wayground logo

Free Printable Worksheets

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

Khối câu hỏi 1: CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ

Total questions: 71

Worksheet time: 46mins

Name
Class
Date
1.

Một điện trở có 4 vòng màu theo thứ tự Nâu – Đỏ – Vàng – Nhũ vàng, có trị số danh định và dung sai là?

a)

1200Ω ± 5%

b)

120kΩ ± 5%

c)

120kΩ ± 10%

d)

220kΩ ± 5%

2.

Một điện trở có 5 vòng màu theo thứ tự Đỏ – Tím – Vàng – Cam – Nâu, có trị số danh định và dung sai là?

a)

263kΩ ± 1%

b)

273kΩ ± 5%

c)

264kΩ ± 10%

d)

274kΩ ± 1%

3.

Điện trở có hệ số nhiệt dương, trị số điện trở

a)

Giảm khi nhiệt độ tăng

b)

Tăng khi nhiệt độ tăng

c)

Không thay đổi khi nhiệt độ tăng

d)

Không có đáp ứng nào đúng

4.

Điện trở có hệ số nhiệt âm, trị số điện trở

a)

Không thay đổi khi nhiệt độ tăng

b)

Giảm khi nhiệt độ tăng

c)

Tăng khi nhiệt độ tăng

d)

Không có đáp ứng nào đúng

5.

Điện dung của tụ phẳng phụ thuộc vào

a)

Điện tích hiệu dung của bản cực;

b)

Khoảng cách giữa hai bản cực;

c)

Chất điện môi;

d)

Tất cả các yếu tố trên.

6.

Điện dung của tụ ống phụ thuộc vào

a)

Đường kính trong, đường kính ngoài của các ống;

b)

Chiều dài tụ;

c)

Chất điện môi;

d)

Tất cả các yếu tố trên.

7.

So với tụ thường tụ hoá có

a)

Trị số điện dung nhỏ; Độ tin cậy thấp;

b)

Trị số điện dung nhỏ; Độ tin cậy cao;

c)

Trị số điện dung lớn; Độ tin cậy thấp;

d)

Trị số điện dung lớn; Độ tin cậy cao.

8.

Cuộn cảm có trị số điện cảm tăng khi

a)

A. Đường kính vòng dây tăng;

b)

B. Chiều dài cuộn cảm giảm;

c)

C. Số vòng dây của cuộn cảm tăng;

d)

D. Có một trong các điều kiện trên.

9.

Chất bán dẫn thuần là chất bán dẫn

a)

Loại N;

b)

Loại P;

c)

Tạp chất;

d)

Nguyên chất.

10.

Khi pha thêm một ít Phospho (P) vào tinh thể bán dẫn Si, ta được

a)

Chất cách điện

b)

Chất siêu dẫn

c)

Bán dẫn loại N

d)

Bán dẫn loại P

11.

Khi pha thêm một ít Indium (In) vào tinh thể bán dẫn Si, ta được

a)

Chất cách điện;

b)

Chất siêu dẫn;

c)

Bán dẫn loại N;

d)

Bán dẫn loại P.

12.

Trong chất bán dẫn loại N hạt dẫn đa số là?

a)

Điện tử;

b)

Lỗ trống;

c)

Điện tử và lỗ trống;

d)

Không có.

13.

Trong chất bán dẫn loại P hạt dẫn đa số là?

a)

Điện tử;

b)

Lỗ trống;

c)

Điện tử và lỗ trống;

d)

Không có.

14.

Về cấu tạo có thể xem BJT như hai diode:

a)

Mắc nối tiếp cùng chiều;

b)

Mắc nối tiếp ngược chiều;

c)

Mắc song song cùng chiều;

d)

Mắc song song ngược chiều.

15.

BJT là linh kiện 3 chân và được ký hiệu là:

a)

A. G, D, S;

b)

B. A, K, G;

c)

C. B, C, E;

d)

D. E, B1, B2.

16.

Trong BJT:

a)

Miền cực gốc (base) có độ dày mỏng nhất;

b)

Miền cực phát (emitter) có độ dày mỏng nhất;

c)

Miền cực thu (collector) có độ dày mỏng nhất;

d)

Cả ba miền cực gốc (base), cực phát (emitter) và cực thu (collector) có độ dày như nhau;

17.

Trong BJT:

a)

Miền cực gốc (base) có nồng độ hạt dẫn lớn hơn so với hai tiêm còn lại;

b)

Miền cực phát (emitter) có nồng độ hạt dẫn lớn hơn so với hai tiêm còn lại;

18.

BJT là linh kiện có hai tiếp giáp P-N

a)

Tiếp giáp giữa miền emitter và base gọi là tiếp giáp emitter, tiếp giáp P-N giữa base và collector là tiếp giáp collector;

b)

Tiếp giáp giữa miền emitter và base gọi là tiếp giáp collector, tiếp giáp P-N giữa base và collector là tiếp giáp emitter;

c)

Tiếp giáp giữa miền emitter và base gọi là tiếp giáp base, tiếp giáp P-N giữa base và collector là tiếp giáp emitter;

d)

Tiếp giáp giữa miền emitter và base gọi là tiếp giáp collector, tiếp giáp P-N giữa base và collector là tiếp giáp base;

19.

Trong ký hiệu của BJT:

a)

Mũi tên đặt ở giữa cực collector và base, có chiều từ bán dẫn P sang bán dẫn N;

b)

Mũi tên đặt ở giữa cực collector và base, có chiều từ bán dẫn N sang bán dẫn P;

c)

Mũi tên đặt ở giữa cực emitter và base, có chiều từ bán dẫn N sang bán dẫn P;

d)

Mũi tên đặt ở giữa cực emitter và base, có chiều từ bán dẫn P sang bán dẫn N;

20.

Khẳng định nào sau đây là đúng?

4 lines
21.

Đối với MOSFET kênh N đặt sẵn, khẳng định nào sau đây là đúng?

a)

Kênh dẫn được hình thành mà không cần điện trường ngoài, giá trị đại số của điện áp U_GS càng lớn thì độ rộng kênh dẫn càng tăng;

b)

Kênh dẫn được hình thành mà không cần điện trường ngoài, giá trị đại số của điện áp U_GS càng lớn thì độ rộng kênh dẫn càng giảm;

c)

Kênh dẫn được hình thành chỉ khi có điện trường ngoài, giá trị đại số của điện áp U_GS càng lớn thì độ rộng kênh dẫn càng tăng;

d)

Kênh dẫn được hình thành chỉ khi có điện trường ngoài, giá trị đại số của điện áp U_GS càng lớn thì độ rộng kênh dẫn càng giảm.

22.

Đối với MOSFET kênh N cảm ứng, khẳng định nào sau đây là đúng?

a)

Kênh dẫn được hình thành mà không cần điện trường ngoài, giá trị đại số của điện áp U_GS càng lớn thì độ rộng kênh dẫn càng tăng;

b)

Kênh dẫn được hình thành mà không cần điện trường ngoài, giá trị đại số của điện áp U_GS càng lớn thì độ rộng kênh dẫn càng giảm;

c)

Kênh dẫn được hình thành chỉ khi có điện trường ngoài tạo ra bởi điện áp U_GS, giá trị đại số của điện áp U_GS càng lớn thì độ rộng kênh dẫn càng tăng;

d)

Kênh dẫn được hình thành chỉ khi có điện trường ngoài tạo ra bởi điện áp U_GS, giá trị đại số của điện áp U_GS càng lớn thì độ rộng kênh dẫn càng giảm.

23.

Câu 1. Ở nhiệt độ phòng, trong chất bán dẫn thuần nồng độ điện tử và lỗ trống _________.

a)

bằng nhau

b)

khác nhau rất nhiều

c)

đều bằng không

d)

đều lớn hơn kim loại

24.

Khi nói về chất bán dẫn loại n, phát biểu nào sau đây là đúng?

a)

Bằng nhau

b)

Điện tử nhiều hơn lỗ trống.

c)

Điện tử ít hơn lỗ trống;

d)

Không có điện tử tự do.

25.

Khi cho lớp bán dẫn N tiếp xúc với lớp bán dẫn P có

a)

Dòng khuếch tán từ N sang P, dòng trôi từ P sang N;

b)

Dòng khuếch tán từ N sang P, dòng trôi từ N sang P;

c)

Dòng khuếch tán từ P sang N, dòng trôi từ P sang N;

d)

Dòng khuếch tán từ P sang N, dòng trôi từ N sang P.

26.

Khi cho lớp bán dẫn N tiếp xúc với lớp bán dẫn P, ở trạng thái cân bằng động dòng khuếch tán (Ikt) và dòng trôi (Itr) có quan hệ

a)

Ikt = Itr ≠ 0;

b)

Ikt = Itr = 0;

c)

Ikt < Itr;

d)

Ikt > Itr.

27.

Khi diode được phân cực thuận

a)

Độ rộng vùng cấm tăng, điện trở diode giảm;

b)

Độ rộng vùng cấm tăng, điện trở diode tăng;

c)

Độ rộng vùng cấm giảm, điện trở diode giảm;

d)

Độ rộng vùng cấm giảm, điện trở diode tăng.

28.

Khi diode được phân cực ngược

a)

Độ rộng vùng cấm tăng, điện trở diode giảm;

b)

Độ rộng vùng cấm tăng, điện trở diode tăng;

c)

Độ rộng vùng cấm giảm, điện trở diode giảm;

d)

Độ rộng vùng cấm giảm, điện trở diode tăng.

29.

Câu 6. Diode được chế tạo từ Si có Is = 50nA và được cấp điện áp phân cực thuận 0,6V. Dòng qua diode là _________.

a)

Dòng qua diode là khoảng 0,05A (tính theo công thức dòng qua diode với các giá trị đã cho).

b)

Dòng qua diode là khoảng 0,5mA.

c)

Dòng qua diode là khoảng 5mA.

d)

Dòng qua diode là khoảng 0,5A.

30.

BJT có các chế độ hoạt động

a)

Khuếch đại

b)

Bão hòa

c)

Ngắt

d)

Cả ba chế độ trên.

31.

BJT hoạt động ở chế độ khuếch đại khi

a)

Tiếp giáp emitter – base phân cực thuận, tiếp giáp base – collector phân cực thuận;

b)

Tiếp giáp emitter – base phân cực thuận, tiếp giáp base – collector phân cực ngược;

c)

Tiếp giáp emitter – base phân cực ngược, tiếp giáp base – collector phân cực thuận;

d)

Tiếp giáp emitter – base phân cực ngược, tiếp giáp base – collector phân cực ngược;

32.

BJT hoạt động ở chế độ ngắt khi

a)

Tiếp giáp emitter – base phân cực thuận, tiếp giáp base – collector phân cực thuận;

b)

Tiếp giáp emitter – base phân cực thuận, tiếp giáp base – collector phân cực ngược;

c)

Tiếp giáp emitter – base phân cực ngược, tiếp giáp base – collector phân cực thuận;

d)

Tiếp giáp emitter – base phân cực ngược, tiếp giáp base – collector phân cực ngược;

33.

BJT hoạt động ở chế độ bão hòa khi

a)

Tiếp giáp emitter – base phân cực thuận, tiếp giáp base – collector phân cực thuận;

b)

Tiếp giáp emitter – base phân cực thuận, tiếp giáp base – collector phân cực ngược;

c)

Tiếp giáp emitter – base phân cực ngược, tiếp giáp base – collector phân cực thuận;

d)

Tiếp giáp emitter – base phân cực ngược, tiếp giáp base – collector phân cực ngược;

34.

Khi BJT hoạt động ở chế độ ngắt, khẳng định nào sau đây là hợp lý nhất?

a)

A. U_BE < V_γ;

b)

B. I_B = 0;

c)

C. I_E ≈ I_C ≈ 0;

d)

D. Cả ba đáp án trên.

35.

Khi BJT hoạt động ở chế độ bão hòa, khẳng định nào sau đây là hợp lý nhất?

a)

A. U_BE ≈ V_γ;

b)

B. U_CE ≈ V_CE(sat);

c)

C. I_B > 0; I_C/I_B < β;

d)

D. Cả ba đáp án trên.

36.

Khi BJT hoạt động ở chế độ khuếch đại, khẳng định nào sau đây là hợp lý nhất?

a)

A. U_BE ≈ V_γ;

b)

B. U_CE ≥ U_γ;

c)

C. I_B > 0; I_C/I_B = β ≈ const;

d)

D. Cả ba đáp án trên.

37.

BJT có I_E = 2,8mA và I_B = 20μA. Giá trị tương ứng của α_dc và β_dc là:

a)

0,993 và 1,007;

b)

0,993 và 139;

c)

139 và 0,993;

d)

1,007 và 139.

38.

Trong JFET kênh N, khi U_GS < 0 và có độ lớn tăng thì:

a)

Độ rộng vùng nghèo tăng

b)

Dòng bão hoà máng – nguồn tăng

39.

Trong JFET kênh P, khi UGS > 0 và có độ lớn tăng thì:

a)

Độ rộng vùng nghèo tăng; Dòng bão hòa máng – nguồn tăng;

b)

Độ rộng vùng nghèo tăng; Dòng bão hòa máng – nguồn giảm;

c)

Độ rộng vùng nghèo giảm; Dòng bão hòa máng – nguồn tăng;

d)

Độ rộng vùng nghèo giảm; Dòng bão hòa máng – nguồn giảm.

40.

JFET có IDSS = 9mA và VP = –4V. Khi UGS = –2V, dòng ID có độ lớn là:

a)

2,25mA;

b)

–2,25mA;

c)

20,25mA;

d)

–20,25mA.

41.

JFET có IDSS = 7,5mA và VP = 4V. Khi UGS = 2V, dòng ID có độ lớn là:

a)

–1,875mA

b)

1,875mA

c)

16,875mA

d)

–16,875mA

42.

Cho MOSFET kênh đặt sẵn với IDSS = 6mA và VP = –3V. Khi UGS = –1V, dòng ID có độ lớn là:

a)

–2,67mA;

b)

2,67mA;

c)

–10,67mA;

d)

10,67mA.

43.

Cho MOSFET kênh đặt sẵn với IDSS = 6mA và VP = –3V. Khi UGS = 1V, dòng ID có độ lớn là:

a)

–2,67mA

b)

2,67mA

c)

–10,67mA

d)

10,67mA

44.

Cho MOSFET kênh N cảm ứng với VT = 3.53.5 V và k = 0.4⋅10−3A/V20.4 \cdot 10^{-3}A/V^2 . Khi UGS = 6.56.5 V, dòng ID có độ lớn là:

a)

–3,6mA

b)

3,6mA

c)

–40mA

d)

40mA

45.

Mạch điện trong hình 2.1 có tên gọi theo chức năng là

a)

Mạch khuếch đại dùng BJT mắc base chung;

b)

Mạch khuếch đại dùng BJT mắc collector chung;

c)

Mạch khuếch đại dùng BJT mắc emitter chung không có hồi tiếp;

d)

Mạch khuếch đại dùng BJT mắc emitter chung có hồi tiếp.

46.

Mạch điện trong hình 2.2 có tên gọi theo chức năng là

a)

Mạch khuếch đại dùng BJT mắc base chung

b)

Mạch khuếch đại dùng BJT mắc collector chung

c)

Mạch khuếch đại dùng BJT mắc emitter chung không có hồi tiếp

d)

Mạch khuếch đại dùng BJT mắc emitter chung có hồi tiếp

47.

Mạch điện trong hình 2.3 có tên gọi theo chức năng là

a)

Mạch khuếch đại dùng BJT mắc base chung

b)

Mạch khuếch đại dùng BJT mắc collector chung

c)

Mạch khuếch đại dùng BJT mắc emitter chung không có hồi tiếp AC

d)

Mạch khuếch đại dùng BJT mắc emitter chung có hồi tiếp AC

48.

Mạch điện trong hình 2.4 có tên gọi theo chức năng là

4 lines
49.

Mạch điện trong hình 2.5 có tên gọi theo chức năng là

a)

Mạch khuếch đại dùng BJT mắc base chung

b)

Mạch khuếch đại dùng BJT mắc collector chung

c)

Mạch khuếch đại dùng BJT mắc emitter chung không có hồi tiếp

d)

Mạch khuếch đại dùng BJT mắc emitter chung có hồi tiếp

50.

Câu 6. Mạch điện trong hình 2.6 có tên gọi theo chức năng là:

a)

Mạch khuếch đại

b)

Mạch chỉnh lưu

c)

Mạch dao động

d)

Mạch lọc

51.

Quan sát Hình 2.6. Mạch điện này là:

a)

Mạch khuếch đại dùng BJT mắc base chung

b)

Mạch khuếch đại dùng BJT mắc collector chung

c)

Mạch khuếch đại dùng BJT mắc emitter chung không có hồi tiếp

d)

Mạch khuếch đại dùng BJT mắc emitter chung có hồi tiếp.

52.

Mạch điện trong hình 2.7 có tên gọi theo chức năng là:

a)

Mạch khuếch đại dùng BJT mắc base chung;

b)

Mạch khuếch đại dùng BJT mắc collector chung;

c)

Mạch khuếch đại dùng BJT mắc emitter chung không có hồi tiếp;

d)

Mạch khuếch đại dùng BJT mắc emitter chung có hồi tiếp.

53.

Mạch điện trong hình 2.8 có tên gọi theo chức năng là

a)

Mạch khuếch đại dùng FET mắc nguồn chung có hồi tiếp;

b)

Mạch khuếch đại dùng FET mắc nguồn chung không có hồi tiếp;

c)

Mạch khuếch đại dùng FET mắc máng chung;

d)

Mạch khuếch đại dùng FET mắc cổng chung.

54.

Mạch điện trong hình 2.9 có tên gọi theo chức năng là

a)

Mạch khuếch đại dùng FET mắc nguồn chung có hồi tiếp;

b)

Mạch khuếch đại dùng FET mắc nguồn chung không có hồi tiếp;

c)

Mạch khuếch đại dùng FET mắc máng chung;

d)

Mạch khuếch đại dùng FET mắc cổng chung.

55.

Mạch điện trong hình 2.10 có tên gọi theo chức năng là

a)

Mạch khuếch đại dùng FET mắc nguồn chung có hồi tiếp;

b)

Mạch khuếch đại dùng FET mắc nguồn chung không có hồi tiếp;

c)

Mạch khuếch đại dùng FET mắc máng chung;

d)

Mạch khuếch đại dùng FET mắc cổng chung.

56.

Mạch khuếch đại tín hiệu là mạch biến đổi tín hiệu đầu vào sao cho:

a)

Mạch khuếch đại tín hiệu là mạch biến đổi tín hiệu đầu vào sao cho biên độ và tần số lớn lên để đưa ra tín hiệu đầu ra;

b)

Mạch khuếch đại tín hiệu là mạch biến đổi tín hiệu đầu vào sao cho biên độ lớn lên và tần số không đổi để đưa ra tín hiệu đầu ra;

c)

Mạch khuếch đại tín hiệu là mạch biến đổi tín hiệu đầu vào sao cho biên độ không đổi và tần số lớn lên để đưa ra tín hiệu đầu ra;

d)

Mạch khuếch đại tín hiệu là mạch biến đổi tín hiệu đầu vào sao cho biên độ lớn lên và tần số nhỏ hơn để đưa ra tín hiệu đầu ra.

57.

“Máy biến áp là một mạch khuếch đại tín hiệu”. Nhận xét này đúng hay sai?

a)

Đúng

b)

Sai

c)

Tùy từng trường hợp cụ thể

d)

Tùy thuộc tín hiệu đầu vào.

58.

Khẳng định nào sau đây là đúng?

a)

Chế độ A là chế độ làm việc của mạch khuếch đại mà điện ra không bị méo dạng so với tín hiệu đầu vào trong cả chu kỳ của tín hiệu vào (góc cắt θ = 180°).

b)

Chế độ A là chế độ làm việc của mạch khuếch đại mà điện ra chỉ tồn tại trong nửa chu kỳ của tín hiệu vào (góc cắt θ = 90°).

c)

Chế độ A là chế độ có góc cắt 90° < θ < 180°, điện áp ra của mạch khuếch đại trong chế độ A không tồn tại trong cả chu kỳ tín hiệu vào.

d)

Chế độ A, góc cắt θ < 90°, là chế độ mà mạch khuếch đại chỉ dẫn điện trong một khoảng thời gian bé hơn nửa chu kỳ của tín hiệu vào.

59.

Khẳng định nào sau đây là đúng?

a)

Chế độ AB là chế độ làm việc của mạch khuếch đại mà điện ra không bị méo dạng so với tín hiệu đầu vào trong cả chu kỳ của tín hiệu vào (góc cắt θ = 180°).

b)

Chế độ AB là chế độ làm việc của mạch khuếch đại mà điện ra chỉ tồn tại trong nửa chu kỳ của tín hiệu vào (góc cắt θ = 90°).

60.

Khẳng định nào sau đây là đúng?

a)

Chế độ B là chế độ làm việc của mạch khuếch đại mà điện ra không bị méo dạng so với tín hiệu đầu vào trong cả chu kỳ của tín hiệu vào (góc cắt θ = 180⁰).

b)

Chế độ B là chế độ làm việc của mạch khuếch đại mà điện ra chỉ tồn tại trong nửa chu kỳ của tín hiệu vào (góc cắt θ = 90⁰).

c)

Chế độ B là chế độ có góc cắt 90⁰ < θ < 180⁰, điện áp ra của mạch khuếch đại trong chế độ B không tồn tại trong cả chu kỳ tín hiệu vào.

d)

Chế độ B, góc cắt θ < 90⁰, là chế độ mà mạch khuếch đại chỉ dẫn điện trong một khoảng thời gian bé hơn nửa chu kỳ của tín hiệu vào.

61.

Khẳng định nào sau đây là đúng?

a)

Chế độ C là chế độ làm việc của mạch khuếch đại mà điện ra không bị méo dạng so với tín hiệu đầu vào trong cả chu kỳ của tín hiệu vào (góc cắt θ = 180⁰).

b)

Chế độ C là chế độ làm việc của mạch khuếch đại mà điện ra chỉ tồn tại trong nửa chu kỳ của tín hiệu vào (góc cắt θ = 90⁰).

c)

Chế độ C là chế độ có góc cắt 90⁰ < θ < 180⁰, điện áp ra của mạch khuếch đại trong chế độ C không tồn tại trong cả chu kỳ tín hiệu vào.

d)

Chế độ C, góc cắt θ < 90⁰, là chế độ mà mạch khuếch đại chỉ dẫn điện trong một khoảng thời gian bé hơn nửa chu kỳ của tín hiệu vào.

62.

Khẳng định nào sau đây là đúng?

4 lines
63.

Khẳng định nào sau đây là đúng?

a)

Trong trường hợp hồi tiếp âm nối tiếp đầu vào, trở kháng đầu vào của mạch tăng lên g lần so với khi không có hồi tiếp.

b)

Trong trường hợp hồi tiếp âm song song đầu vào, trở kháng đầu vào của mạch tăng lên g lần so với khi không có hồi tiếp.

c)

Trường hợp hồi tiếp âm điện áp đầu ra, trở kháng đầu ra của mạch tăng lên g lần so với khi không có hồi tiếp.

d)

Trường hợp hồi tiếp âm dòng điện đầu ra, trở kháng đầu ra của mạch giảm g lần so với khi không có hồi tiếp.

64.

Khẳng định nào sau đây là đúng?

a)

Trong trường hợp hồi tiếp âm nối tiếp đầu vào, trở kháng đầu vào của mạch giảm g lần so với khi không có hồi tiếp.

b)

Trong trường hợp hồi tiếp âm song song đầu vào, trở kháng đầu vào của mạch tăng lên g lần so với khi không có hồi tiếp.

c)

Trường hợp hồi tiếp âm điện áp đầu ra, trở kháng đầu ra của mạch giảm g lần so với khi không có hồi tiếp.

d)

Trường hợp hồi tiếp âm dòng điện đầu ra, trở kháng đầu ra của mạch giảm g lần so với khi không có hồi tiếp.

65.

Khẳng định nào sau đây là đúng?

4 lines
66.

Khẳng định nào sau đây là đúng?

a)

Trong trường hợp hồi tiếp âm nối tiếp đầu vào, trở kháng đầu vào của mạch giảm g lần so với khi không có hồi tiếp.

b)

Trong trường hợp hồi tiếp âm song song đầu vào, trở kháng đầu vào của mạch tăng lên g lần so với khi không có hồi tiếp.

c)

Trường hợp hồi tiếp âm điện áp đầu ra, trở kháng đầu ra của mạch tăng lên g lần so với khi không có hồi tiếp.

d)

Trường hợp hồi tiếp âm dòng điện đầu ra, trở kháng đầu ra của mạch tăng lên g lần so với khi không có hồi tiếp.

67.

Trong các mạch khuếch đại, transistor hoạt động ở chế độ nào?

a)

Tích cực;

b)

Tích cực hoặc thông báo hòa;

c)

Thông báo hòa;

d)

Ngắt.

68.

Khẳng định nào sau đây là hợp lý nhất về tác dụng của các tụ ghép (tụ nối tầng) trong mạch khuếch đại?

a)

Dẫn tín hiệu;

b)

Ngăn dòng một chiều;

c)

Dẫn tín hiệu VÀ ngăn dòng một chiều;

d)

Dẫn tín hiệu HOẶC ngăn dòng một chiều.

69.

Để phân cực cho mạch khuếch đại dùng BJT, trong ba tham số I_{B0}, I_{C0} và U_{CEQ} ổn định tham số nào là tốt nhất?

a)

I_{B0};

b)

I_{C0};

c)

U_{CEQ};

d)

Có tác dụng như nhau với cả ba tham số I_{B0}, I_{C0} và U_{CEQ}.

70.

Điện trở vào/ra của mạch khuếch đại dùng BJT mắc collector chung có đặc điểm?

a)

Điện trở vào nhỏ và điện trở ra nhỏ;

b)

Điện trở vào nhỏ và điện trở ra lớn;

c)

Điện trở vào lớn và điện trở ra nhỏ;

d)

Điện trở vào lớn và điện trở ra lớn.

71.

Trên mạch điện hình 2.11, biết V_{CC} = 12V, R_C = 1kΩ, BJT có các hệ số U_{BE} = 0,7V; β = 100 ở nhiệt độ phòng. Xác định R_B để có điểm công tác nằm giữa đường tải tĩnh?

a)

R_B = 188[kΩ]

b)

R_B = 188[Ω]

c)

R_B = 288[kΩ]

d)

R_B = 288[Ω]

Similar Resources on Wayground

AI Basic Concepts and History

74 questions

AI Basic Concepts and History

quiz

Worksheet

•

12th Grade - University

Chương 7: Đo công suất và năng lượng

67 questions

Chương 7: Đo công suất và năng lượng

quiz

Worksheet

•

University

Bài 2

67 questions

Bài 2

quiz

Worksheet

•

University

HTTTDT C3.2

67 questions

HTTTDT C3.2

quiz

Worksheet

•

University

Basic Materials Science Practice Questions

75 questions

Basic Materials Science Practice Questions

quiz

Worksheet

•

University

Chương 2. Cấu tạo mạng tinh thể kim loại

67 questions

Chương 2. Cấu tạo mạng tinh thể kim loại

quiz

Worksheet

•

University