WorksheetsDISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DISCRETOS
Total questions: 19
Worksheet time: 18mins
Los (a) son una clase especial de elementos cuya conductividad se encuentra entre la de un buen conductor y la de un aislante
Se componen de dos o más materiales semiconductores de diferentes estructuras atómicas
arsenurio de galio(GaAs), sulfuro de cadmio ( CdS), nitruro de galio (GaN), fosfuro de galio y arsénico (GaAsP)
Germanio ( Ge) y el silicio (Si)
Se componen de 3 partículas básicas: electrón, protón y neutrón.
(a)
Aparecen en órbitas alrededor del átomo
(a)
Cualquier electrón que se haya separado de la estructura entrelazada fija y es muy sensible a cualquier campo eléctrico aplicado como el establecido por fuentes de voltaje o por cualquier causa de diferencia de potencial
(a)
El termino int (a) se aplica a cualquier material semiconductor que haya sido cuidadosamente refinado para reducir el número de impurezas a un nivel muy bajo. Lo más puro posible que se pueda fabricar utilizando la tecnología.
Los electrones libres presentes en un material debido a sólo causas externas se conocen como
POR____ INT_____
(a)
Material semiconductor que ha sido sometido al proceso de dopado se conoce como material ex (a)
Un material tipo_ se crea introduciendo elementos de impureza que contienen 5 electrones de valencia (pentavelantes), como el antimonio, el arsénico y el fósforo. Se forman agregando un número predeterminado de átomos de impureza a una base de silicio.
(a)
El material tipo (a) se forma dopando un cristal de germanio o silicio puro con átomos de impureza que tienen 3 electrones de valencia. Los elementos más utilizados para este propósito son boro, galio e indio.
Se crea uniendo un material tipo n a un material tipo p. Sólo es la unión de un material con un portador mayoritario de electrones a uno con portador mayoritario de huecos.
(a)
La corriente en condiciones de polarización en inversa se llama corriente de sat____ inv____ y está representado por Is.
(a)
Las características generales de un diodo semiconductor se pueden definir mediante la ecuación de Shockley para las regiones de polarización inversa o directa.
(a)
Hay un punto donde la aplicación de un voltaje demasiado negativo producirá un cambio abrupto de las características.
R z
(a)
La corriente se incrementa muy rápido en una dirección opuesta a la de la región de voltaje positivo. El potencial de polarización en inversa que produce este dramático cambio se llama.
P Z
(a)
Se comporta como un interruptor mecánico en el sentido de que puede controlar el flujo de corriente entre sus dos terminales.
d___ s___
(a)
Las impurezas difundidas con 3 electrones de valencia se llaman á_____ re_____
(a)
Forman el núcleo de los átomos
N Y P
(a)
Tienen una estructura cristalina repetitiva.
Germanio (Ge) y el silicio (Si)
arsenurio de galio(GaAs), sulfuro de cadmio ( CdS), nitruro de galio (GaN), fosfuro de galio y arsénico (GaAsP)
