wayground logo

Free Printable Worksheets

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

Вопросы по полупроводникам

Total questions: 40

Worksheet time: 21mins

Name
Class
Date
1.

Что называется р-n – переходом?

a)

область полупроводника р – типа, которая пропускает электрический ток в одном направлении

b)

особая область, возникающая на границе двух полупроводников с различным типом проводимости

c)

область полупроводника n – типа, которая пропускает электрический ток

d)

область полупроводника, которая пропускает электрический ток

e)

область полупроводника, которая не пропускает электрический ток

2.

Ионизированный атом, захватывая свободный электрон, становится

a)

нейтральным

b)

возбужденным

c)

положительно заряженным

d)

отрицательно заряженным

e)

ослабленным

3.

Не полностью занятая валентная зона характерна для

a)

проводников

b)

изоляторов

c)

полупроводников

d)

кристаллической решётке

e)

атомов

4.

Дефекты кристаллической решетки полупроводника и наличие примесей

a)

уменьшают запрещенную зону

b)

увеличивают запрещенную зону

c)

увеличивает токи

d)

увеличивает напряжение

e)

увеличивает мощность

5.

Для изготовления полупроводниковых кристаллов используют

a)

Ge

b)

Si

c)

Fe

d)

Cu

e)

Al

6.

Пятивалентная донорная примесь в четырехвалентном кристалле создает

a)

электронную электропроводность

b)

электронную дырку доноре

c)

электронную дырку акцепторе

d)

донор

e)

акцептор

7.

Электропроводность полупроводника р – типа называется

a)

дырочной

b)

акцепторной

c)

донорной

d)

валентной

e)

ковалентной

8.

Электропроводность чистого кристалла, вызванная генерацией пар свободных, те спо-собных перемещаться под действием приложенного напряжения, зарядов называется

a)

собственной

b)

заряженной

c)

выделенной

d)

ЭДС

e)

напряженной

9.

В собственном полупроводнике количество свободных электронов равно количеству

a)

дырок

b)

электронов

c)

U*I

d)

U/R

e)

U/I

10.

Элемент электронной техники, создающий в цепи емкостное сопротивление, называет-ся

a)

конденсатор

b)

диодный мост

c)

фильтр

d)

контур

e)

сопротивление

11.

Область полупроводника, расположенная вблизи металлургической границы между p и n слоями, называется

a)

p-n – переход

b)

валентный слой

c)

зона контакта

d)

фазовый переход

e)

запирающий слой

12.

При подключении к полупроводнику обратного напряжения зона p-n – перехода

a)

расширяется

b)

сужается

c)

не изменяется

d)

p-n – переход имеет постоянную ширину

e)

расширяется со стороны n – слоя

13.

Сколько электронов на внешних валентных оболочках у атомов германия и кремния?

a)

по 4 электрона

b)

по 2 электрона

c)

1 электрон

d)

3 электрона

e)

5 электронов

14.

Как называется атом, если электрон переходит на очень удаленную орбиту и отрывает-ся от атома?

a)

ионизированным

b)

электронным

c)

дырочным

d)

без порядочным

e)

заряженным

15.

Чем является один p-n – переход и 2 омических контакта?

a)

полупроводниковым диодом

b)

выпрямительным диодом

c)

катушкой

d)

переключатель

e)

омическими контактами

16.

Какие материалы называются полупроводниками?

a)

те, которые по своим свойствам занимают промежуточное положение между ди-электриками

b)

те, которые по своим свойствам занимают промежуточное положение между про-водниками

c)

те, которые проводят ток в одном направлении

d)

те, которые имеют малое удельное сопротивление

e)

металлы с незаполненной d – орбитою

17.

Энергетическое состояние атома – это

a)

полная энергия электронов

b)

энергия ядра

c)

суммарная энергия ядра

d)

суммарная энергия электронов

e)

заряд

18.

Выберите правильное утверждение

a)

зона проводимости – разрешенная энергетическая зона, расположенная непосредственно над валентной зоной

b)

зона проводимости – разрешенная энергетическая зона, расположенная под валентной зоной

c)

зона проводимости – запрещенная энергетическая зона, расположенная непосредственно над валентной зоной

d)

U=I/R

e)

I=U*R

19.

С увеличением температуры сопротивление

a)

проводника увеличивается

b)

полупроводников уменьшается

c)

проводника уменьшается, а ток увеличивается

d)

выделяет пузырьки

e)

меньше нуля

20.

В чистом полупроводнике переход электрона из валентной зоны в зону проводимости сопровождается появлением дырки в

a)

валентной зоне

b)

запрещенной зоне

c)

зоне проводимости

d)

диоде

e)

полупроводнике

21.

Электропроводность полупроводника, вызванная различными примесями, называется

a)

примесной

b)

соединенной

c)

переходной

d)

электрической цепью

e)

резистором

22.

Примесь, создающая в четырехвалентном кристалле электронную электропроводность, называется

a)

донорной

b)

акцепторной

c)

рекомбинацией пар

d)

электронной

e)

вакуумной

23.

Трехвалентная примесь в полупроводнике называется

a)

акцепторной

b)

донорной

c)

рекомбинацией пар

d)

электронной

e)

вакуумной

24.

Процесс спонтанного перехода части электронов из зоны проводимости в валентную зону называется

a)

рекомбинацией пар

b)

донорной

c)

акцепторной

d)

электронной

e)

вакуумной

25.

Элемент электротехники, создающий в цепи активное сопротивление, называется

a)

резистор

b)

диодный мост

c)

последовательный соединении

d)

параллельные соединении

e)

смешанные соединении

26.

При подключении к полупроводнику прямого напряжения зона p-n – перехода

a)

сужается

b)

расширяется;

c)

не изменяется

d)

расширяется со стороны p – слоя

e)

сужается со стороны n – слоя

27.

Чему равна энергетическая ширина запрещенной зоны германия?

a)

0,67 эВ

b)

0,47 эВ

c)

0,74 эВ

d)

1,1 эВ

e)

1,54 эВ

28.

Напряжение какого знака возникает на фотодиоде в вентильном режиме его работы при световом потоке?

a)

плюс на p – области и минус на n – области

b)

плюс на n – области и минус на p – области

c)

полярность напряжения определяется длинной волны светового потока

d)

полярность напряжения определяется интенсивностью светового потока

e)

полярность напряжения зависит от полярности приложенного внешнего напряжения

29.

Располагается уровень Ферми у невырожденных примесных полупроводников n-типа;

a)

в запрещенной вблизи зоны проводимости

b)

посредине запрещенной зоны

c)

в валентной зоне

d)

в зоне проводимости

e)

в запрещенной вблизи валентной зоны

30.

Укажите величину барьерной емкости p-n – перехода конденсатора

a)

1000 пФ

b)

0,1 мкФ

c)

10 пФ

d)

1000 нФ

e)

0,033 мкФ

31.

Чему равна энергетическая ширина запрещенной зоны кремния?

a)

1,1 эВ

b)

0,47 эВ

c)

0,74 эВ

d)

0,67 эВ

e)

1,54 эВ

32.

Что такое модуляция толщины базы коллекторным напряжением?

a)

изменение толщины базы при изменении коллекторного напряжения вследствие изменения ширины коллекторного перехода

b)

влияние коллекторного напряжения на толщину базы в области вывода базы

c)

изменение толщины базы из-за влияния коллекторного напряжения на ширину эмиттер-ного перехода

d)

изменение толщины базы из-за влияния коллекторного напряжения на концентрацию подвижных носителей в базе

e)

пробой

33.

Чтобы получить полупроводник n – типа атомы какого элемента нужно внедрить внутрь полупроводника?

a)

фосфора

b)

золота

c)

серебра

d)

железа

e)

индия

34.

Применяются опорные диоды?

a)

для выпрямления переменного тока

b)

для генерирования незатухающих колебаний

c)

для стабилизации напряжения

d)

для усиления слабых сигналов

e)

для преобразования частоты

35.

Где больше концентрация подвижных носителей, в области p-n – перехода или прилега-гающих к нему областях полупроводника?

a)

в прилегающих к p-n – переходу областях полупроводников

b)

в области p-n – перехода

c)

в прилегающей p – области

d)

в прилегающей n – области

e)

примерно одинаково

36.

Чтобы получить полупроводник p – типа атомы какого элемента нужно внедрить внутрь полупроводника?

a)

индия

b)

золота

c)

серебра

d)

фосфора

e)

железа

37.

Какой величины емкость электролитического конденсатора сглаживающего фильтра?

a)

100÷1000 мкФ

b)

100÷1000 пФ

c)

1÷10 мкФ

d)

100÷1001 нФ

e)

0,01÷0,033 мкФ

38.

От чего зависит проводимость примесных полупроводников?

a)

от концентрации примесей

b)

от полярности приложенного напряжения

c)

от направления протекающего тока

d)

от вида примесей

e)

нет правильного ответа

39.

Примеси какой валентности обеспечивают получение полупроводников р –типа?

a)

с валентностью меньшей, чем у исходного материала

b)

четырехвалентные

c)

пятивалентные

d)

с валентностью в два раза большей, чем у исходного материала

e)

правильного ответа нет

40.

Что такое р-n – переход?

a)

обедненный подвижными носителями заряда область между двумя полупроводниками с разным типом проводимости

b)

область между полупроводниками различных типов, соприкасающиеся между собой

c)

скачок потенциала на границе различных полупроводников

d)

барьер Шоттки

e)

фототок намного меньше прямого ток

Similar Resources on Wayground

Python Цикл for

43 questions

Python Цикл for

quiz

Worksheet

•

12th Grade

икт сессия

40 questions

икт сессия

quiz

Worksheet

•

12th Grade

Икт сс часть1

35 questions

Икт сс часть1

quiz

Worksheet

•

12th Grade

1-40

40 questions

1-40

quiz

Worksheet

•

12th Grade

162-200

39 questions

162-200

quiz

Worksheet

•

12th Grade

Мид190-228

39 questions

Мид190-228

quiz

Worksheet

•

12th Grade

131-174

43 questions

131-174

quiz

Worksheet

•

12th Grade

Вопросы по полупроводникам

37 questions

Вопросы по полупроводникам

quiz

Worksheet

•

12th Grade