR, MOSFET

21.

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังชนิดใดที่มีพิกัดกำลังไฟฟ้าสูงสุด

a)

BJT

b)

IGBT

c)

SCR

d)

MOSFET

22.

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังชนิดใดที่มีคุณสมบัติค่าสัมประสิทธิ์ของความต้านทานเป็นแบบ positive temperature coefficient

a)

POWER DIODE

b)

TRANSISTOR

c)

SCR

d)

POWER MOSFET

23.

อุปกรณ์ที่มี Switching Speed สูงที่สุดคือ ….. และอุปกรณ์ที่ควบคุมด้วยแรงดันคือ .....

a)

MOSFET, IGBT

b)

Thyristor, IGBT

c)

MOSFET, BJT

d)

BJT, IGBT

24.

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังที่มีพิกัดกำลังงานไฟฟ้าสูงที่สุดคืออุปกรณ์ชนิดใด .....และอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังที่ควบคุมด้วยกระแสคืออุปกรณ์ชนิดใด

a)

MOSFET, IGBT

b)

Thyristor, IGBT

c)

MOSFET, BJT

d)

Thyristor,BJT

25.

อุปกรณ์ที่มีพิกัดกำลังงานไฟฟ้าต่ำที่สุดคือ ..... และอุปกรณ์ที่ควบคุมด้วยกระแสคือ .....

a)

MOSFET, IGBT

b)

Thyristor, IGBT

c)

MOSFET, BJT

d)

BJT, IGBT

e)

Thyristor,BJT

26.

อุปกรณ์ที่นิยมใช้ความถี่ทั่วไป (50Hz) คือ ..... และอุปกรณ์ที่วงจรควบคุมที่มีความยุ่ยากในการสร้างคือ .....

a)

MOSFET, IGBT

b)

Thyristor, IGBT

c)

Thyristor, BJT

d)

BJT, IGBT

27.

อุปกรณ์ที่มีความเหมาะสมสำหรับการใช้งานที่ความถี่สวิตช์ไม่เกิน 20kHz และต้องขับโหลดที่พิกัดกระแสสูง ๆ คือ

a)

MOSFET

b)

Thyristor

c)

BJT

d)

Thyristor, BJT

28.

IGBT ย่อมาจาก

a)

Gate Turn – off Thyristor

b)

Static Induction Transistor

c)

Insulate - Gate Bipolar Junction Transistor

d)

Silicon – Control Rectifier

29.

จงบอกความแตกต่างของ GTO กับ SCR

a)

GTO นํากระแสได้สองทิศทางแต่ SCR นำกระแสได้ทางเดียว

b)

GTO สามารถทำให้หยุดนำกระแสด้วยค่ากระแส gate เป็นลบ

c)

SCR มีความไวในการสวิตช์สูงกว่า GTO

d)

SCR นำกระแสได้สองทิศทางแต่ GTO นำกระแสได้ทางเดียว

30.

SCR เบอร์ IR-S30EF มีค่า dv/dt = 1000 V/us ถ้าขณะต่อใช้งานค่า dv/dt ในวงจรมีค่า 1350 V/us ขณะนี้ตัว SCR

จะมีผลกระทบอย่างไรบ้าง

a)

SCR เปลี่ยนสถานะจาก OFF เป็น ON ได้โดยไม่ต้องมีสัญญาณ Trigger

b)

รอยต่อภายใน SCR จะเกิดความร้อนมาก

c)

SCR ไม่สามารถ ON ได้

d)

SCR เปลี่ยนสถานะจาก ON เป็น OFF

31.

SCR เบอร์ IR-S30EF มีค่า di/dt = 800 A/us ถ้าขณะต่อใช้งานค่า di/dt ในวงจรมีค่า 1050 A/us ขณะนี้ตัว SCR จะมีผลกระทบอย่างไรบ้าง

a)

SCR เปลี่ยนสถานะจาก OFF เป็น ON ได้โดยไม่ต้องมีสัญญาณ Trigger

b)

รอยต่อภายใน SCR จะเกิดความร้อนมาก

c)

SCR ไม่สามารถ ON ได้

d)

SCR เปลี่ยนสถานะจาก ON เป็น OFF

32.

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังชนิดใดต่อไปนี้สามารถทำงานที่ความถี่มากที่สุด

a)

SCR

b)

IGBT

c)

MOSFET

d)

BJT

33.

อุปกรณ์ในข้อใดเป็นการแยกวงจรควบคุมกับวงจรกำลังออกจากกันได้อย่างเด็ดขาด

a)

Isolated Transformer

b)

Differential Amp.

c)

Opto Transistor

d)

Opto Diode

34.

ถ้าทริกไตรแอค จะนำกระแสได้ก็ต่อเมื่อกระแสไฟฟ้าที่ผ่านตัวมันเกินข้อใด

a)

Latching Current

b)

Holding Current

c)

Peak Forward Gate Current

d)

Conducting Current

35.

การทำให้ SCR หยุดนำกระแสทำได้อย่างไร

a)

ทำให้กระแสที่ไหลผ่าน SCR มีค่ามากกว่ากระแส Holding current

b)

ใช้วงจร commutation

c)

ทำให้กระแสที่ไหลผ่าน SCR มีค่ามากกว่ากระแส Latching current

d)

ใช้วงจร snubber

36.

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังชนิดใดต่อไปนี้ ไม่เหมาะสมที่จะนำมาใช้งานที่ความถี่สูงกว่า 100kHz

a)

Transistor

b)

IGBT

c)

MOSFET

d)

Thyristor

37.

ไดโอดชนิดใดต่อไปนี้ มีการสูญเสียเนื่องจากการนำกระแสต่ำสุด

a)

Power diode

b)

Schottky diode

c)

Zener diode

d)

Fast recovery diode

38.

Darlington power transistor มีคุณสมบัติเด่นในด้านใด

a)

มีอัตราการขยายกระแสสูง

b)

มีอัตราการขยายแรงดันสูง

c)

หยุดนำกระแสได้เร็วกว่า

d)

ทนแรงดันได้สูงกว่า

39.

อุปกรณ์สวิตชิ่งชนิดใดมีพิกัดกำลังต่ำสุด

a)

Thyristor

b)

BJT

c)

MOSFET

d)

IGBT

40.

อุปกรณ์สวิตชิ่งตัวไหนควบคุมการนำกระแสด้วยแรงดัน

a)

BJT

b)

Thyristor

c)

MOSFET

d)

TRIAC

41.

อุปกรณ์ชนิดตัวใด เมื่อนำกระแสจะมีแรงดันตกคร่อมต่ำกว่าอุปกรณ์ตัวอื่น ๆ

a)

MOSFET

b)

IGBT

c)

SIT

d)

BJT

42.

จุดมุ่งหมายของการใส่สนับเบอร์ ให้กับอุปกรณ์สวิตชิ่ง เช่น BJT เพื่อวัตถุประสงค์ข้อใด

a)

เพื่อลดกำลังงานสูญเสียจากการสวิตชิ่ง

b)

หลีกเลี่ยงการเกิดเบรกดาวน์ครั้งที่สอง

c)

ควบคุม

dv/dt หรือ

di/dt ไม่ทำให้ค่าอุปกรณ์สวิตชิ่ง

d)

ถูกทุกข้อ

43.

การศึกษาการทำงานของไดโอด ในช่วง recovery time เพื่ออะไร

a)

เพื่อจะได้รู้ว่าเป็นไดโอกชนิดไหน

b)

จะได้รู้ว่า Storage charge ในตัวไดโอดมีค่าเท่าไร

c)

จะได้เลือกใช้ให้เหมาะสมกับความถี่

d)

ถูกทุกข้อ

44.

อุปกรณ์สวิตชิ่งตัวใด เมื่อนำกระแสแล้วจะนำกระแสค้าง และจะหยุดนำกระแสได้ ต้องมีวงจรในการคอมมิวเตท

a)

MOSFET

b)

SCR

c)

IGBT

d)

BJT

45.

ไดโอดประเภทไหนที่ให้แรงดันตกคร่อมในสภาวะนำกระแสต่ำที่สุดเมื่อใช้งานที่พิกัดเดียวกัน

a)

Standard diode

b)

Fast-recovery diode

c)

Ultra-fast diode

d)

Schottky diode

46.

ไดโอดประเภท Silicon Carbide ซึ่งเป็นแบบ Schottky จะมีคุณลักษณะสมบัติในข้อใด

a)

มี Reverse recovery time ต่ำมาก

b)

มี Storage charge น้อย

c)

กำลังงานสูญเสียต่ำมาก

d)

ถูกทุกข้อ

47.

ในการ Turn-on ให้กับ MOSFET นำกระแส 10 ไมโครฟาลัส และ Duty Cycle ของการทำงาน 50% จงคำนนวณความถี่ของการใช้งานของ MOSFET

a)

50 kHz

b)

100 kHz

c)

150 kHz

d)

ไม่มีข้อถูก

48.

ให้เรียงลำดับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังตามลำดับความถี่ใช้งานจากค่าน้อยไปหามากมีลำดับเป็นอย่างไร

a)

BJT, IGBT, Thyristor, MOSFET

b)

BJT, Thyristor, MOSFET, IGBT

c)

Thyristor, BJT, IGBT, MOSFET

d)

Thyristor, IGBT, BJT, MOSFET

49.

อุปกรณ์ชนิดใดต่อไปนี้พิกัดแรงดันและกระแสสูงที่สุด

a)

Transistor

b)

IGBT

c)

MOSFET

d)

Thyristor

50.

อุปกรณ์สวิตชิ่งชนิดใดสามารถใช้งานได้ที่ความถี่ในการสวิตช์สูงสุด

a)

IGBT

b)

MOSFET

c)

BJT

d)

Thyristor

Similar Resources on Wayground

kelistrikan bodi dan pengapian

45 questions

kelistrikan bodi dan pengapian

quiz

Worksheet

•

12th Grade

แนวข้อสอบวิทยาศาสตร์เพื่อพัฒนาอาชีพ

46 questions

แนวข้อสอบวิทยาศาสตร์เพื่อพัฒนาอาชีพ

quiz

Worksheet

•

12th Grade - University

แบบทดสอบก่อนเรียนมาตรฐาน มาตรฐาน ท ๒.๑ ชั้น ป.6 - 001

50 questions

แบบทดสอบก่อนเรียนมาตรฐาน มาตรฐาน ท ๒.๑ ชั้น ป.6 - 001

quiz

Worksheet

•

6th Grade

ข้อสอบ KIDBRIGHT 2

45 questions

ข้อสอบ KIDBRIGHT 2

quiz

Worksheet

•

1st Grade

สอบเครื่องมือวัด

50 questions

สอบเครื่องมือวัด

quiz

Worksheet

•

University

Công nghệ giữa kì 1

50 questions

Công nghệ giữa kì 1

quiz

Worksheet

•

12th Grade

pemeliharaan Kelistrikan Sepeda Motor semester ganjil 2022

50 questions

pemeliharaan Kelistrikan Sepeda Motor semester ganjil 2022

quiz

Worksheet

•

11th Grade

Final - Test : PLC

50 questions

Final - Test : PLC

quiz

Worksheet

•

University