Worksheets物理2学期中間復習クイズ
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Worksheet time: 44mins
オームの法則において、比例しているものの組み合わせとして正しいものをすべて選べ。
電圧 と 電流
電圧 と 抵抗
抵抗 と 電流
電流の説明として正しいものをすべて選べ。
単位時間[s]あたりに通過する電気量[C]
電流の向きは自由電子の流れる向きと逆
電流の向きは自由電子の流れる向きと同じ
電気量[C]と時間[s]の積
抵抗値は導線の長さ及び太さ(断面積)とどのような関係があるか、正しいものをすべて選べ。
長さに比例する
太さ(断面積)に反比例する
長さに反比例する
太さ(断面積)に比例する
R[Ω]の抵抗に電圧V[V]を加え、電流I[A]をt秒間流したときのジュール熱Q[J]として正しいものをすべて選べ。
Q=IVt
Q=I2Rt
Q=RV2t
Q=RIt
Q=IR2t
R[Ω]の抵抗に電圧V[V]を加え、電流I[A]をt秒間流したときの電力量W[J]として正しいものをすべて選べ。
W=IVt
W=I2Rt
W=RV2t
W=RIt
W=IV2t
R[Ω]の抵抗に電圧V[V]を加え、電流I[A]を流したときの電力P[W]として正しいものをすべて選べ。
P=IV
P=I2R
P=RV2
P=RI
P=VI2
抵抗 R1, R2 を直列接続したときの合成抵抗 R は?
R=R1+R2
R1=R11+R21
抵抗 R1, R2 を並列接続したときの合成抵抗 R は?
R=R1+R2
R1=R11+R21
電子の運動による電流のモデル化の式「I=envS」に関して、導体の断面を1秒間に通過する電子の数[個]はどう表されるか。
nvS
vS
envS
nS
evS
電子の運動による電流のモデル化の式「I=envS」に関して、導体の電子密度[個/ m3 ]はどう表されるか。
n
v
e
S
電子の運動による電流のモデル化の式「I=envS」に関して、電子の平均の速さ[m/s]はどう表されるか。
n
v
e
S
電子の運動による電流のモデル化の式「I=envS」に関して、電子1個あたりの電気量の大きさ[C]はどう表されるか。
n
v
e
S
電子の運動による電流のモデル化の式「I=envS」に関して、導体の断面積[㎡]はどう表されるか。
n
v
e
S
電子の運動による電流のモデル化の式「I=envS」に関して、電子が1秒間に移動する距離[m]はどう表されるか。
n
v
e
S
電子の運動による電流のモデル化の式「I=envS」に関して、導体の断面を1秒間に通過する電気量[C]はどう表されるか。
nvS
vS
envS
nS
evS
温度0℃での抵抗率を ρ0 、抵抗率の温度係数を α としたとき、温度 t ℃での抵抗率 ρ はどう表されるか。
ρ=ρ0(1+αt)
ρ=ρ0(1−αt)
ρ=α(1+ρ0t)
ρ=α(1−ρ0t)
2つ以上の抵抗を直列接続した回路で、各抵抗において等しい値となるのはどちらか。
電流
電圧
2つ以上の抵抗を並列接続した回路で、各抵抗において等しい値となるのはどちらか。
電流
電圧
内部抵抗が大きいのはどちらか。
電流計
電圧計
電気量保存の法則やオームの法則などをもとに拡張した法則の正しい表記はどれか。
キルヒホッフの法則
キルヒッホフの法則
キルホヒッフの法則
キヒルホッフの法則
キヒルッホフの法則
キルヒホッフの法則Ⅰの説明として正しいものはどれか。
回路中の交点について、
流れ込む電流の和
=
流れ出る電流の和
回路中の交点について、
流れ込む電流の積
=
流れ出る電流の積
回路中の一回りの閉回路について、
起電力の和
=
電圧降下の和
回路中の一回りの閉回路について、
起電力の積
=
電圧降下の積
キルヒホッフの法則Ⅱの説明として正しいものはどれか。
回路中の交点について、
流れ込む電流の和
=
流れ出る電流の和
回路中の交点について、
流れ込む電流の積
=
流れ出る電流の積
回路中の一回りの閉回路について、
起電力の和
=
電圧降下の和
回路中の一回りの閉回路について、
起電力の積
=
電圧降下の積
起電力E、内部抵抗r、電流Iの電池の電圧Vは?
V=E-rI
V=E+rI
V=I-rE
V=I+rE
図のようなホイートストンブリッジで、検流計に電流が流れないときに成り立つ関係式をすべて選べ。
R4R1=R3R2
R2R1=R3R4
R2R1=R4R3
R1R2=R3R4
R1R3=R2R4
コンデンサーを含む回路について述べた次の文章のうち、正しいものをすべて選べ。
スイッチを入れた瞬間は、コンデンサーの極板間の電位差は0である
スイッチを入れた瞬間に、コンデンサーの極板間の電位差は電源と等しくなる
スイッチを入れて十分に時間が経過した後、コンデンサーに電流は流れない
スイッチを入れて十分に時間が経過した後、コンデンサーにかかる電圧は0
Siの結晶に微量のPを加えてできる半導体は?
n型半導体
p型半導体
Siの結晶に微量のAlを加えてできる半導体は?
n型半導体
p型半導体
n型半導体とp型半導体を接合した半導体ダイオードは、どの向きに電流を流すか。
n→p
p→n
m [Wb]の磁極が磁場 H [N/Wb]から受ける力 F [N]は?
F =mH
F=mH
F =Hm
水平面と垂直に下から上向きに流れる直線電流の周りの磁場の向きと形は?
水平面と平行に反時計回りの円形
水平面と平行に時計回りの円形
直線電流と平行で同じ向きの直線形
直線電流と平行で逆向きの直線形
水平面と平行で時計回りの円形電流の周りの磁場の向きと形は?
水平面と平行に反時計回りの円形
水平面と平行に時計回りの円形
水平面に垂直に円の中心を上から下向きの直線形
水平面に垂直に円の中心を下から上向きの直線形
図のようなソレノイドの周囲に発生する磁場の向きと形は?
ソレノイド内の円柱の中心を通る右向きの直線形
ソレノイド内の円柱の中心を通る左向きの直線形
フレミング左手の法則において、親指が表すのはどれか。
電流 I
磁場 H
力 F
フレミング左手の法則において、人差し指が表すのはどれか。
電流 I
磁場 H
力 F
フレミング左手の法則において、中指が表すのはどれか。
電流 I
磁場 H
力 F
磁場内の長さ L の導線を流れる電流 I が磁束密度 B の磁場から受ける力 F の大きさは?
F=BIL
F=LBI
F=ILB
F=BIL
F=BIL1
透磁率 μ 、強さ H の磁場の磁束密度 B は?
B=μH
B=Hμ
B=μH
B=μH2
磁束 Φ と磁束密度 B の関係は?
Φ=BS
(S:面積)
Φ=BI
(I:電流)
Φ=BL
(L:導線の長さ)
Φ=BH
(H:磁場の強さ)
電気量q[C]の粒子が磁束密度B[T]の磁場に垂直に速さv[m/s]で運動しているとき、粒子に働くローレンツ力の大きさF[N]は?
F=qvB
F=vqB
F=Bqv
F=qvB1
コイルに上から磁石のN極を近づけたときに発生する誘導起電力と同じ向きに誘導起電力が発生するものをすべて選べ。
上でS極を遠ざける
上でN極を遠ざける
上でS極を近づける
下でN極を遠ざける
下でN極を近づける
N回巻きコイルを貫く磁束が時間 Δt (s)の間に ΔΦ (Wb)だけ変化するときに生じる誘導起電力V(V)は?
V=−N ΔtΔΦ
V=N ΔtΔΦ
V=−N ΔΦΔt
V=N ΔΦΔt
水平面に置いた1巻きコイルを下から上に貫く磁束が増加したとき、誘導起電力の向きはどちらか。
時計回り
反時計回り
水平面に置いた1巻きコイルを下から上に貫く磁束が減少したとき、誘導起電力の向きはどちらか。
時計回り
反時計回り
磁束密度 B の磁場を速さ v で横切る長さ l に生じる誘導起電力 V は?
V=vBl
V=lvB
V=Blv
V=vBl
