wayground logo

Free Printable Worksheets

NEW

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

Power Electronics ข้อสอบ กว Part2

Total questions: 50

Worksheet time: 25mins

Name
Class
Date
1.

อุปกรณ์สวิตชิ่งชนิดใดมีพิกัดกำลังสูงสุด

a)

IGBT

b)

MOSFET

c)

BJT

d)

Thyristor

2.

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังที่ควบคุมการทำงานด้วยกระแสคืออุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังชนิดใด

a)

IGBT

b)

MOSFET

c)

BJT

d)

MCT

3.

อุปกรณ์สวิตชิ่งชนิดใดมีการควบคุมการทำงานด้วยแรงดัน

a)

IGBT

b)

MOSFET

c)

BJT

d)

GTO

4.

คุณสมบัติที่ต้องการของอุปกรณ์สวิตชิ่ง คือ

a)

Vce มีค่าสูงขณะนำกระแส

b)

มีกระแสรั่วไหลขณะไม่นำกระแส

c)

ความถี่สวิตชิ่งสูง

d)

มีช่วงเวลาเปลี่ยนสถานะนาน

5.

เงื่อนไขใดที่ทำให้ SCR หยุดนำกระแส

a)

VAK มีค่าเป็นบวก

b)

กระแสแอโนดน้อยกว่าค่ากระแสโฮลดิ้ง

c)

กระแสแอโนดน้อยกว่าค่ากระแสแลทชิ่ง

d)

กระแสเกตเป็นศูนย์

6.

อุปกรณ์สวิตชิ่งชนิดใดที่จัดเป็นประเภท snubberless

a)

IGBT

b)

MOSFET

c)

BJT

d)

Thyristor

7.

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังที่มีวงจรสมมูลประกอบด้วยทรานซิสเตอร์สองตัว คืออุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังชนิดใด

a)

IGBT

b)

MOSFET

c)

BJT

d)

Thyristor

8.

อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำชนิดใดที่ไม่สามารถควบคุมได้

a)

IGBT

b)

Diode

c)

BJT

d)

Thyristor

9.

อุปกรณ์สวิตชิ่งชนิดใดที่สามารถปิดกั้นกระแสได้ทั้ง 2 ทิศทาง

a)

MOSFET

b)

Diode

c)

BJT

d)

Thyristor

10.

อุปกรณ์สวิตช์กำลังใดต่อไปนี้ ไม่เหมาะสมที่จะนำมาใช้งานที่ต้องทนกระแสสูงและแรงดันตกคร่อมมากกว่า 100 โวลต์

a)

Transistor

b)

IGBT

c)

Mosfet

d)

Thyristor

11.

อุปกรณ์สวิตช์กำลังใดต่อไปนี้ เหมาะสมที่จะนำมาใช้ในวงจรแปลงผันไฟตรงที่มีพิกัดแรงดันต่ำ กระแสสูง

a)

Transistor

b)

IGBT

c)

Mosfet

d)

Thyristor

12.

ในการนำ Transistor ใช้งานเป็นสวิตช์ในวงจรอิเล็กทรอนิกส์กำลัง เงื่อนไขที่เหมาะสมที่สุดในการขับนำทรานซิสเตอร์คือข้อใด

a)
b)
c)
d)
13.

Transistor ตัวหนึ่งขณะนำกระแสมีแรงดันตกคร่อม Vce(sat)= 2 V และมีกระแสไหลผ่านตัวมัน 4 A จงคำนวณหากำลังงานสูญเสียที่เกิดขึ้น

a)

2 W

b)

4 W

c)

6 W

d)

8 W

14.

ในการขับนำ MOSFET ให้ทำงานที่ความถี่สูงมาก คุณสมบัติของวงจรขับนำข้อใดสำคัญที่สุด

a)

ค่า Output impedance จะต้องมีค่าต่ำ

b)

ค่า Input impedance จะต้องมีค่าต่ำ

c)

ค่า Voltage gain จะต้องมีค่าเข้ามาก

d)

ค่า Current gain จะต้องมีค่าเข้าใกล้หนึ่ง

15.

ผลเสียของการขับกระแสเบสของ Transistor ที่มีค่ามากเกินไปคืออะไร

a)

Transistor นำกระแสได้เร็วเกินไป

b)

Transistor หยุดนำกระแสได้ช้า

c)

Transistor มีการสูญเสียเนื่องจากการนำกระแสสูงขึ้น

d)

ผิดทุกข้อ

16.

ถ้า Capacitor ที่ใช้ในวงจร Snubber มีค่ามากเกินไปจะทำให้เกิดอะไรขึ้น

a)

ป้องกันแรงดันและกระแสไม่ให้เกินพื้นที่ของ SOA ได้ดีขึ้น

b)

การสูญเสียจากการสวิตช์แต่ละครั้งของวงจร Snubber จะสูงขึ้น

c)

ความร้อนที่เกิดขึ้นที่สวิตช์จะลดลง

d)

ถูกทุกข้อ

17.

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังที่ไม่สามารถคบคุมให้หยุดนำกระแสด้วยสัญญาณควบคุมของตัวอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์เอง คืออุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังชนิดใด

a)

Transistor

b)

Thyristor

c)

MOSFET

d)

IGBT

18.

ไดโอดชนิดใดต่อไปนี้ ให้สำหรับสร้างแรงดันอ้างอิง

a)

Power diode

b)

Schottky diode

c)

Zener diode

d)

Fast recovery diode

19.

IGBT มีคุณสมบัติเด่นด้านใด ที่เหนือกว่า MOSFET

a)

ความถี่ในการทำงานสูงกว่า

b)

มีอัตราการขยายแรงดันสูง

c)

หยุดนำกระแสได้เร็วกว่า

d)

พิกัดแรงดันและกระแสสูงกว่า

20.

อุปกรณ์ชนิดใดต่อไปนี้ ซึ่งตามโครงสร้างเสมือนมีไดโอดต่อกลับทางกับทิศทางของกระแสหลักเสมอ

a)

Power Transistor

b)

IGBT

c)

Power MOSFET

d)

Thyristor

21.

ข้อใดคือลักษณะที่แตกต่างในการขับอุปกรณ์ทรานซิสเตอร์กำลังกับมอสเฟตกำลังที่ชัดเจน

a)

ทรานซิสเตอร์ถูกขับด้วยแรงดันไฟฟ้า ส่วนมอสเฟตถูกขับด้วยกระแส

b)

ทรานซิสเตอร์ถูกขับด้วยกระแสไฟฟ้า ส่วนมอสเฟตถูกขับด้วยแรงดัน

c)

ทรานซิสเตอร์ถูกขับด้วยแรงดันไฟฟ้าสูงกว่า ส่วนมอสเฟตถูกขับด้วยแรงดันไฟฟ้าต่ำกว่า

d)

ทรานซิสเตอร์ถูกขับด้วยกระแสต่ำกว่า ส่วนมอสเฟตถูกขับด้วยกระแสสูงกว่า

e)

ไม่มีข้อถูก

22.

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังที่นำทรานซิสเตอร์หลายตัวมาต่อรวมกันเพื่อให้มีอัตราขยายรวมสูงขึ้น และทำงานเป็นสวิตช์กำลังได้

คือข้อใด

a)

Darlington

b)

Anti-saturation

c)

Push-Pull

d)

Complementary

e)

ไม่มีข้อถูก

23.

ข้อใดอธิบายโรงสร้างของไทริสเตอร์ เมื่อ p และ n คือสารกึ่งตัวนำชนิด p และ n ตามลำดับ

a)

npnn

b)

pnpp

c)

pnpn

d)

pnpnp

e)

ไม่มีข้อถูก

24.

จะทำให้ไทริสเตอร์ที่กำลังนำกระแสไฟหยุดนำกระแสได้โดย

a)

ทำให้แรงดันไฟฟ้าตกคร่อมโหลดเป็นไฟลบ

b)

ทำให้กระแสที่ผ่านโทริสเตอร์น้อยกว่ากระแสโฮลติ้ง

c)

ทำให้กระแสที่ผ่านโทริสเตอร์มากกว่ากระแสโฮลติ้ง

d)

ผิดทุกข้อ

25.

GTO แตกต่างกับ SCR ในแง่ของการนำไปใช้อย่างไร

a)

นำกระแสด้วยสัญญาณ ทริกขาเกต

b)

หยุดนำกระแสได้ด้วยสัญญาณ ทริกขาเกต

c)

มีขั้วทั้งหมด 3 ขั้ว

d)

ขาเกตต้องป้อนสัญญาณตลอดเวลาหากต้องการให้นำกระแส

26.

ข้อใดที่ IGBT มีคุณสมบัติคล้ายคลึงกับ BJT

a)

ใช้แรงดันในการขับ

b)

กำลังงานสูญเสียต่ำในสภาวะนำกระแส

c)

อินพุตอิมพีแดนซ์มีค่าสูง

d)

ไม่มีการเบรคดาวน์ครั้งที่สอง

27.

IGBT มีคุณสมบัติผสมผสานระหว่างอุปกรณ์ใดกับอุปกรณ์ใด

a)

BJT กับ SCR

b)

SCR กับ GTC

c)

MOSFET กับ BJT

d)

Diode กับ GTO

28.

ข้อใดบ่งบอกถึงลักษณะการทำงานของ SCR ได้อย่างถูกต้อง

a)

SCR จะหยุดนำกระแสเมื่อป้อนสัญญาณที่ขา gate

b)

ความถี่การสวิตช์สูงสุดของ SCR ต่ำกว่า ความถี่การสวิตช์สูงสุดของ MOSFET

c)

SCR ไม่สามารถสร้างให้มีพิกัดกระแสสูงกว่า IGBT ได้

d)

SCR สามารถนำกระแสได้ 2 ทิศทาง

29.

ข้อใดเรียงลำดับพิกัดการทนกระแสสูงสุดของ BJT, MOSFET และ IGBT ที่สามารถสร้างได้จากมากไปหาน้อยได้ถูกต้อง

a)

BJT, IGBT, MOSFET

b)

MOSFET, IGBT, BJT

c)

IGBT, MOSFET, BJT

d)

IGBT, BJT, MOSFET

30.

ข้อใดเรียงลำดับพิกัดความถี่การสวิตช์สูงสุดที่สามารถสร้างได้ของ BJT, MOSFET และ IGBT จากมากไปหาน้อยได้ถูกต้อง

a)

BJT, IGBT, MOSFET

b)

MOSFET, IGBT, BJT

c)

IGBT, MOSFET, BJT

d)

IGBT, BJT, MOSFET

31.

Switching devices ที่นิยมใช้ใน switching power supply คืออุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังในข้อใด

a)

Thyristor และ Transistor

b)

Gate turn off Thyristor และ Insulated Gate Turn off Transistor

c)

Mosfet และ Transistor

d)

Mos Control Thyristor และ Mosfet

32.

ข้อใดไม่ใช่หน้าที่ของวงจร Snubber

a)

ลด switching loss

b)

ลด voltage spike

c)

ลด Electro Magnetic Interference (EMI)

d)

ลด Acoustic Noise

33.

SCR สามารถเปลี่ยนสถานะจาก ไม่นำกระส เป็น นำกระแส ได้อย่างไร เมื่อปล่อยให้ขา เกต ไม่มีการควบคุม

a)

ป้อนแรงดันระหว่างขั้ว Anode กับ Cathode ให้มากกว่าแรงดัน Breakdown

b)

ป้อนแรงดันระหว่างขั้ว Anode กับ Cathode ให้มากกว่าแรงดัน Breakover

c)

ป้อนแรงดันระหว่างขั้ว Anode กับ Cathode ให้มีค่าเป็นลบ

d)

ควบคุมให้อัตราการเปลี่ยนแปลงของแรงดันต่อเวลา ระหว่างขั้ว Anode กับ Cathode ให้มีค่าต่ำกว่าพิกัด

34.

ข้อใดต่อไปนี้ถูกต้อง เมื่ออุปกรณ์สวิชต์กำลังเป็น SCR

a)

กระแส Latching ต้องมีค่าสูงกว่ากระแส Holding

b)

กระแส Holding ต้องมีค่าสูงกว่ากระแส Latching

c)

กระแส Gate ต้องมีค่าสูงกว่ากระแส Latching

d)

กระแส Gate ต้องมีค่าสูงกว่ากระแส Holding

35.

UJT (Unijunction Transistor) มีคุณสมับติหลัก คือ

a)

ขยายสัญญาณเป็นเชิงเส้นได้ดี

b)

มีความต้านทานคงที่ตลอดย่านการทำงาน

c)

มีลักษณะความต้านทานเป็นลบ เมื่อเริ่มนำกระแส

d)

เมื่อนำกระแสแล้ว จะให้หยุดการทำงานได้โดยการนำสัญญาณควบคุมออกเท่านั้น

36.

ข้อความต่อไปนี้ข้อใดถูกต้อวที่สุด เมื่อให้ทรานซิสเตอร์กำลังทำงานในโหมดสวิตช์

a)

กำลังสูญเสีย จะมากขึ้น เมื่อสวิตช์ด้วยความถี่ ต่ำลง

b)

กำลังสูญเสีย จะมากขึ้น เมื่อสวิตช์ด้วยความถี่ สูงขึ้น

c)

กำลังสูญเสีย จะมากขึ้น เมื่อโหลดมีค่าความต้านทาน สูงขึ้น

d)

กำลังสูญเสีย จะมากขึ้น เมื่อสวิตช์ทำการนำกระแสค้างอยู่ตลอดเวลา

37.

ข้อดีของ Power MOSFET ที่เหนือกว่า IGBT คือ

a)

มีแรงดันความต้านทานในขณะที่นำกระแสต่ำกว่า

b)

ทำงานที่ความถี่สูงได้ดีกว่า

c)

ทำงานที่แรงดันสูงได้ดีกว่า

d)

มีการควบคุมการทำงานได้ง่ายกว่า

38.

ในการป้องกันไม่ให้อัตราการเปลี่ยนแปลงของแรงดันต่อเวลา ที่เกิดขึ้นระหว่างขั้ว Anode และ Cathode ของ SCR สูงเกินไปทำได้โดย

a)

ต่อวงจร L อนุกรมกับ SCR

b)

ต่อวงจร R-C Snubber อนุกรมกับ SCR

c)

ต่อวงจร R-C-D Snubber ขนานกับ SCR

d)

ต่อวงจร R-C ขนานกับวงจร Gate – Cathode ของ SCR

39.

อุปกรณ์สวิตช์กำลัง DIAC นิยมนำไปประยุกต์ใช้ในวงจรที่ทำหน้าที่ใด

a)

Rectifier

b)

Oscillator

c)

Snubber

d)

Freewheeling

40.

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สวิตช์กำลังแบบใด ที่จัดได้ว่าเป็นอุปกรณ์แบบ voltage-controlled

a)

BJT

b)

IGBT

c)

SCR

d)

TRIAC

41.

ในการคำนวณหาค่าประจุสะสมในไดโอด (Qrr) พารามิเตอร์ในข้อใดมีความจำเป็นในการคำนวณ

a)

อัตราการเปลี่ยนแปลงกระแสที่ไหลผ่านไดโอด(di/dt)

b)

เวลาฟื้นคืนตัวของไดโอด (Trr)

c)

กระแสย้อนกลับสู.สุดของไดโอด (Irr)

d)

ถูกทุก้อ

42.

ในการใช้งานทรานซิสเตอร์ (BJT) เป็นสวิตช์เปิด-ปิด การนำกระแสในวงจรอิเล็กทรอนิกส์กำลัง โหมดการทำงานใดไม่นิยมใช้

a)

cut-off

b)

active

c)

saturation

d)

ถูกทุกข้อ

43.

อุปกรณ์สวิตชิ่งใดอาศัยการคอมมิวเตท

a)

GTO

b)

SCR

c)

IGBT

d)

IGCT

e)

BJT

44.

อุปกรณ์สวิตชิ่งใด มีการขับนำด้วยแรงดัน

a)

IGCT , MOSFET

b)

SCR, MOSFET

c)

IGBT , GTO

d)

IGBT, BJT

e)

SCR, GTO

45.

อุปกรณ์สวิตชิ่งใดจำเป็นต้องมี Baker’s clamp

a)

GTO

b)

SCR

c)

IGBT

d)

BJT

46.

ข้อแตกต่างอย่างเห็นได้ชัดระหว่าง IGBT กับ MOSFET คือข้อใด

a)

ข้อแตกต่างด้านความถี่

b)

ข้อแตกต่างของช่วงเวลา turn – off

c)

ข้อแตกต่างด้านกำลังสูญเสีย

d)

ถูกทุกข้อ

47.

การที่อุปกรณ์สวิตช์ทำงานที่ความถี่สูงส่งผลให้เกิดอะไร

a)

การสูญเสียกำลังงานมาก

b)

การนำกระแสน้อยลง

c)

แรงดันย้อนกลับต่ำลง

d)

ถูกทุกข้อ

48.

การสร้างสัญญาณจุดชนวน SCR ในกรณีที่โหลดเป็น R-L ควรเป็นสัญญาณแบบใด

a)

Short pulse

b)

Long pulse

c)

Pulse train หรือ chain pulse

d)

ถูกทุกข้อ

49.

อุปกรณ์ใดไม่ได้อยู่ในตระกูล thyristor

a)

SCR

b)

RCT

c)

GTO

d)

MOSFET

50.

หม้อแปลงไฟฟ้ากับตัวเหนี่ยวนำข้อใดกล่าวถูกต้อง

a)

หม้อแปลงส่งผ่านพลังงานแต่ตัวเหนี่ยวนำเก็บสะสมพลังงาน

b)

หม้อแปลงและตัวเหนี่ยวนำต้องการกระแสทำแม่เหล็กต่ำ

c)

หม้อแปลงและตัวเหนี่ยวนำต้องการกระแสทำแม่เหล็กสูง

d)

ถูกทุกข้อ

Similar Resources on Wayground

EST 26

50 questions

EST 26

quiz

Worksheet

•

University

สอบกฎหมาย

50 questions

สอบกฎหมาย

quiz

Worksheet

•

University

แบบทดสอบท้ายบท

50 questions

แบบทดสอบท้ายบท

quiz

Worksheet

•

University

1.64 สอบปลายภาค วิชา ทักษะภาษาไทยเชิงวิชาชีพ

50 questions

1.64 สอบปลายภาค วิชา ทักษะภาษาไทยเชิงวิชาชีพ

quiz

Worksheet

•

University

แบบทดสอบบทที่ ๘ การวิเคราะห์การเมืองไทยร่วมสมัย

50 questions

แบบทดสอบบทที่ ๘ การวิเคราะห์การเมืองไทยร่วมสมัย

quiz

Worksheet

•

University

แบบทดสอบก่อนบิน 154

50 questions

แบบทดสอบก่อนบิน 154

quiz

Worksheet

•

University

สอบปลายภาควิชาเศรษฐศาสตร์เบื้องต้น

50 questions

สอบปลายภาควิชาเศรษฐศาสตร์เบื้องต้น

quiz

Worksheet

•

University

BEEME_UNIT 4_PRACTICE QUIZ

50 questions

BEEME_UNIT 4_PRACTICE QUIZ

quiz

Worksheet

•

University