NEW
Font size
WorksheetsQuiz Deposition technologies
Total questions: 12
Worksheet time: 12mins
Trong LPCVD, tại sao giảm áp suất lại giúp cải thiện độ đồng đều của lớp màng khi phủ nhiều wafer xếp chồng nhau trong lò đứng (vertical furnace)
A. Vì áp suất thấp giúp tăng tốc độ phản ứng hóa học trên bề mặt
B. Vì áp suất thấp giúp khí tiền chất đi sâu vào giữa các wafer dễ hơn nhờ mean free path tăng
C. Vì áp suất thấp làm giảm nhiệt độ của quá trình
D. Vì áp suất thấp tạo ra plasma hỗ trợ phản ứng
Mô phỏng dựa trên cơ sở vật lý (Physically Based Simulation) thường xét đến yếu tố nào sau đây?
A. Màu sắc của màng
B. Sự truyền nhiệt, truyền khối và phản ứng hóa học
C. Độ ẩm môi trường
D. Độ sáng của nguồn plasma
Điểm khác biệt quan trọng nhất giữa PECVD và LPCVD nằm ở yếu tố nào dưới đây?
A. PECVD sử dụng plasma để kích hoạt phản ứng → giảm nhiệt độ lắng đọng
B. PECVD luôn tạo màng epitaxy đơn tinh thể
C. PECVD không cần dùng khí tiền chất
D. PECVD chỉ dùng cho kim loại
Theo slide, tại sao các kỹ thuật CVD thông thường không phù hợp để lắng đọng vật liệu chứa nhôm (Al) trên chip?
A. Vì nhôm không phản ứng với khí
B. Vì nhôm bị oxy hóa quá nhanh
C. Vì nhôm có nhiệt độ nóng chảy thấp (~660°C), không chịu được nhiệt độ CVD cao
D. Vì nhôm không bám tốt lên wafer
.Phương pháp nào sau đây thuộc nhóm Lắng đọng Vật lý (PVD) thay vì Lắng đọng Hóa học (CVD)?
A. PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)
B. LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition)
C. Evaporation (Bay hơi)
D. MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
Phương pháp lắng đọng nào hoạt động bằng cách bắn phá một vật liệu bia (target) bằng các ion khí trơ (như Argon) để làm bật các nguyên tử vật liệu đó lên đế (substrate)?
A. Sputtering (Phún xạ)
B. PECVD
C. MBE (Lắng đọng chùm phân tử)
D. Evaporation (Bay hơi)
Trong các hệ thống phún xạ (Sputtering), tại sao người ta thường đặt đế (substrate) lên điện cực anode (thường được nối đất) và bia vật liệu (target) lên điện cực cathode?
A. Vì các ion dương (ví dụ: Ar+) trong plasma bị hút về phía cathode (bia vật liệu), bắn phá nó và làm bật các nguyên tử vật liệu lên đế.
B. Vì đế (substrate) phải được giữ ở nhiệt độ rất cao, chỉ có anode mới chịu được.
C. Vì chỉ có vật liệu cách điện mới có thể đặt lên cathode.
D. Vì các điện tử (electrons) sẽ bắn phá bia vật liệu làm nó bay hơi.
Mục đích chính của việc mô phỏng quá trình lắng đọng là gì?
A. Tăng nhiệt độ quá trình
B. Giảm chi phí và tối ưu quy trình thực nghiệm
C. Làm tăng độ dày của màng
D. Giảm kích thước buồng lắng đọng
Phương pháp mô phỏng nào mô tả chuyển động ngẫu nhiên của các hạt khí trong quá trình lắng đọng?
A. CFD
B. FEM
C. Monte Carlo
D. DFT
Lắng đọng Chùm Phân tử (MBE) thuộc nhóm phương pháp lắng đọng nào?
A. Lắng đọng Lớp Nguyên tử (ALD)
B. Lắng đọng Vật lý (PVD) - Dựa trên bay hơi
C. Lắng đọng Hóa học (CVD)
D. Lắng đọng Hơi Hóa học Tăng cường Plasma (PECVD)
Môi trường hoạt động (áp suất) bên trong buồng phản ứng MBE được mô tả là gì?
A. Môi trường plasma mật độ cao
B. Chân không siêu cao (Ultra-High-Vacuum - UHV)
C. Áp suất khí quyển (760 Torr)
D. Áp suất thấp (1 Torr)
Sputtering (Phún xạ) và Evaporation (Bay hơi) đều là các kỹ thuật PVD. Đâu là một khác biệt cơ bản giữa chúng?
A. Sputtering sử dụng plasma nhiệt độ cao (>1000°C), còn Evaporation sử dụng plasma nhiệt độ thấp.
B. Sputtering cho độ phủ bậc tốt hơn Evaporation.
C. Sputtering truyền động lượng (momentum) cho bia vật liệu, còn Evaporation truyền năng lượng nhiệt (thermal energy) cho vật liệu nguồn.
D. Sputtering chỉ dùng cho kim loại, Evaporation chỉ dùng cho điện môi.
