WorksheetsĐiện tử công suất bài 1
Total questions: 30
Worksheet time: 15mins
Tiristor và Diode giống nhau ở điểm nào?
Tạo bởi các chất bản dân loại P và loại N
Có ba cục
Là các van có điều khiến
- Có hai cực
Diode bán dẫn là linh kiện có đặc điểm nào?
- Là linh kiện có 1 tiếp giáp P-N
- Là linh kiện có 2 tiếp giáp P-N
- Là linh kiện có 3 tiếp giáp P-N
- Cả 3 đáp án trên
Transitor công suất thường được sử dụng trong các mạch với vai trò?
- Như các công tắc đóng ngắt các mạch điện
- Mạch công suất lớn
- Mạch chịu nhiệt độ cao
- Mạch công suất có tần số cao
Đâu là ký hiệu của TRIAC
Tranzito là linh kiện có đặc điểm như nào?
- Là linh kiện bán dẫn có 2 tiếp giáp P-N
- Là linh kiện bán dẫn có 3 tiếp giáp P-N
- Là linh kiện bán dẫn có 1 tiếp giáp P-N
- Cả 3 đáp án trên đều sai
Tiristor là linh kiện có đặc điểm gì
- Là linh kiện bán dẫn có 3 tiếp giáp P-N
- Là linh kiện bán dẫn có 2 tiếp giáp P-N
- Là linh kiện bán dẫn có 1 tiếp giáp P-N
- Là linh kiện bán dẫn có 4 tiếp giáp P-N
Đặc tính Volt - Ampe của Triac bao gồm:
- 2 đoạn đặc tính ở góc phần tư thứ 1 và thứ 3 và đối xứng nhau qua gốc tọa độ
- 2 đoạn đặc tính đối xứng qua gốc tọa độ
- 2 đoạn đặc tính ở góc phần tư thứ 2 và thứ 4
- 2 đoạn đặc tính ở góc phần tư thứ 1 và thứ 3
Diac là linh kiện tương đương của
- Hai SCR mắc nối tiếp ngược chiều nhau
- Hai SCR mắc song song ngược chiều nhau
- Hai diode mắc nối tiếp ngược chiều nhau
- Hai diode mắc song song ngược chiều nhau
Dòng điện rò là dòng điện có đặc điểm
- Là dòng điện chảy qua phần tử khi phần tử phân cực nghịch, có giá trị nhỏ, vài mA
- Có giá trị nhỏ, vài mA
Là dòng điện chảy qua phần tử khi phần tử phân cực thuận, có giá trị nhỏ, vài A
- Có giá trị rất nhỏ, vài µA
Tranzito là linh kiện bán dẫn có
- Ba lớp tiếp giáp P-N có ba cực là Bazo (B) coleter (C) và emito (E)
- Ba lớp tiếp giáp P-N có ba cực là anot(A) catot (N) và điều khiển (G)
- Một lớp tiếp giáp P-N có 2 cực là anot (A) và Calot (K)
- Hai lớp tiếp giáp P-N có ba cực là veter (B) conlecter (C) và emito (E)
Kí hiệu nào sau đây của diode bán dẫn
Tranzito (loại PNP) làm việc khi nào
- Các cực bazo (B) emito (E) được phân cực thuận và điện áp Uce < 0 ( với Uce là điện áp giữa hai cực clector (c) enter ( E )
- Các cực bâz (B) emio (E) được cực ngược và điện áp Uce >0 (với Uce là điện áp giữa hai cực colecte (C) enmito ( E )
Các cực bazo ( B ) emito ( E ) được phân cực thuận và điện áp Uce >0 ( với Uce là điện áp giữa hai cực colecto ( C ) emito ( E
- Các cực bazo ( B ) emito (E ) được phân cực ngược và điện áp Uce < 0 ( VỚI Uce là điện áp giữa 2 cực colecto (c) emito ( E )
chức năng nào dưới đây không phải của tranzito?
- là linh kiện điện tử để tạo xung
- là linh kiện điện tử dùng để chỉnh lưu
- là linh kiện điện tử dùng để KHUẾCH đại tín hiệu
- là linh kiện điện tử dùng để tạo sóng
chức năng nào dưới đây không phải của tranzito:
- là linh kiện điện tử để tạo xung
- là linh kiện điện tử dùng để chỉnh lưu
- là linh kiện điện tử dùng để KHUẾCH đại tín hiệu
- là linh kiện điện tử dùng để tạo sóng
linh kiện công suất là linh kiện có
- tất cả đáp án trên
- làm việc với dòng lớn, áp lớn
- dễ ghép với tấm nhôm tản nhiệt
- có hình dạng và kích thước lớn
Ba điện cực của BJT là gì?
- Phát[emitter], gốc[base], góp[collector]
- Nguồn [source], cổng [gate], máng [drain]
- T1, T2, T3
- Phát[emitter], cổng[gate], góp[collector]
Các BJT được phân loại thành
- các dạng NNP và PPN
- Các dạng PPN và PIN
- Các dạng PNP và NPN
- Dạng N và dạng P
Phát biểu nào sau đây đúng cho GTO (gate turn off SCR):
- GTO có cấu tạo giống như SCR nhưng có thêm cực điều khiến ngắt mắc song song với cực điều khiển đóng.
- GTO có cấu tạo giống như SCS, nhưng không có cực GA.
- GTO có cấu tạo giống như SCR nhưng có thêm cực điều khiến ngắt mắc đối diện với cực điều khiển đông.
- Các phát biểu trên đều sai.
Phát biểu nào sau đây đúng với IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor):
- IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Transistor và điện thế điều khiển lớn ở cực cống của Mosfet
- IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCS và điện thế điều khiển lớn ở cực cống của Mosfet.
- IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCR và điện thể điều khiển lớn ở cực cống của Mosfet.
- IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Triac và điện thể điều khiển lớn ở cực cổng của Mosfet
SCR được phân cực thuận và kích bằng xung có độ rộng 1 µs thì:
- Không dẫn
- Có thể dần nếu xung có biên độ lớn
- Chuyển sang trạng thái dẫn
- Tất cả đều sai
Khi dòng điều khiển IG = 0
- SCR sẽ dần cưỡng ép khi UAK > U thuận max
- SCR không dẫn
- SCR sẽ bị đánh thủng khi UAK > U thuận MAX
- Điện trở tương đương của SCR rất nhỏ
Tiristor sẽ bị đánh thủng khi
- Dòng kích cực cống cực đại
- Điện áp đặt trên anode-cathode là âm
- Điện áp đặt trên anode-cathode là dương
- Điện áp đặt trên anode-cathode là âm hơn giá trị điện áp ngược cực đại
Phát biểu nào sau đây đúng cho định nghĩa về tốc độ tăng thể thuận dv/dt:
- Là tốc độ tăng thế lớn nhất của anot mà SCR chưa dần, nếu vượt trị số này SCR sẽ dần
- Là tốc độ tăng thế lớn nhất của anot làm cho SCR dần điện
- Là tốc độ tầng thể nhỏ nhất của anot làm cho SCR dẫn điện
- Là tốc độ tăng thế nhỏ nhất của anot làm cho SCR chưa dân điện, nếu vượt trị số này SCR sẽ dần
Các làm tăng dòng IA để làm SCR từ trạng thái ngưng sang trạng thái dẫn , phát biểu nào sau đây là đúng
- Phát biểu (B), ( c) đúng
- Tăng nhiệt độ các mối nối bên trong SCR, hay tăng tốc độ tăng thế dv/dt tạo dòng nạp cho điện dung mối nối pn ( C)
- Tăng điện thế anot- làm tăng dòng rò ICBO - làm xảy ra hiện tượng hủy thác
- Tăng dòng IG để các transistor ( mạnh tương đương ) nhanh chóng đi vào trạng thái dần bão hòa ( B )
Phát biểu nào sau đây đúng cho định nghĩa về tốc độ tăng dòng thuận di/đt:
- Là trị số cực đại của tốc độ tăng dòng cho phép qua SCR, nếu vượt trị số này SCR sẽ hỏng
- Là trị số cực tiểu của tốc độ tăng dòng cho phép qua SCR, nếu vượt trị số này SCR sẽ dẫn
- Là trị số cực tiểu của tốc độ tăng dòng cho phép qua SCR, nếu vượt trị số này SCR sẽ hỏng
- Là trị số cực đại của tốc độ tăng dòng không cho phép qua SCR, nếu vượt trị số này SCR sẽ dẫn
Transistor công suất (BJT) được xem như là một công tắc bán dẫn có khả năng chịu được dòng điện lớn nên điện tính trong vùng phát phải thật lớn vì thế:
- Transistor được thiết kế độ rộng vùng phát hẹp để giảm điện trở nền ký sinh
- Transistor có cấu trúc xen kẻ (interdigitated structure) của nhiều cực nền và cực phát
- Transistor có điện trở cực phát rất nhỏ
- Tất cả đều đúng
Phát biểu nào sau đây đúng và thuận lợi trong việc kích dân Triac
- Dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac âm
- Dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac âm
- Dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac âm
- Dòng kích dương trong trường hợp dông qua triac dương, dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac âm
Để tác động cho SCR đang dẫn chuyển sang trạng thái ngưng, cách nào sau cách là đúng:
- Cắt bỏ nguồn cung cấp
- Dùng một bộ phận có điện trở thật nhỏ mắc song song với SCR để tạo dòng IA<IR (gọi là thắng động lực)
- Tạo VAK<0 (dòng xoay chiều hay xung giao hoán)
- Các phát biểu a, b, c đều đúng
Diode công suất ở trạng thái dẫn có điện áp UAK là:
- 0,2 V
- 0,6 V
- 0,3 V
- Lớn hơn 0,8 V
Linh kiện bán dẫn được chế tạo từ chất bán dẫn nào?
- Chất bán dẫn loại P và loại N
- Chất bán dẫn loại N
- Chất bán dẫn loại P
- Đáp án khác
