wayground logo

Free Printable Worksheets

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

Тест 65.66. лекција УАР

Total questions: 28

Worksheet time: 17mins

Name
Class
Date
1.

Како се другачије назива латенција?

a)

Толкинг

b)

Тренинг

c)

Тајминг

d)

Тајм

2.

Шта је лантенција?

a)

Време које је потребно да процесор латентно припреми податке.

b)

Време које протекне од тренутка када процесор затражи податак од меморије, до тренутка када се тај податак нађе у регистру процесора

c)

Време које је потребно процесору да се припреми да би меморија могла из ње да прочита одређени податак.

d)

Време које је потребно меморији да се припреми да би процесор могао из ње да прочита одређени податак.

3.

У чему се мери латенција?

a)

У битовима

b)

У тактовима

c)

У херцима

d)
У милисекундама
4.

Када се понављају латенције?

a)
Када се подаци шаљу само једном.
b)
Када се подаци шаљу на различите адресе.
c)
Када се подаци шаљу у различитим форматима.
d)

При сваком приступу меморији

5.

  Шта је CAS (Column Access Strobe или CL)?

a)

Време потребно да се приступи одређеном реду података у RAM  меморији. 

b)

Време потребно да се приступи колони података у RAM-у (тј. DRAM-у)

c)

Време које прође између између RAS и CAS одзива.

d)

Време које прође између регистровања реда и колоне података, до самог ишчитавања истих.

e)

Време од прекидања приступа једном реду података у меморији и  омогућења приступа другом реду података

6.

  Шта је RAS (Row Access Strobe)?

a)

Време потребно да се приступи одређеном реду података у RAM  меморији. 

b)

Време потребно да се приступи колони података у RAM-у (тј. DRAM-у)

c)

Време које прође између између RAS и CAS одзива.

d)

Време које прође између регистровања реда и колоне података, до самог ишчитавања истих.

e)

Време од прекидања приступа једном реду података у меморији и  омогућења приступа другом реду података

7.

  Шта је RAS to CAS Delay (RCD)?

a)

Време потребно да се приступи одређеном реду података у RAM  меморији. 

b)

Време потребно да се приступи колони података у RAM-у (тј. DRAM-у)

c)

Време које прође између између RAS и CAS одзива.

d)

Време које прође између регистровања реда и колоне података, до самог ишчитавања истих.

e)

Време од прекидања приступа једном реду података у меморији и  омогућења приступа другом реду података

8.

  Шта је RAS Precharge (RP)?

a)

Време потребно да се приступи одређеном реду података у RAM  меморији. 

b)

Време потребно да се приступи колони података у RAM-у (тј. DRAM-у)

c)

Време које прође између између RAS и CAS одзива.

d)

Време које прође између регистровања реда и колоне података, до самог ишчитавања истих.

e)

Време од прекидања приступа једном реду података у меморији и  омогућења приступа другом реду података

9.

Како се назива параметар који показује колико брзо меморија прелази из једног у друго стање, при дохватању податак?

a)

Такт меморије

b)

Латенција

c)

Дужина сабирнице

d)

Ширина сабирнице

10.

Како се назива параметар који показује параметар који показује колико брзо се подаци могу преносити?

a)

Такт меморије

b)

Латенција

c)

Дужина сабирнице

d)

Ширина сабирнице

11.

Како се назива параметар меморије који показује колико података се преноси по такту?

a)

Такт меморије

b)

Латенција

c)

Дужина сабирнице

d)

Ширина сабирнице

12.

Шта би требала да има најбржа меморија?

a)

Високе латенције, висок такт и најширу могућу сабирницу.

b)

Ниске латенције, висок такт и најширу могућу сабирницу.

c)

Ниске латенције, низак такт и најширу могућу сабирницу.

d)

Ниске латенције, висок такт и најужу могућу сабирницу.

e)

Високе латенције, низак такт и најширу могућу сабирницу.

13.

Кад се јављају грешке код полупроводничке меморије?

a)

Приликом уписа и читања.

b)

Приликом уписа и брисања.

c)

Приликом записа и читања.

d)

Приликом записа и брисања.

14.

Какве могу бити грешке?

a)

Софтверске

b)

Повремене

c)

Хардверске

d)

Привремене

15.

Код које грешке меморијска ћелија не може поуздано да складишти податке?

a)
Грешке у преносу (transfer errors)
b)

Хардверске грешке

c)
Грешке у читању (read errors)
d)

Привремена грешка

16.

Која грешке је случајан, недеструктиван догађај, који мења садржај једне или више меморијских ћелија, без оштећења меморије?

a)
Грешке у преносу (transfer errors)
b)

Хардверске грешке

c)

Привремена грешка

d)
Грешке у писању (write errors)
17.

Који су узроци хардверских грешака?

a)

Механичка оштећења

b)

Проблеми у напајању

c)

Грешке у производњи

d)

Истрошеност

e)

Алфа честице које настају из радиоактивног распадања радиоактивних језгара

18.

Који су узроци привремених грешака?

a)

Механичка оштећења

b)

Проблеми у напајању

c)

Грешке у производњи

d)

Истрошеност

e)

Алфа честице које настају из радиоактивног распадања радиоактивних језгара

19.

Шта се користи за заштиту од грешака?

a)

кодови за откривање

b)

кодови за прекривање

c)
switch-case конструкција
d)
for петља
20.

Шта добија свака меморијска реч код исправљања грешака?

a)
податковни бит
b)
контролни бит
c)

додатне битове

d)
парни бит
21.

Код ког решења за отпорности на грешке штета од могућих грешака у меморији има битан утицај на поузданост система?

a)

parity меморије

b)

​ECC

c)

Error Correcting Code

d)

парност (parity) меморије

22.

Код ког решења за отпорности на грешке меморије су скупље?

a)

parity меморије

b)

​ECC

c)

Error Correcting Code

d)

парност (parity) меморије

23.

Код ког решења за отпорности на грешке могуће је да се исправи грешка у једном биту ?

a)

parity меморије

b)

​ECC

c)

Error Correcting Code

d)

парност (parity) меморије

24.

Код ког решења за отпорности на грешке могуће је да систем може да настави са радом без прекидања и без погрешних података?

a)

parity меморије

b)

​ECC

c)

Error Correcting Code

d)

парност (parity) меморије

25.

Код ког решења за отпорности на грешке меморија релативно спора?

a)

parity меморије

b)

​ECC

c)

Error Correcting Code

d)

парност (parity) меморије

26.

Које решење за отпорности на грешке је погодније за сервере?

a)

parity меморије

b)

​ECC

c)

Error Correcting Code

d)

парност (parity) меморије

27.

Која су најзначајнија решења отпорности на грешке код данашњих меморијских модула?

a)
ECC меморија, парно-паритетна провера и исправка грешака, хардверски и софтверски механизми за детекцију и исправку грешака
b)
Паралелна провера грешaka, софтверски механизми за исправку грешaka
c)
RAID меморија, хардверски механизми за детекцију грешaka
d)
Случајна провера грешaka, хардверски механизми за исправку грешaka
28.

Код ког решења за отпорности на грешке не могу да се утврде или поправе неисправни битови?

a)

parity меморије

b)

​ECC

c)

Error Correcting Code

d)

парност (parity) меморије

Similar Resources on Wayground

Занятие 27_11(STEM И Lego Mindstorms EV3)

23 questions

Занятие 27_11(STEM И Lego Mindstorms EV3)

quiz

Worksheet

•

6th - 8th Grade

Мова HTML

25 questions

Мова HTML

quiz

Worksheet

•

1st - 12th Grade

6 клас - входно

23 questions

6 клас - входно

quiz

Worksheet

•

1st - 12th Grade

Python_1

25 questions

Python_1

quiz

Worksheet

•

6th - 8th Grade

6 клас. Моделі

23 questions

6 клас. Моделі

quiz

Worksheet

•

6th Grade

Транспортні засоби_СТЕМ

25 questions

Транспортні засоби_СТЕМ

quiz

Worksheet

•

6th Grade

ТЕСТ 1 УАР

28 questions

ТЕСТ 1 УАР

quiz

Worksheet

•

6th Grade

Занятие 10_05-IT-Старт-Лид

30 questions

Занятие 10_05-IT-Старт-Лид

quiz

Worksheet

•

6th - 8th Grade