wayground logo

Free Printable Worksheets

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

Вопросы по полупроводникам

Total questions: 37

Worksheet time: 19mins

Name
Class
Date
1.

Какое включение р-n – перехода называется обратным?

a)

плюс внешнего источника к n – области, минус – к р – области

b)

способствующее движению подвижных носителей к р-n – переходу

c)

плюс внешнего источника к p – области, минус – к n – области

d)

уменьшающее скачок потенциала на p-n – переходе

e)

правильного ответа нет

2.

Какой двойной слой зарядов образует барьерную емкость p-n – перехода?

a)

отрицательных ионов

b)

положительных ионов

c)

отрицательных ионов и дырок

d)

положительных ионов и электронов

e)

двойной слой молекул

3.

Примеси какой валентности обеспечивают получение полупроводников n – типа?

a)

пятивалентные

b)

трехвалентные

c)

с валентностью в два раза больше, чем у исходного материала

d)

с валентностью в два раза меньше, чем у исходного материала

e)

правильного ответа нет

4.

Какова зависимость тока через р-n – переход от величины приложенного внешнего напряжения?

a)

I=I0(eU/т-1)

b)

I=aU3/2

c)

I=I0(1-eU/т)

d)

I=US/2

e)

ток от напряжения не зависит

5.

Как изменяется диффузионная емкость р-n – перехода при обратном включении?

a)

уменьшается

b)

увеличивается

c)

не изменяется

d)

толщина перехода сначала увеличивается, затем за счет увеличения падения напряжения уменьшается

e)

сначала уменьшается затем за счет увеличения тока увеличивается

6.

Укажите значение подвижности для дырок

a)

n=0,025 м2/В*с

b)

n=0,25 м2/В*с

c)

n=0,75 м2/В*с

d)

n =1,2 м2/В*с

e)

n=0,12 м2/В*с

7.

Укажите значение подвижности для электронов

a)

n=0,12 м2/В*с

b)

n=0,025 м2/В*с

c)

n=0,25 м2/В*с

d)

n=0,75 м2/В*с

e)

n=1,2 м2/В*с

8.

Почему фотодиод невыгодно использовать в прямом включении?

a)

фототок мал допустимый прямой ток

b)

мало прямое сопротивление

c)

возникает туннельный эффект

d)

возникает перегрев диода

e)

фототок << прямого тока и трудно фототок выделить на фоне прямого тока

9.

Какое положительное напряжение стабилизирует стабистор?

a)

0,7 В

b)

10 В

c)

1,5 В

d)

1,2 В

e)

5 В

10.

На каких частотах работает диод Шоттки?

a)

10÷15 ГГц

b)

10÷20 кГц

c)

1÷30 МГц

d)

500÷1000 Гц

e)

100÷300 кГц

11.

На каких длинах волн работает светодиод?

a)

456÷920 нм

b)

400÷600 мкм

c)

50÷100 мм

d)

800÷900 мкм

e)

20÷120 нм

12.

Из какого полупроводникового материала изготовляется полупроводниковый лазер?

a)

арсенида галлия

b)

фосфида галлия

c)

нитрида кремния

d)

оксида кремния

e)

антимонида индия

13.

В каком направлении движутся электроны через p-n – переход в результате воздействия электрического поля?

a)

из области R(n)

b)

положительные ионы

c)

отрицательные ионы

d)

это зависит от концентрации акцепторной примеси

e)

h12

14.

Что такое экстракция носителей заряда?

a)

прохождение носителей заряда через р-n – переход, который усиливается электрическим полем

b)

из n – области в p – область

c)

равновероятно в обоих направлениях

d)

при обратном смещении ток не течет ни при каких условиях

e)

ток через фотодиод не течет, т.к. он может течь при смещении

15.

При какой полярности напряжения работает стабилитрон?

a)

при обратном напряжении

b)

при отсутствии светового потока ток через фотодиод не течет

c)

течет большой ток, т.к. фотодиод подключен в обратном направлении

d)

для усиления слабых сигналов

e)

для преобразования частоты

16.

При каком смещении перехода (прямой и обратный) нормально используется варикап?

a)

при обратном мещении ререхода

b)

для выпрямления переменного тока

c)

для генерирования затухающих колебаний

d)

T=0,25 V

e)

T=1,15 V

17.

Какие диоды применяют в качестве ёмкости?

a)

варикап

b)

режим короткого замыкания

c)

активный режим

d)

режим насыщения

e)

зависит от температуры

18.

Какие диоды применяют на основе контакта металл-полупроводник?

a)

диод Шоттки

b)

это зависит от материала изготовления

c)

одинаковое минимальное у схемы с ОБ и ОК

d)

с ОБ

e)

с ОЭ и ОК

19.

Какие диоды предназначены для стабилизации напряжения?

a)

стабилитрон

b)

в схеме с ОБ

c)

с ОЭ и ОБ

d)

с ОК и ОБ

e)

бездрейфовый

20.

Какие качества р-n – перехода используются в работе варикапа?

a)

ёмкостные свойства р-n – перехода

b)

это зависит от толщины базы

c)

на изменении разности потенциалов на входе

d)

на изменении емкости перехода

e)

плюс на n – области и минус на p – области

21.

Как называется процесс возникновения пары электрон-дырка?

a)

генерация пар

b)

дрейфовый

c)

плюс на n – области и минус на p – области

d)

в зоне проводимости

e)

влияние сопротивления базы

22.

Восстановление потерянных валентных электронных связей это

a)

двойная регенерация

b)

на изменении разности потенциалов на входе

c)

влияние сопротивления базы

d)

10 пФ

e)

при отсутствии светового потока ток через фотодиод не тече

23.

Почему фотодиод не используется в прямом включении?

a)

фототок намного меньше прямого тока

b)

трудно фототок выделить на фоне прямого тока

c)

транзисторы, в которых токи в областях транзистора определяются исключительно дрейфовом носителе

d)

транзисторы, в которых дрейфовый ток через эмиттерный переход больше, чем через коллекторный

e)

можно, если понизить управляющий ток до нуля

24.

Полупроводниковый диод, предназначенный для стабилизации напряжения, имеет достаточно низкое напряжение пробоя, может поддерживать это напряжение на постоянном уровне при значительном изменении силы обратного тока

a)

стабилитрон

b)

варикап

c)

золота

d)

транзистор

e)

железа

25.

Полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором при приложении напряжения в прямом направлении, туннельный эффект проявляется в появлении участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением на ВАХ

a)

туннельный диод

b)

варикап

c)

стабилитрон

d)

транзистор

e)

железа

26.

Течет ли ток через фотодиод при отсутствии светового потока при обратном смеще-нии?

a)

течет небольшой обратный ток через фотодиод

b)

при отсутствии светового потока ток через фотодиод не течет

c)

течет большой ток, т.к. фотодиод подключен в обратном направлении

d)

при обратном смещении ток не течет ни при каких условиях

e)

ток через фотодиод не течет, т.к. он может течь при смещении

27.

Где располагается уровень Ферми у невырожденных примесных полупроводников n-типа;

a)

в запрещенной вблизи зоны проводимости

b)

посредине запрещенной зоны

c)

в валентной зоне

d)

в зоне проводимости

e)

в запрещенной вблизи валентной зоны

28.

Укажите величину барьерной емкости p-n – перехода

a)

1000 пФ

b)

0,1 мкФ

c)

10 пФ

d)

1000 нФ

e)

0,033 мкФ

29.

Для чего применяются диоды?

a)

для выпрямления переменного тока

b)

для генерирования незатухающих колебаний

c)

для стабилизации напряжения

d)

для усиления слабых сигналов

e)

для преобразования частоты

30.

Какова величина потенциального барьера (контактной разности потенциалов) для кремния?

a)

0=0,6 V

b)

0=1,25 V

c)

0=1,15 V

d)

0=0,5 V

e)

0=0,75 V

31.

В каком направлении перемещаются дырки через р-n – переход в равновесном состо-янии за счет электрического поля?

a)

из n – области в р – область

b)

из n в р

c)

из р – области в n – область

d)

равновероятно в обоих направлениях

e)

это зави

32.

емещаются дырки через р-n – переход в равновесном состо-янии за счет электрического поля?

a)

из n – области в р – область

b)

из n в р

c)

из р – области в n – область

d)

равновероятно в обоих направлениях

e)

это зависит от концентрации донорной примеси

33.

Чему равна число носителей заряда в чистом кремний?

a)

ni=2,5*1016 м-3

b)

ni=3*1016 м-3

c)

ni=4*1016 м-3

d)

ni=5*1016 м-3

e)

ni=3,5*1016 м-3

34.

Какова величина потенциального барьера (контактной разности потенциалов) для гер-мания?

a)

0=0,3÷0,5 V

b)

0=1÷2,5V

c)

0=1,15 V

d)

0=0,6÷1 V

e)

0=0,75 V

35.

Какие валентные соединения дают возможность получить n-типные полупроводники?

a)

пяти валентные (As, Sb)

b)

из фосфида галлия

c)

из оксида кремния

d)

движение за счет разности концентраций

e)

из p – области в n – область

36.

Какие носители в полупроводнике n – типа являются основными?

a)

электроны

b)

дырки

c)

позитроны

d)

положительные ионы

e)

равновероятно в обоих направлениях

37.

Что такое запрещенная зона?

a)

слой полупроводника с большой концентрацией примесей

b)

транзисторы, в которых токи в областях транзистора определяются исключительно дрейфовом носителе

c)

режим с источником напряжения, и с нагрузкой во внешней цепи транзисторы, в кото-рых дрейфовый ток через эмиттерный переход больше, чем через коллекторный

d)

изменение толщины базы из-за влияния коллекторного напряжения на ширину эмиттер-ного перехода

Similar Resources on Wayground

Tin học 12_Luyện tập_Bài 3+4

33 questions

Tin học 12_Luyện tập_Bài 3+4

quiz

Worksheet

•

10th Grade - University

Arrays and Strings in C

32 questions

Arrays and Strings in C

quiz

Worksheet

•

12th Grade - University

Java Easy

40 questions

Java Easy

quiz

Worksheet

•

10th - 12th Grade

inf03 t1

40 questions

inf03 t1

quiz

Worksheet

•

10th - 12th Grade

Zero Lessons Test Review

32 questions

Zero Lessons Test Review

quiz

Worksheet

•

10th - 12th Grade

Skróty komputerowe1

35 questions

Skróty komputerowe1

quiz

Worksheet

•

12th Grade - University

Бази даних

36 questions

Бази даних

quiz

Worksheet

•

12th Grade

Windows Installation and Configuration

32 questions

Windows Installation and Configuration

quiz

Worksheet

•

9th - 12th Grade