wayground logo

Free Printable Worksheets

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

1 РК БҚС

Total questions: 88

Worksheet time: 44mins

Name
Class
Date
1.

Жиілік синтезаторына қойылатын негізгі талаптарға мыналар жатады:

a)

кең диапазонды жиілікте жоғары жиілікті тербелістерді алу

b)

жолақтан тыс гармониктарды сүзу

c)

ақпараттық сигналды кодтау

d)

модуляция түрлерін түрлендіру

e)

міндетті түрде жоғары ПӘК-ті алу

2.

Қуат күшейткішіне (сыртқы қозу генераторы) қойылатын негізгі талаптарға мыналар жатады:

a)

берілген жиіліктегі және қуаттағы жоғары жиілікті тербелістерді алу

b)

кең диапазонды жиілікте жоғары жиілікті тербелістерді алу

c)

жоғары жиілікті тербелістердің талап бойынша қойылған тұрақтылығын қамтамасыз ету

d)

жолақтан тыс гармониктарды сүзу

e)

ақпараттық сигналды кодтау

3.

Модуляцияның аналогты түріне мыналар жатады:

a)

амплитудалық  модуляция

b)

амплитудалық манипуляция

c)

жиіліктік манипуляция

d)

фазалық манипуляция

e)

амплитудалық-импульстік модуляцияя

4.

Радиоқабылдағыш құрылғының негізгі функцияларына мыналар жатады:

a)

пайдалы сигналды бөгет сигналдар қоспасынан бөлу

b)

жолақтан тыс гармониктарды сүзу

c)

ақпараттық сигналдың цифрлі-аналогты түрледіруі

d)

ақпараттық сигналды декодалау

e)

демодуляция түрлерін түрлендіру

5.

Өткізгіштігінің типі әр түрлі жартылайөткізгіштің екі облысының шекарасындағы потециалдың секіруі немен түсіндіріледі:

a)

p-n ауысудың екі жағынан да компенсацияланбаған электр қабатының болуымен.

b)

Кристалл тордың құрылымының өзгеруімен.

c)

p-n өткел арқылы қозғалатын тасушыларды инжекциялаумен.

d)

Ішкі тоқ көзінің болуымен.

e)

Қозғалмайтын тасушылардың әр түрлі концентрациясымен.

6.

Қозғалатын тасушылардың концентрациясы қайда көп, p-n ауысу аймағында немесе оған түйіскен жартылай өткізгіш облыстарында ма?

a)

p-n өткелге түйіскен жартылай өткізгіштер аймақтарында.

b)

p-n ауысу аймағында.

c)

Түйіскен p-аймақта.

d)

Түйіскен n-аймақта.

e)

Шамамен бірдей.

7.

Дроссельдердің негізгі қолдану аясы:

a)

Кернеудің пульсациясын азайту.

b)

Тұрақты токқа жоғары индуктивтілік туғызу.

c)

Айнымалы токқа төменгі индуктивтілікті туғызу.

d)

Кернеудің пульсациясын көбейту.

e)

Тұрақты ток тізбегінде үлкен кедергі туғызу.

8.

Радиоқабылдағыш құрылғының негізгі  электрлік көрсеткіштеріне  мыналар жатады:

a)

сезімталдылық

b)

эргономділік

c)

жұмыстың тұрақтылығы мен  ұстанымдылығы

d)

жөндеу жұмысына жарамдылығы

e)

сенімділік

9.

Гетеродинді қабылдағыштың тура күшейткіш қабылдағышынан айырмашылығы:

a)

жиілік түрлендіргішінің барымен

b)

аралық жиілік күшейткішінің барымен

c)

детектордың барымен

d)

дыбыс жиілік күшейткішінің барымен

e)

антеннаның барымен

10.

Жартылай өткізгіш диодтың негізгі сипаттамалары:

a)

Кемтіктер мен электрондар.

b)

Таралудың шектік қуаты.

c)

Тура кернеудің шекті мәні.

d)

Жылдамдылық, ауысудың тура кернеуі.

e)

Импульстық ток.

11.

Қандай шалаөткізгіш n-тектес деп аталады?

a)

Донорлық қоспалары өте көп шалаөткізгіштер.

b)

Қоспалары жоқ таза шалаөткізгіштер.

c)

Негізгі заряд тасушылары болмайтын жартылайөткізгіштер.

d)

Негізгі заряд тасушылар кемтіктер болатын шалаөткізгіштер.

e)

Акцепторлармен легирленген меншікті жартылайөткізгіштер.

12.

Қандай шалаөткізгіш р-тектес деп аталады?

a)

Акцепторлық қоспалары өте коп шалаөткізгіштер.

b)

Негізгі заряд тасушылары қоспа болатын жартылайөткізгіштер.

c)

Қоспалары жоқ таза шалаөткізгіштер.

d)

Донорлармен легирленген меншікті шалаөткізгіш.

e)

Негізгі заряд тасушылар электрондар болатын шалаөткізгіштер.

13.

Электро сүзгі дегеніміз:

a)

Бір жиіліктердің электрлік тербелістерін өткізіп екінші жиіліктердің электрлік тербелістерін ұстап қалатын құрылғы.

b)

Барлық жиіліктердің электрлік тербелістерін ұстап қалатын құрылғы.

c)

Барлық жиіліктердің электрлік тербелістерін өткізетін құрылғы.

d)

Электро сүзгілер жиіліктерге қатысы жоқ.

e)

Үнемі келіп отырған жиілктердің электрлік тербелістерін кері қайтарып жіберетін құрылғы.

14.

Инвертор:

a)

Тұрақты тоқты айнымалы тоққа түрлендіруші.

b)

Тұрақты кернеуді тұрақты кернеуге түрлендіруші, бірақ деңгейі өзгеше (кіріс кернеуді айнымалыға аралық түрлендіру және қажетті деңгейге трансформация).

c)

Айнымалы тоқты тұрақты тоққа түрлендіреді.

d)

Бір кірісі және бір шығысы бар электрондық құрылғы.

e)

Тұрақты кернеуді айнымалы кернеуге түрлендіруші.

15.

Буферлік күшейткіш бұл қандай күшейткіш?

a)

Қайталағыш болып табылатын күшейткіш.

b)

Кернеу бойынша күшейту коэффиценті жоғары.

c)

Бір мезетте тоқ және кернеу бойынша дабылдарды күшейтетін.

d)

Өрістік транзистор негізінде жасалған күшейткіш.

e)

Шығыс кедергісі нөлдік болатын кернеу генераторы.

16.

Пойтинг векторы өлшемі  анықталады:

a)

Е электрлік кернеулігімен

b)

В магниттік индукциясымен

c)

Ф магниттік ағынымен

d)

g шектік электрөтімділігімен

e)

Е және Ф бұрыштары арасымена

17.

Жоғары жиілікті диапазондарда  ең көп кері әсерін мыналар тигізеді:

a)

флуктуационды шуылдар

b)

Көрші радиостансалардан келетін сигнал

c)

айналы канал  арқылы келетін бөгеулер

d)

аралық жиілік каналы арқылы келетін бөгеулер

e)

атмосфералық бөгеулер

18.

Радиотолқындардың Герц диполімен сәуле шығаруы  мыналардың себебінен болады:

a)

тербеліп тұрған электр зарядтарынан

b)

дипольдің кеңістіктегі вертикаль орналасуы

c)

келтірілген тұрақты энергияның сыртқы источниктан

d)

мінсіз қоршаған ортадан

e)

дипольдің күшейткіш коэффициентінен

19.

Басқаларына қарағанда, электролитикалық конденсаторлардың ерекшеліктері:

a)

Сыйымдылық шамасы жоғары.

b)

Сыйымдылық шамасын реттеу мүмкіншілігі бар.

c)

Үлкен габаритті размерлері бар.

d)

Сыйымдылық және кернеу шамалары жоғары.

e)

Құрамында электролит бар.

20.

Симметриялық вибратор:

a)

бұл линия, соңында ажыратылған және 180°-қа айналған

b)

барлық жағына бір қалыпты шашырайды

c)

тік жазықтықта тар диаграммалы бағытта болады

d)

сымдар арасында нақты индуктивтілігі бар 

e)

сымдар арасында нақты сыйымдылық бар

21.

Аспапта вольтамперлік сипаттамасының  кері тармағы бар және ол тура тармағына шағылысқан симметриялы, айналдыру жиілігін реттеу үшін қолданылады:

a)

Семистор.

b)

Транзистор

c)

Варикап

d)

Туннельдік диод

e)

Диод

22.

Стабилитронның негізгі параметрі болып табылады:

a)

Диффернециалды және статикалық кедергі

b)

Ағу тогы, тез әсер ету, анод тогы.

c)

База тогы, коллектор тогы.

d)

Эмиттер тогы.

e)

Қосу кернеуі және басқару тогы

23.

Фотодиод арналған:

a)

Жарық ағынын инфрақызыл түрде беру үшін.

b)

Жарықты прибор шкалалары арқылу беру үшін.

c)

Фотография алу үшін.

d)

Температураны бақылау үшін.

e)

Жарық ағынын бақылау үшін.

24.

Тұрақты резистор қандай негізгі электрлік параметрлермен сипатталады?

a)

Резистор түрі.

b)

Кедергі көлемі.

c)

Гарбариті.

d)

Бұрылу бұрышы.

e)

Ұзындық, ен, салмақ

25.

Жартылай өткізгіштегі заряд тасушылары дрейфі дегеніміз не?

a)

Тасушылардың электр өрісі есебінен қозғалысы.

b)

Хаостық жылулық қозғалыс.

c)

Концентрациялар айырымы есебінен қозғалыс.

d)

Тасушылардың әр түрлі типті өткізгіштігі есебінен қозғалу.

e)

Электр өрісінің әсерімен.

26.

р-n ауысу дегеніміз не?

 

a)

Сызықты емес вольт-амперлік сипаттамасы бар электронды элементтердің негізі.

b)

Өзара түйісетін, әр типті жартылайөткізгіштер арасындағы аймақ .

c)

Түрлі жартылайөткізгіштер шекарасынадғы потенциал секірісі.

d)

Шоттки тосқауылы.

e)

Гетероауысулардың бір түрі.

27.

Шоттки диодының негізгі қасиеті:

a)

Шапшаңдығы.

b)

Тұрақтандырғыш болып табылады.

c)

Түзеткіштік.

d)

Тура тоқты өткізеді.

e)

Реттілігі.

28.

Жартылай өткізгіштегі заряд тасушылары диффузиясы дегеніміз не?

a)

Концентрациялар біркелкі болмауынан жартылайөткізгіштерде электрондар мен кемтіктердің орын ауыстыруы.

b)

Тасушылардың электр өрісі есебінен қозғалысы.

c)

Хаостық жылулық қозғалыс.

d)

Тасушылардың әр түрлі типті өткізгіштігі есебінен қозғалу.

e)

Сыртқы және ішкі факторлардың әсерінен (мысалы жылу) кристаллдық торда кемтіктер мен электрондардың ауысуы.

29.

Эмиттер дегенiмiз не?

a)

Ашық р-п өткелi жағындағы транзистор облысы.

b)

Базадан негiзгi емес тасымалдаушыларды экстракция жасауға арналған транзистор облысы.

c)

Базаға негiзгi тасымалдаушыларды инжекция жасауға арналған транзистор облысы.

d)

Базаға негiзгi емес тасымалдаушыларды инжекция жасауға арналған транзистор облысы

e)

Базаға негiзгi заряд тасымалдаушыларды экстракция жасауға арналған транзистор облысы.

30.
a)

Эпитакция.

b)

Терістеу және көбейту.

c)

Ток тоқтату және қанығу.

d)

Терістеу және интегралдау.

e)

Инжекция.

31.
a)

қанығу

b)

кедейлену.

c)

байыту.

d)

толтыру.

e)

канағаттандыру.

32.

Эрли эффектісі дегеніміз не?

a)

Коллектор кернеуін өзгерткенде коллекторлық өткелдің енінің өзгеруіне байланысты база енінің өзгеруі.

b)

Коллекторлық кернеудің база шықпасының аймағындағы база еніне әсері.

c)

База енінің коллекторлық кернеудің эмиттерлік өткел еніні әсерінен өзгеруі.

d)

База енінің коллекторлық кернеудің базадағы қозғалатын тасушылардың концентрациясына әсерінен өзгеруі

e)

База енінің температураға байланысты өзгеруі

33.
a)

ВС

b)

АВ

c)

ОД

d)

АС

e)

ОА

34.
a)

ВС

b)

ОД

c)

АС

d)

ОА

e)

АВ

35.
a)

ОА

b)

АВ

c)

ВС

d)

ОД

e)

АС

36.

Фотолитография – бұл:

 

a)

Микроэлектронды элементтер мен құрылғылардың компоненттерінің қажетті өлшемдері мен конфигурациясын алу үшін қолданылатын фото және физика-химиялық процесстердің бірігуі.

b)

Қажетті өлшемдер мен конфигурация алу үшін қолданылатын фото және физика-химиялық процесстердің бірігуі.

c)

Микроэлектрониканың компоненттері мен процесстерінің бірігуі.

d)

Микроэлектрониканың элементтері мен процесстерінің бірігуі.

e)

Элементтерді алу үшін қолданылатын фото және физика-химиялық процесстердің бірігуі.

37.

Р-n-р транзисторында негіз арқылы өтетін тоқ эмиттерден бүркілген . . . тасылады:

a)

Теріс иондармен.

b)

Электрондармен.

c)

Кемтіктермен.

d)

Белгісіз зарядталған бөлшектермен.

e)

Оң электр зарядымен.

38.

Фотодиодтың ерешеліктері:

a)

Құрастыру технологиясы мен құрылымы қарапайым.

b)

Механикалық беріктілігі жоғары.

c)

Эмиттердегі токтың мәні аз.

d)

Қыздыру тізбегі жоқ.

e)

Эмиттердің аз кедергісі.

39.

Тиристор - аспап

a)

Бір күйден екінші күйге басқару импульсі арқылы ауысып-қосылу мүмкіндігі бар электронды.

b)

Тұрақты үш күйі бар.

c)

Үш немеса одан да көп p-n ауысуларынан тұратын.

d)

Жұмыстық токтың өзгеруі кіріс сигналы тудыратын.

e)

Бір p-n өткелі кері қосылған.

40.

Сыйымдылығы тұрақты конденсаторды сипаттаушы негізгі электрлік параметрлер:

a)

Сыйымдылық .

b)

Шекті ток.

c)

Қуат.

d)

Номиналды ток.

e)

Зарядталу тоғы.

41.

Трансформатор үшін қолданылатын өзекшенің көп таралған формасы

a)

Бронды, стерженьді.

b)

Стерженьді және тороидальды.

c)

Сфералық.

d)

Тороидальды.

e)

Стерженьді.

42.
a)

Тиристор.

b)

Шотки диод.

c)

Транзистор.

d)

Симметриялы жабылмайтын транзистор.

e)

Варикап.

43.

Шоттки диодының негізгі қасиеті:

a)

Шапшаңдығы.

b)

Кері токты өткізеді.

c)

Жарық ағыны арқылы ток өтеді.

d)

Кері тоқты өткізбейді.

e)

Диод арқылы тоқ өтпейді

44.
a)

2 Ом

b)

1 Ом

c)

1,5 Ом

d)

0,25 Ом

e)

Дифференциалдық кедергіге тең

45.

n-p ауысуының КЗО (кеңістіктік заряд облысы)-ғы көлемді зарядтың қалыптасуы:

a)

Донор және акцептор қоспаларының теңестірілмеген зарядтарымен.

.

b)

Зарядтың бос тасымалдаушыларымен.

c)

Жартылай өткізгіштің кристалдық тор атомдарының жылулық ортасы бар фазаға қарама-қарсыда тербелетін фотондармен.

d)

Екі әртүрлі аттас зарядталған қабаттармен.

<

e)

Теңестірілген күймен (мұнда диффузиядан болатын тасымалдаушылардың аз тогы және түйісу өрісінің әсерінен болатын емес тасымалдаушылардың тогы, бұл токтар бір-бірін теңестіреді

46.

n-p ауысуының КЗО (кеңістіктік заряд облысы)-ғы ішкі электрлік өрісі:

a)

Болмайды.

b)

p-облысынан n- облысына бағытталған.

c)

n-облысынан p- облысына бағытталған.

d)

Жоғарылайды.

e)

Секірісті түрде жоғарылайды.

47.

Температураның өсуімен жартылай өткізгіштегі қоспа диффузия процесінің өту жылдамдығы:

a)

Процестің өту уақытына және енгізетін қоспалардың (акцепторлық немесе донорлық) түріне байланысты өседі.

b)

Азаяды.

c)

Өзгермейді.

d)

Өседі.

e)

Секірісті түрде өзгереді.

48.

Тоғыспаған р-жартылай өткізгіштің Ферми деңгейі мына жерде орналасады:

a)

Тыйым салынған аймақта,валенттік аймақтың жоғары бөлігіне жақын.

b)

Өткізгіштің аймағының ішінде.

<

c)

Валенттік аймақтың ішінде .

d)

Валенттік аймақтың үстінде.

e)

Ферми деңгейі болмайды.

49.
a)

Түзеткіштің активті жүктемеге жұмыс істеу сұлбасы.

 

b)

Кернеу бөлгіш.

c)

Операциялық күшейткіш.

d)

Төменгі жиілікті түзеткіш сұлбасы.

e)

Стабилизатор сұлбасы.

50.

Жартылай өткізгіштің теориялық түрінен ВАС-ның айырмашылығына алып келетін факторлар:

 

a)

Жартылай өткізгіштердегі  генерация және рекомбинация топтары.

b)

Түйісулердің нашар изоляциясының болатын токтың.

c)

Р-n ауысуынан бөлек жартылай өткізгіштердегі электрлік өрістің болуы.

d)

Р-n ауысу шекараларының қисаюы,олар шын мәнінде жазық болмайды.

e)

Барлық жауабы дұрыс болып саналады.

51.

Р-п ауысудың кері кернеуінің өсуі (модуль бойынша) кезінде барьерлік сыйымдылықтық өзгерісі:

a)

Сызықты заң бойынша азаяды.

b)

Өзгермейді.

c)

Сыйымдылықтың басқа түрлеріне түрленеді.

d)

Экспоненциалды заң бойынша өседі.

e)

Сызықты заң бойынша өседі.

52.

Жартылай өткізгішті диодтың төменде көрсетілгеннің ішінен электрлік тесілуі:

a)

Ауысу арқылы кері ток мәнінің өсуі кезінде р-п ауысудағы кернеудің жылдам өсуі.

b)

Ауысу арқылы тура кернеу мәнінің өсуі кезінде р-п ауысудағы токтың жылдам өсуі.

c)

Ток пен кернеудің қысылшаң мәндерінің жоғарылауы, соның әсерінен диод істен шығады.

d)

Бұл ішкі кедергінің индуктивтілік өзгерісіне алып келетін өзгерістер.

e)

Бұл ішкі кедергінің сыйымдылық өзгерісіне  алып келетін өзгерістер.

53.

Биполярлық транзистордың активті жұмыс істеу режимінде p-n ауысудың дифференциалдық кедергілері келесі түрде сипатталады:

a)

Екі ауысулардың да кедергілері аз.

b)

Олардың шамаларынан тәуелсіз эмиттерлік ауысудың кедергісі, коллекторлық ауысудың кедергісінен әрқашан көп.

c)

Эмиттерлік ауысудың кедергісі көп, ал коллекторлық ауысудікі аз.

d)

Екі ауысудың да кедергілері көп.

e)

Эмиттерлік ауысудың кедергісі аз, ал коллекторлық ауысудікі көп.

54.

Транзистордың ток беру коэфиценттерінің  және   арасындағы өзара байланыс:

a)

b)

c)

d)

e)

55.

ОБ немесе ОЭ қосылу сұлбаларында,токты тура беру коэффициенті жиілігіне қатты тәуелді:

a)

ОЭ қосылу сұлбасында.

b)

ОБ қосылу сұлбасында.

c)

Екі сұлбада да бірдей.

d)

Бұл температураға байланысты.

e)

Бұл жасалу материалына байланысты

56.

ОЭ немесе ОБ қосылу сұлбаларында, токты тура беру коэффициенті жиілігіне аз  ғана тәуелді:

a)

ОБ қосылу сұлбасында.

b)

Екі сұлбада да бірдей.

c)

Бұл температураға байланысты.

d)

Бұл жасалу материалына байланысты.

e)

Эмиттерлік қайталағыш сұлбасында.

57.

Һ11 көрсеткішінің анықтамасы:

a)

b)

c)

d)

e)

58.

Коллекторлық кернеумен базаның қалыңдығын модуляциялау дегеніміз:

a)

Коллекторлық ауысудың енінің өзгеру салдарынан коллекторлық өзгерген кезде базаның қалыңдығының өзгерісі.

b)

База шықпасының аймаңында коллекторлық кернеудің   қалыңдығына әсер етуі.

c)

Коллекторлық кернеудің эмиттерлік ауысудың еніне әсер                байланысты базаның қалыңдығының өзгерісі.

d)

Коллекторлық кернеудің базадағы жылжымалы заряд тасушы шоғырына әсер етуіне байланысты базаның қалыңдыңғының өзгерісі.

e)

Температураның әсер етуіне байланысты базаның қалыңдығына.

59.

Құйма мен бастаудың n+облысын қалыптастыратын қоспалар:

a)

Алтын,платина.

b)

Сүрме,мышьяк.

c)

Фосфор,бор.

d)

Диэлектриктер.

e)

IV топтың элементтер.

60.

Заряд тасымалдаушылардың өткізетін арнаға өтуін жүзеге асыратын электрод:

a)

Арнадағы негізгі тасымалдаушыладың инжекцияланатын транзистор облысы.

b)

Эмиттер.

c)

Коллектор.

d)

Төсем.

e)

Қосымша таcымалдаушылар өтетін ұзындықты байланыстыратын облыс.

61.

Арнаның ұзындығы:

a)

N-текті немесе p-текті бастау және құйма облыстарының ара қашықтығы.

b)

Құйма облысының ұзындығы .

c)

Тиектің ұзындығы.

d)

Эмиттер ұзындығы.

e)

Қорек шинасының ара қашықтығы.

62.

Тиектегі кернеу оң болатын процесстің түсіндірілуі:

a)

Электрондар Si-SiO2 бөлімінің жазығынан тебіле бастайды.

b)

Кемтіктер Si-SiO2 бөлімінің жазығынан тебіле бастайды.

ч

c)

Тиек n-арналы транзистордың теріс кернеуімен басқарылады.

d)

Электрондар мен кемтіктер Si-SiO2 бөлімінің жазығынан тебіле бастайды.

e)

Бастау арнаның кернеуін басқарады.

63.

Табалдырықтық кернеу:

a)

Si-SiO2 жазығының қасындағы электрондар концентрациясы төсемдегі кемтіктер концентрациясынан 2 есеге көп кезіндегі кернеу.

b)

Si-SiO2 жазығының қасындағы электрондар концентрациясы төсемдегі кемтіктер концентрациясына тең кезіндегі кернеу.

<

c)

Si-SiO2 жазығының қасындағы электрондар концентрациясы төсемдегі кемтіктер концентрациясынан аз кезіндегі кернеу.

d)

Бұл қондырылған арналы оқшауланған тиекті транзистор үшін тиек-бастау кернеуі,онда құйма тоғы берілген мәнге жетеді.

e)

Айрықшаланған құйма тогы көрінетін тиек кернеуі.

64.

Антеннаның эффективті ауданы ең көп дәрежеде мыналарға байланысты:

 

a)

антеннаның геометриялық өлшемдеріне

b)

жіберу мен қабылдауда бірдей жұмыс істей алады

c)

антеннаның толқындық кедергісіне

d)

келтірілген қуатына

e)

антеннаның кіріс кедергісіне

65.

Кедейленген қабат қалындығының үлкеюнің болуы:

<

a)

иек пен төсем,құйма мен бастау арасында туындайтын екі электрлік өрістердің бір-бірінен әсерінен.

b)

Тиектегі кернеудің азаюынан.

c)

тиек пен бастау арасында пайда болатын электрлік өрістің өзара әсерінен.

d)

Тиектегі кернеудің өсуінен

e)

Const болып қалатын тиектегі кернеуінен.

66.

Биполярлық транзистордың өрістік транзистордан ерекшелігі:

a)

Өрістік транзистордағы тиекті кернеумен жасалатын электрлі өрістік тогына «перпендикулярлы» әрекет нәтижесінде өзгеретін ток.

b)

Екі транзисторда да токпен басқарылады.

c)

Сипаттамалары әр түрлі.

d)

Сипаттамалары бірдей болады.

e)

Бірдей жұмыс істеу режимдері болады.

67.

Бастаудан құймаға дейн арнасы болатын аспаптың жұмыс параметрінің облысы:

 

a)

КЗО (кеңістік заряд облысы).

b)

Басқару облысы.

c)

Токсыз облыс.

d)

Жүгіріс облыс.

e)

Сыртқы тиектік облыс.

68.

Арнаның қимасы өрістік транзистор кернеуінің Uкб шамасына тәуелді немесе тәуелді еместігі:

a)

Тәуелді, өйткені арнадағы кернеудің түсуі ауысудағы кернеуді, сонымен қатар оның енін анықтайды.

b)

Тәуелді емес, өйткені ауысудың ені қойылған кернеумен ғана анықталады.

c)

Тәуелді емес, өйткені арнадағы кернеудің түсуі әрқашан тұрақты және құйма-бастау кернеуіне тәуелді емес.

d)

Тәуелді емес, өйткені ол тиек-бастау кернеуіне ғана тәуелді.

e)

Құйма мен бастаудың дұрыс берілген кернеуіне де байланысты болады.

69.

Байланыс линиясының негізгі сипаттамалары:

a)

Амплитудалық жиліктік сипаттамасы

b)

Ұзындық

c)

Алыстағы линияның  шығысында қиылысуды нысаналау

d)

Фазожиіліктік сипаттама

e)

Тарату жылдамдығы

70.

Электрбайланыс арнасы:

a)

Техникалық құрылғы жиынтығы

b)

Сигналдарды тарату ортасының жиынтығы

c)

Көзден қабылдаушыға хабар тарататын абоненттік құрылғыларды қосу үшін арналған

d)

Амплитудамен шектелген телекоммуникациялық желілердің екі пункттері арасында электр сигналының орын ауыстыру үшін арналған

e)

Жер үстіндегі базалық станциялардың желілерін  қолданатын

71.

Тарату бағытына қарай байланыс арнасы бөлінеді:

a)

Жартылай дуплексті

b)

Симплексті

c)

Дуплексті

d)

Арнаны жиіліктік бөлу

e)

Арнаны уақыттық бөлу 

72.
a)

Индукцияланған n-арналы МДЖ-транзистор.

b)

P-n ауысуымен басқарылатын және n-арналы өрістік транзистор.

c)

Қондырылған n-арналы МДЖ-транзистор.

d)

P-n ауысуымен басқарылатын және p-арналы өрістік транзистор.

e)

Индукцияланған p-арналы МДЖ-транзистор.

73.

Импульстық бөгеуіл келесіні көрсетеді:

a)

Импульстердің қысқауақыттық тізбектері

b)

Жиілік бойынша шоғырланған бөгеуіл

c)

Импультердің арт-артынан үзіліссіз жүрген тізбегі

d)

Ақ шу

e)

Флуктуациялық шу

74.

Арна сипаттамасы  кездейсоқ түрде өзгергенде пайда болатын бөгеуіл :

a)

Мультипликативті

b)

Аддитивті

c)

Ақ шу

d)

Девиациямен

e)

Анизохронды

75.

Тринисторды ауыстырып қосу мезетін басқару іске асады:

a)

Базалық аймақтарға тасымалдаушыларды енгізу арқылы.

b)

Эмиттердегі кернеуді сақтай отырып, коллектордағы кернеуді өзгерту арқылы.

c)

Төрт қабатты құрылымның шеткі аймақтарына токты енгізу арқылы.

d)

Эмиттерде токты өзгерту арқылы.

e)

Қосылу кернеуінің мәніне дейін жүктемедегі кернеуді жоғарлату арқылы.

76.
a)

Құрылымның ортаңғы ауысуы жабық.

b)

Құрылымның шеткі ауысулары жабық.

c)

Динистордың базалық аймағында негізгі емес заряд тасымалдаушылардың инжекциясы болмайды.

d)

Динистордың базалық аймағында негізгі емес заряд тасымалдаушылардың экстракциясы болмайды.

e)

Динистордың базалық аймағында негізгі заряд тасымалдаушылардың экстракциясы болмайды.

77.

Арнадағы мәліметтерді тарату аппаратурасының қателерден қорғау әдістері:

a)

Бөгеуілге тұрақтылық кодалауы

b)

Тарату жиілігін жоғарлату

c)

Тарату жиілігін төмендету

d)

Қайта  кодалау

e)

Тікелей байланыс

78.

Тринисторды ауыстырып қосу мезетін басқару... есебінде жүреді:

a)

Базалық аймақтарға тасымалдаушыларды енгізу есебінде.

b)

Эмиттерлердегі кернеулер сақталған кезде коллектордағы кернеудің өзгерісімен.

c)

Төрт қабаты құрылымның шеткі аймақтарына ток енгізу арқылы.

d)

Эмиттердегі токтың өзгерісімен.

e)

Қосылу кернеуінің мәніне дейін жүктемедегі кернеуді жоғарлату арқылы.

79.

Тиристорды жабық күйге басқару тогы арқылы жеткізуге болады ма?

a)

Болады, егер басқару электродына теріс импульс берсе.

b)

Жоқ, болмайды.

c)

Болады, егер басқару тогын нөлдік мәнге дейін төмендетсе.

d)

Болады, егер басқару электродына оң импульс берсе.

e)

Болады, егер базаны жерге қосса.

80.

Динистордың сипаттамасының ОА бөлігіндегі ток мәнінің аздығының түсіндірмесі:

a)

Құрылымның ортаңғы ауысулары жабық.

b)

Динистордың базалық аймағындағы негізгі емес заряд тасушылардың инжекциясы болмайды.

c)

Динистордың базалық аймағындағы негізгі емес заряд тасушылардың экстракциясы болмайды.

d)

Құрылымның эмиттерлік ауысуы жабық .

e)

Құрылымның шеткі ауысулары жабық.

81.

Монокристалдағы төрт қабатты құрылымды, үш немесе одан да көп түзеткіш электронды-кемтіктік ауысуы бар, бір күйден екіншісіне басқару импульсі арқылы ауысып қосыла алатын жартылай өткізгіш аспапты:

a)

Тиристор.

b)

Транзистор.

c)

Варактор.

d)

Варикап.

e)

Диод.

82.

Кері қосылған p-n ауысудың потенциалдық  тосқауылының төмендеуі ... білдіреді:

a)

Ондағы кернеудің азайғанын.

b)

Транзистордың басқару тоқтарының азайғанын.

c)

Индутивтіліктің азайғанын.

d)

Сыйымдылықтың азайғанын.

e)

Күшейту коэффициентінің азайғанын.

83.
a)

АВ

b)

ОА

c)

ВС

d)

ОД

e)

АС

84.

Үш немесе одан да көп p-n ауысуы бар, вольт-амперлік сипаттамасынеда теріс дифференциалдық кедергісі бар жартылай өткізгіш аспап:

a)

Тиристор.

b)

Өрістік транзистор.

c)

Бір ауысулы транзистор.

d)

Биполярлық транзистор.

e)

Диод.

85.

Шектік бұрмаланудың түрлері:

a)

Басымдылық

b)

Кездейсоқ

c)

Сипаттамалық

d)

Линиялық

e)

Стационарлық

86.

Бұл аспап екі тұрақты күйде бола алады-жабық немесе ашық, жабық күйінде оның кедергісі үлкен болып, ол аз ғана тоқ өткізеді, ол ашық күйінде оның кедергісі аз, ал одан ағатын тоқ үлкен болады, бұл:

a)

Тиристор.

b)

Өрістік транзистор.

c)

Бір ауыспалы транзистор.

d)

Биполярлық транзистор.

Диод.

87.
a)

Тиристор.

b)

Өрістік транзистор.

c)

Бір ауыспалы транзистор.

d)

Биполярлық транзистор.

e)

Стабилитрон.

88.

Аспапта ауыстырып қосу нүктесінен кейін кернеуді төмендеткен кезде тоқтың өсуі,  тең  теріс көбейтіндісінің пайда болу себебі:

 

a)

Теріс дифференциалдық  кедергі.

b)

Паразиттік сыйымдылық.

c)

Паразитной индутивтілік.

d)

Балама кедергі.

e)

Балама сыйымдылық.

Similar Resources on Wayground

Физика сессия есеп

85 questions

Физика сессия есеп

quiz

Worksheet

•

University

иг 1-86

86 questions

иг 1-86

quiz

Worksheet

•

University

Физика 1рк

91 questions

Физика 1рк

quiz

Worksheet

•

University