wayground logo

Free Printable Worksheets

NEW

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

mmm4444 1

Total questions: 25

Worksheet time: 13mins

Name
Class
Date
1.

Фотодноды могут работать в двух режимах: фотодиодном-и-фотогенераторном. В-фотогенераторном режиме днод в схеме:"

a)

Находится под прямым смещением

b)

Находится под обратным смещением

c)

может находиться как под прямым смещением, так и под обратным-

смещением,

2.

формирования тока в цепи обратного-смещения диода под: действием-внешнего светового потока;

a)

формирования тока в цепи обратного-смещения диода под:

b)

преобразования переменного напряжения в постоянное в условиях-изменения внешней освещенности:

c)

формирования света-видимого спектра-при-прямом-смещении-диода

3.

Тиристор-(SCR-silicon control rectifier) -это

a)

четырехэлектродный полупроводниковый прибор с-двумя•

взаимодействующими-P-N переходами

b)

трехэлектродный полупроводниковый прибор-с тремя P-N•

переходами

c)

двухэлектродный полупроводниковый прибор с тремя•

взаимодействующими-P-N переходами

4.

Представленное условное графическое обозначение полупроводникового-прибора соответствует:

a)

Фотодиоду

b)

светоизлучающему диоду:

c)

Выпрямительному диоду

5.

Как-изменится величина прямого напряжения включения тиристора приуменьшении тока управляющего электрода (затвора)?

a)

Увеличиться

b)

Уменьшится

c)

Не измениться

6.

Для схемы -однофазного-однополупернодного выпрямителя определить: максимальное значение -обратного напряжения •Up выпрямительного-

диода, если постоянная составляющая напряжения на нагрузке равна-Uo=100B.9

a)

Us= 750 B;

b)

U=628B

c)

U=314B

7.

Варистор - полупроводниковый прибор, предназначенный для

a)

защиты электронного оборудования от перегрузки, вызванной действием атмосферного электричества молнии или промышленных помех

b)

преобразования переменного напряжения в постоянное

c)

стабилизации переменного напряжения в условиях действия

дестабилизирующих факторов

8.

Последовательное включение выпрямительных диодов применяют для:

a)

увеличения максимально допустимого значения прямого тока

вентильной группы;

b)

увеличения максимального обратного напряжения вентильной группы:

c)

увеличения постоянной составляющей выпрямляемого напряжения.

9.

Кремниевый управляемый выпрямитель (тиристор) используется в схемах выпрямления переменного напряжения для:

a)

получения выпрямленного напряжения, регулируемого электронным способом

b)

повышения стабильности выпрямленного напряжения;

c)

повышения мощности выпрямленного напряжения на активной нагрузке схемы

10.

Выпрямительные диоды предназначены:

a)

для формирования тока в цепи обратного смещения диода под

действием внешнего светового потока;

b)

для преобразования переменного напряжения в постоянное при любой освещенности;

c)

для формирования видимого светового излучения при протекании через них электрического тока в цепи прямого смещения диода

11.

Представленное условное графическое обозначение полупроводникового прибора соответствует:

a)

Светоизлучающему диоду

b)

Фотодиоду

c)

Выпрямительному диоду

12.

Представленное условное графическое обозначение полупроводникового прибора соответствует:

a)

Фоторезистору

b)

Варистору

c)

Терморезистору

13.

Для схемы мостового выпрямителя определить максимальное значение обратного напряжения Us выпрямительных диодов, если постоянная составляющая напряження на нагрузке равна U,=100 В.

a)

U = 314B

b)

U=157B

c)

U=628B

14.

Обратное смещение полупроводникового диода обеспечивается:

a)

включением внешнего источника, когда 'минус источника приложен к катоду, а 'плюс" источника - к аноду:

b)

напряжением контактной разности потенциалов, возникающей в дноде в области контакта полупроводников с различным типом проводимости;

c)

включением внешнего источника, когда 'плюс' источника приложен к катоду, а 'минус" источника приожен к аноду.

15.

Фотодноды предназначены:

a)

для формирования тока в цепи обратного смещения фотоднода под

действием внешнего светового потока;

b)

для преобразования переменного напряжения в постоянное при любой освещенности;

c)

для формировання видимого светового излучення при протекании через них элекгрического тока в цепи прямого смещения диода.

16.

В транзисторах р-п-р типа к области полупроводника с электронной проводимостью подключен вывод:

a)

Эмиттера

b)

Коллектора

c)

Базы

17.

Для правильного функционирования биполярного транзистора в режиме усиления входных сигналов необходимо выполнить следующие условия:

a)

для р-п-р транзистора переход база-эмиттер должен быть смещен в обратном направлении, в то время как для п-р-п транзистора переход база-эмиттер должен быть смещен в прямом направлений;

b)

переход база-коллектор транзистора должен быть смещен в обратном направлении, а переход база-эмиттер должен быть смещен в прямом направлении.

c)

переход база-эмиттер транзистора должен быть смещен в прямом направлении, а на переходе база-коллектор должно быть напряжение не менее 0,7 В:

18.

Если к эмиттеру нормально смещенного эмиттерного перехода р - п - р транзистора, включенного по схеме "общая база", дополнительно прикладывается отрицательное напряжение, то ток коллектора транзистора:

a)

Уменьшается

b)

Увеличивается

c)

Не меняется

19.

Если к базе нормально смещенного эмиттерного перехода п - р - п-транзистора, включенного по схеме "общий эмиттер", дополнительно прикладывается положительное напряжение, то его коллекторный ток:

a)

Не меняется

b)

Увеличивается

c)

Уменьшается

20.

В биполярном п-р-п-транзисторе базовая область выполнена:

a)

из полупроводникового материала с примесью донорного типа

b)

из чистого (беспримесного) полупроводникового материала

c)

из полупроводникового материала с примесью акцепторного типа.

21.

Для обеспечення режима усиления биполярного р-п-р транзистора, включенного по схеме "общая база", используется источник коллекторного напряжения:

a)

Отрицательный полярности

b)

Положительный полярности

c)

как положительной, так и отрицательной полярности

22.

В транзисторах р-п-р типа к области полупроводника с электронной проводимостью подключен Вывод

a)

Эмиттера

b)

Коллектора

c)

Базы

23.

Операнионный усилитель - это:

a)

аналоговая интегральная микросхема, реализующая

многокаскадный транзисторный усилитель с резистивно-еМКоСтными связями;

b)

аналоговая витегральная микросхема, реализующая многокаскадный усилитель постоянного тока с дифференциальным входом:

c)

аналоговая интегральная микросхема, реализующая шрокополосный усилитель звуковой частоты.

24.

К техническим характеристикам пифровых микросхем относятся

a)

коэффициент усилення по напряженню, коэффициент усиления по

току и номинал напряжения питання;

b)

верхняя граничная частота, коэффициент усиления по мощности и номинал напряжения питання:

c)

уровни логических сигналов, быстродействие, номинал напряжения питания и помехозащищейность.

25.

Идеальный операционный усилитель (ОУ) имеет:

a)

бесконечно большой коэффициент усиления, бесконечно большое входное сопротивление, бесконечно большое выходное сопротивление;

b)

бесконечно большой коэффишент усиления, бесконечно большое входное сопротивленце, бесконечно малое выходное сопротивление;

c)

малый коэффициент усиления, бесконечно большое входное сопротивление, бесконечно малое выходное сопротивление.