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Worksheets蝕刻基礎Part-2
Total questions: 10
Worksheet time: 2mins
Name
Class
Date
1.
提供晶圓載入大氣 與真空 的傳送界面 是？
a)
VTM
b)
LoadLock
c)
FI (Factory Interface)
d)
Chamber
2.
SiO etch主要應用甚麼氣體
a)
CF4
b)
Cl2
c)
O2
d)
BCl3
3.
Which RF system provide better ion bombardment capability
a)
Thermal Chemical etch
b)
ICP
c)
TCP
d)
RIE
4.
蝕刻Wafer的機構稱之為 ?
a)
FI
b)
VTM
c)
Chamber
d)
LoadLock
5.
為改善Within Wafer uniformity, ESC 的設計趨勢是 ?
a)
Bigger is better
b)
Smaller is better
c)
Different Shape
d)
Mult-zones temperture control
6.
高真空適合用哪一種pump來維持Chamber 的壓力
a)
Turbo Pump
b)
Dry Pump
c)
Rotary Pump
d)
Oil Pump
7.
Turbo pump 是利用葉片與氣體分子的什麼作用將氣體排出
a)
擠壓
b)
碰撞
c)
化學反應
d)
以上皆非
8.
蝕刻七大系統裡面的哪一個系統, 可以藉由偵測光譜的變化, 停止蝕刻
a)
Plasma
b)
Pressure
c)
Endpoint
d)
Transfer
9.
Etch Chamber會選擇哪一種材料的化合物來抵抗Plasma
a)
Copper
b)
Au
c)
Aluminum
d)
Yttrium
10.
SiO and SiN etch 都使用fluorine 氣體, 但因為SiO鍵結較強, 通常會加入哪一種氣體來提供物理轟擊
a)
O2
b)
Ar
c)
Cl2
d)
HBr
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