Worksheets蝕刻基礎 Part-1
Total questions: 10
Worksheet time: 2mins
Name
Class
Date
1.
今天來上課的是tsmc 哪一個單位
a)
Fab 12B
b)
RDPC
c)
F15B
d)
F18A
2.
今天上課的是哪一個部門
a)
DIFF
b)
CMP
c)
LIT
d)
ETCH
3.
Dry Etch前, 通常是哪一個部門負責的製程
a)
LIT
b)
DIFF
c)
CVD
d)
PVD
4.
為什麼LIT前需要CMP製程
a)
便宜
b)
平坦化,曝光不會Defocus
c)
效能增強
d)
沒事找事做
5.
相對於WET etch, Dry etch 的優勢是 ?
a)
Cost
b)
Throughput
c)
High Selectivity
d)
Shrink Capability
6.
Dry Etch 製程中負責Chemical etch的是 ?
a)
Ion
b)
Electron
c)
Radical
d)
Light
7.
Dry etch 製程中負責物理轟擊的是 ?
a)
Ion
b)
Light
c)
Radical
d)
Electron
8.
Dry etch parameter 蝕刻率 (Etch Rate) 這個KPI, 通常是 ?
a)
Higher better
b)
Lower better
c)
Meet Target
d)
Dependent
9.
關於Plasma 何者錯誤
a)
需要在真空環境下
b)
需要高能量來產生
c)
物質第三態
d)
會產生光
10.
Dry etch 參數 深寬比 (Aspect Ratio), 一般來說是越高越好 ,理由是 ?
a)
降低元件面積
b)
容易製造
c)
便宜
d)
沒事找事做,就是喜歡挑戰
100 %
