wayground logo

Free Printable Worksheets

NEW

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

Физика Рк

Total questions: 50

Worksheet time: 25mins

Name
Class
Date
1.
~Диэлектpикке жоғаpы жиiлiктi өpiспен әсеp еткенде бөлiнетiн жылу мөлшеpi өpiс теpбелiсiнiң:
a)
|жиiлiгiне туpа пpопоpционал түpде көбейедi
b)
|жиiлiгi аpтқанда, кемидi
c)
|жиiлiгi артқанда, өзгеpмейдi
d)
|жиiлiгiнiң квадpатына туpа пpопоpционал түpде көбейедi
e)
|жиiлiгi кемiгенде, көбейедi
2.
~Жоғаpы жиiлiктi өpiстiң интенсивтiлiгi:
a)
|өрiс көзiнен қашықтаған сайын,кемидi
b)
|өрiс көзiнен қашықтаған сайын,аpтады
c)
|өрiс көзiнен қашықтаған сайын,өзгеpмейдi
d)
|аpақашықтыққа байланысты емес
e)
|ең жорғы мәнге ұмтылыды.
3.
~Бipдей жағдайда тұpған электpолит пен диэлектpикке жоғаpы жиiлiктi өpiспен әсеp еткенде:
a)
|электpолитке қарағанда, диэлектpиктiң темпеpатуpасы тезipек жоғаpлайды
b)
|диэлектpикке қарағанда,электpолиттiң темпеpатуpасы тезipек жоғаpлайды
c)
|диэлектpик және электpолит темпеpатуpасы бipдей өзгеpедi
d)
|диэлектpик және электpолиттiң темпеpатуpасы өзгеpмейдi
e)
|диэлектpиктiктің темпеpатуpасы жоғаpлайды, ал электpолиттiкі өзгеpмейдi
4.
~Поляризатор бұл ... арналған қондырғы.
a)
|табиғи жарық көзiнен поляризацияланған жарық алуға
b)
|поляризацияланған жарықты талдауға
c)
|табиғи жарықтың интенсивтiлiгiн күшейтуге
d)
|поляризацияланған жарықтан табиғи жарық алуға
e)
|ерiтiндiлердiң жұтылу спектрлерiн зерттеуге
5.
~Жазық поляризацияланған жарықтың анализатордан өткен кездегi интенсивтiлiгiнің өзгеру заңы:
a)
|I=I0cos2ф
b)
|I=I0sinф
c)
|I=I0tgф
d)
|I=I0cos3ф
e)
|I=I0/cosф
6.
~Оптикалық белсендi деп ... заттарды айтады.
a)
|поляризация жазықтығын бұра алатын мүмкiндiгi бар
b)
|түскен жарық интенсивтiлiгiн күшейтетiн
c)
|табиғи жарықтан поляризацияланған жарықты алатын
d)
|поляризацияланған жарықтан,табиғи жарықты алатын
e)
|түскен жарықтың жылдамдығын арттыра алатын
7.
~Оптикалық белсенді заттан өткен поляризацияланған жарықтың, поляризация жазықтығын бұру бұрышы ... тәуелді болады.
a)
|толқын ұзындығына, зат қалыңдығына және құрылымына
b)
|тек толқын ұзындығына
c)
|тек зат қалыңдығына
d)
|түсу бұрышына, зат қалыңдығына және құрылымына
e)
|түсу бұрышына жуне толқын ұзындығына
8.
~Поляриметрдiң қызметі ... негiзделген.
a)
|кейбiр заттардың поляризация жазығтығын бұратын қабілетіне
b)
|жарық энергиясын электр энергиясына айналдыруға
c)
|екi ортаның шекарасындағы толық шағылуға
d)
|жарықтың жұтылу құбылысына
e)
|жарықтың бiр ортадан екiншi ортаға өткендегі сынуына
9.
~Медициналық датчик деп ... қондырғыны айтады.
a)
|электрлiк емес шамаларды пропорционалды түрде электрлiкке айналдыратын
b)
|тiрi ағзадағы электрлiк үдерістерді бақылайтын
c)
|cыртқы энергия көзi есебiнен электрлiк сигналды күшейтетiн
d)
|тiрi жасуша биопотенциалын өлшеуге арналған
e)
|айнымалы токты түзетуге арналған
10.
~Датчиктiң сезiмтал табалдырығы деп ... айтады.
a)
|кiрiс шамасының ең аз өзгерiсiн
b)
|кiрiс шамасының ең көп өзгерiсiн
c)
|кiрiс шамасының ең үлкен мәнiн
d)
|кiрiс шамасының ең аз мәнiн
e)
|шығыс шамасының ең аз өзгерiсiн
11.
~Датчиктiң түрлендiру шегi деп оның ... айтады.
a)
|кiрiс шамасының ең үлкен мәнiн
b)
|кiрiс шамасының ең аз мәнiн
c)
|кiрiс шамасының ең аз өзгерiсiн
d)
|кiрiс шамасының ең көп өзгерiсiн
e)
|шығыс шамасының ең үлкен мәнiн
12.
~Генераторлы деп ... датчиктің айтады.
a)
|кiрiс сигнал әсерiнен онда электр қозғаушы күш және ток өндiрiлетiн
b)
|кiрiс сигнал әсерiнен,оның бiр электрлiк параметрi өзгеретiн
c)
|кiрiс сигнал өзгерiсiнен шығыс сигналы өзгермейтiн
d)
|шығыс сигнал өзгерiсiнiң кiрiс сигналы өзгерiсiне тәуелсiз
e)
|кiрiс сигналын азайтқанда шығыс сигналы ұлғаятын
13.
~Параметрлi деп кiрiс ... датчиктің айтады.
a)
|сигнал шамасын өзгерткенде, оның бiр электрлiк параметрi өзгеретiн
b)
|сигналын ұлғайтғанда шығыс сигналының азаятын
c)
|сигналының өзгерiсi шығыс сигналының өзгерiсiне тәуелсiз
d)
|сигналы өзгергенде шығыс сигналы өзгермейтiн
e)
|сигнал әсерiнен ток өндiрiлетiн
14.
~Жарықтың жұтылуы деп ... айтады.
a)
|зат арқылы өткен жарық интенсивтiлiгiнiң әлсіреуін
b)
|екi ортаның шекарасы арқылы өткен жарықтың сынуын
c)
|поляризация жазықтығын бұрыуын
d)
|зат арқылы өткен сәуле интенсивтiлiгiнiң күшеюiн
e)
|толқын жиiлiгiнiң артуына сәйкес орта сыну көрсеткiшiнiң ұлғаюын
15.
~Жұтылу спектрi деп ... тәуелдiлiк графигiн айтады.
a)
|заттың оптикалық тығыздығының түскен жарық толқын ұзындығына
b)
|сыну көрсеткiшiнiң электромагниттiк толқын жиілігіне
c)
|электромагниттiк толқын интенсивтiлiгiнiң жұтылу қабатының қалыңдығына
d)
|заттың оптикалық тығыздығының жарық интенсивтiлiгiне
e)
|ертiндiнiң өткiзу коэффициентiнiң жұтылу қабатының қалыңдығына
16.
~Спектрофотометрдiң жұмыс iстеу принципi ... негiзделген.
a)
|талданатын заттың электромагниттi толқындарды таңдап жұтуына
b)
|жарық сәулесiнiң бiр ортадан екiншi ортаға өткенде сыныуына
c)
|жарықтың поляризациясына
d)
|жарық ағыны энергиясының басқа энергия түрiне айналуына
e)
|орталардың шекарасында байқалатын толық шағылуға
17.
~Электродтанан алыстаған сайын электр өрiсі кернеулiгiнiң шамасы:
a)
|кемидi
b)
|артады
c)
|шексіздікке ұмтылады
d)
|өзгермейдi
e)
|нөлге тең болады
18.
~ I=Iocos2ф ... заңының формуласы.
a)
|Малюс
b)
|Бугер-Ламберт
c)
|Рэлей
d)
|Ом
e)
|Бер
19.
~Егер поляризатор мен анализатордың жазықтықтары өзара параллель болса, онда осы жазықтықтардың арасындағы бұрыш ... тең болады.
a)
|0 және П
b)
|0 және П/2
c)
|П/3
d)
|П/6
e)
|1 және П/4
20.
~Анализаторды i=90 градусқа бұрғанда, одан шығатын жазық поляризацияланған жарықтың интенсивтiлiгi ... тең болады.
a)
|I=0
b)
|I=Iо
c)
|I=Iо/2
d)
|I=Iо/3
e)
|I=2*Iо
21.
~Анализаторды i=0 градусқа бұрғанда, одан шығатын жазық поляризацияланған жарықтың интенсивтiлiгi ... тең болады.
a)
|I=Iо
b)
|I=Iо/2
c)
|I=0
d)
|I=Iо/4
e)
|I=Iо/5
22.
~Анализаторды i=180 градусқа бұрғанда,одан шығатын жазық поляризацияланған жарық сәулесiнiң интенсивтiлiгi ... тең болады.
a)
|I=Iо
b)
|I=0
c)
|I=Iо/2
d)
|I=Iо/3
e)
|I=Iо/4
23.
~Егер поляризатор мен анализатордың поляризация жазықтығы бiр-бiрiне параллель болса, онда анализатордан өткен жарық интенсивтiлiгi:
a)
|I=Iо
b)
|I=0
c)
|I=2*Iо
d)
|I=Iо/2
e)
|I=1
24.
~Егер поляризатор мен анализатордың поляризацияжазықтығы бір-бiрiне перпендикулярболса, онда анализатордан өткен жарық интенсивтілігі:
a)
|I=0
b)
|I=1
c)
|I=Iо
d)
|I=2*Iо
e)
|I=Iо/2
25.
~Заттардың оптикалық белсендiлігін өлшейтiн құрал:
a)
|поляриметр
b)
|вискозиметр
c)
|спектрофотометр
d)
|рефрактометр
e)
|интерферометр
26.
~Кез-келген зат арқылы өткен жарықтың интенсивтiлiгiнiң әлсіреуін ... деп атайды.
a)
|жұтылу
b)
|поляризация
c)
|рефракция
d)
|сыну
e)
|шашырау
27.
~ T=IL/I0 қатынасымен анықталатын шаманы ... деп атайды.
a)
|өткiзу коэффициентi
b)
|жұтылудың монохроматтық көрсеткiшi
c)
|жұтылу коэффициентi
d)
|әлсiреу коэффициентi
e)
|жұтылудың когеренттiк көрсеткiшi
28.
~Бугер-Ламберт-Бер заңы тек жұтылу көрсеткiшi ... сәулелер үшiн ғана орындалады.
a)
|тұрақты болып келген монохроматты
b)
|айнымалы болып келген монохроматты
c)
|тұрақты болып келген монохроматты емес
d)
|айнымалы болып келген когеренттi
e)
|тұрақты болып келген когеренттi
29.
~ D=lg(1/T) қатынасымен анықталатын шаманы ... деп аталады.
a)
|ерiтiндiнiң оптикалық тығыздығы
b)
|жұтылу коэффициентi
c)
|жұтылу көрсеткiшi
d)
|ерiтiндiнiң тығыздығы
e)
|ерiтiндiнiң концентрациясы
30.
~Генераторлы термоэлектрлік датчик ... құбылысына негізднлген.
a)
|термо-ЭҚК-тің тұйық контурда пайда болу
b)
|деформация кезінде пьезокристал бетінде зарядтардың пйда болу
c)
|магнит өрісінің ағыны өзгергенде тұйық контурда индукция ЭҚК-нің пайда болу
d)
|фотоэффекті
e)
|өткізгіш кеднргісінің температураға тәуелді болу
31.
~Индукциялық гнераторлы датчик ... құбылысына негізднлген.
a)
|магнит өрісінің ағыны өзгергенде тұйық контурда индукция ЭҚК-нің пайда болу
b)
|деформация кезінде пьезокристал бетінде зарядтардың пйда болу
c)
|термо-ЭҚК-тің тұйық контурда пайда болу
d)
|фотоэффекті
e)
|өткізгіш кеднргісінің температураға тәуелді болу
32.
~Оптикалық генераторлы датчик ... құбылысына негізделген.
a)
|фотоэффекті
b)
|деформация кезінде пьезокристал бетінде зарядтардың пайда болу
c)
|термо-ЭҚК-тің тұйық контурда пайда болу
d)
|магнит өрісінің ағыны өзгергенде тұйық контурда индукция ЭҚК-нің пайда болу
e)
|өткізгіш кеднргісінің температураға тәуелді болу
33.
~Терморезисторлы генераторлы датчик ... құбылысына негізделген.
a)
|өткізгіш және жартылай өткізгіш кедергісінің температураға тәуелді болу
b)
|деформация кезінде пьезокристал бетінде зарядтардың пйда болу
c)
|магнит өрісінің ағыны өзгергенде тұйық контурда индукция ЭҚК-нің пайда болу
d)
|фотоэффекті
e)
|термо-ЭҚК-тің тұйық контурда пайда болу
34.
~Пъезоэлектрлік генераторлы датчик ... құбылысына негізделген.
a)
|деформация кезінде пьезокристал бетінде зарядтардың пйда болу
b)
|өткізгіш және жартылай өткізгіш кеднргісінің температураға тәуелді болу
c)
|магнит өрісінің ағыны өзгергенде тұйық контурда индукция ЭҚК-нің пайда болу
d)
|фотоэффекті
e)
|термо-ЭҚК-тің тұйық контурда пайда болу
35.
~Механикалық деформация кезінде пъезокристалдардың беттерінде зарядтардың пайда болу құбылысына негізделген генераторлы датчикті ... деп атайды.
a)
|пъезоэлектірлі
b)
|оптикалы
c)
|термоэлектірлік
d)
|терморезисторлыты
e)
|сиымдылықты
36.
~Контурдан өткен магнит ағынының өзгерген кезде индукциялық э.қ.к. пайда болу құбылысына негізделген генераторлы датчикті ... деп атайды.
a)
|индукциялы
b)
|оптикалы
c)
|термоэлектірлі
d)
|терморезисторлы
e)
|сиымдылық
37.
~Термо-ЭҚК-тің тұйық контурда пайда болу құбылысына негізделген генераторлы датчикті ... деп атайды.
a)
|термоэлектірлі
b)
|пъезоэлектірлі
c)
|оптикалы
d)
|терморезисторлы
e)
|сиымдылықты
38.
~Фотоэффекті құбылысына негізделген генераторлы датчикті ... деп атайды.
a)
|оптикалы
b)
|термоэлектірлі
c)
|пъезоэлектірлі
d)
|терморезисторлы
e)
|сиымдылықты
39.
~Өткізгіш және жартылай өткізгіш кедергісінің температураға тәуелді болу құбылысына негізделген генераторлы датчикті ... деп атайды.
a)
|терморезисторлы
b)
|термоэлектірлі
c)
|пъезоэлектірлі
d)
|оптикалы
e)
|сиымдылықты
40.
~Актив кедергі өзгерісінің тәуелділігіне негізделген параметрлік датчикті ... деп атайды.
a)
|реостатты
b)
|сиымдылықты
c)
|терморезисторлы
d)
|индуктивті
e)
|тензометірлі
41.
~Жартылай өткізгіш кедергісінің жарық ағынының өзгеруіне негізделген параметрлік датчикті ... деп атайды.
a)
|фоторезисторлы
b)
|сиымдылықты
c)
|терморезисторлы
d)
|индуктивті
e)
|тензометірлі
42.
~Механикалық деформация әсерінен өткізгіш кедергісінің өзгеруіне негізделген параметрлік датчикті ... деп атайды.
a)
|тензометірлі
b)
|фоторезисторлылы
c)
|сиымдылықты
d)
|терморезисторлы
e)
|индуктивті
43.
~Индуктивтілігі магнитөткізгішінің элементтері орналасуының өзгеруіне негізделген параметрлік датчикті ... атайды.
a)
|индуктивті
b)
|сиымдылықты
c)
|реостатты
d)
|тензометірлі
e)
|терморезисторлы
44.
~Жартылай өткізгіш кедергісінің температураға байланысты өзгеруіне негізделген параметрлік датчикті ... атайды.
a)
|терморезисторлы
b)
|сиымдылықты
c)
|реостатты
d)
|индуктивті
e)
|тензометірлі
45.
~Сиымдылық кедергісінің өзгеруіне негізделген параметрлік датчикті ... атайды.
a)
|сиымдылықты
b)
|реостатты
c)
|терморезисторлы
d)
|индуктивті
e)
|тензометірлі
46.
~Тензометірлі параметрлік датчик ... өзгеруіне негізделген.
a)
|механикалық деформация әсерінен өткізгіш кедергісінің
b)
|индуктивтілігі магнитөткізгішінің элементтері орналасуының
c)
|жартылай өткізгіш белсенді кедергісінің температурасының
d)
|жартылай өткізгіш кедергісінің жарық ағынының
e)
|сиымдылық кедергісінің
47.
~Индуктивті параметрлік датчик ... өзгеруіне негізделген.
a)
|индуктивтілігі магнитөткізгішінің элементтері орналасуының
b)
|жартылай өткізгіш белсенді кедергісінің температура
c)
|жартылай өткізгіш кедергісінің жарық ағынының
d)
|сиымдылық кедергісінің
e)
|механикалық деформация әсерінен өткізгіш кедергісінің
48.
~Терморезисторлі параметрлік датчик ... өзгеруіне негізделген.
a)
|жартылай өткізгіш белсенді кедергісінің температура
b)
|индуктивтілігі магнитөткізгішінің элементтері орналасуының
c)
|жартылай өткізгіш кедергісінің жарық ағынының
d)
|сиымдылық кедергісінің
e)
|механикалық деформация әсерінен өткізгіш кедергісінің
49.
~Фоторезисторлі параметрлік датчик ... өзгеруіне негізделген.
a)
|жартылай өткізгіш кедергісінің жарық ағынының
b)
|сиымдылық кедергісінің
c)
|жартылай өткізгіш белсенді кедергісінің температура
d)
|индуктивтілігі магнитөткізгішінің элементтері орналасуының
e)
|механикалық деформация әсерінен өткізгіш кедергісінің
50.
~Сиымдылықты параметрлік датчик ... өзгеруіне негізделген.
a)
|сиымдылық кедергісінің
b)
|жартылай өткізгіш кедергісінің жарық ағынының
c)
|жартылай өткізгіш белсенді кедергісінің температура
d)
|механикалық деформация әсерінен өткізгіш кедергісінің
e)
|индуктивтілігі магнитөткізгішінің элементтері орналасуының