wayground logo

Free Printable Worksheets

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

Полупроводниковые приборы — тестовые вопросы

Total questions: 54

Worksheet time: 28mins

Name
Class
Date
1.

Элемент электротехники, создающий в цепи активное сопротивление, называется

a)

резистор

b)

диодный мост

c)

последовательные соединения

d)

параллельные соединения

e)

смешанные соединения

2.

При подключении к полупроводнику прямого напряжения зона p–n‑перехода

a)

сужается

b)

расширяется

c)

не изменяется

d)

расширяется со стороны p‑слоя

e)

сужается со стороны n‑слоя

3.

Чему равна энергетическая ширина запрещённой зоны германия?

a)

0,67 эВ

b)

0,47 эВ

c)

0,74 эВ

d)

1,1 эВ

e)

1,54 эВ

4.

Напряжение какого знака возникает на фотодиоде в вентильном режиме его работы при световом потоке?

a)

плюс на p‑области и минус на n‑области

b)

плюс на n‑области и минус на p‑области

c)

полярность напряжения определяется длиной волны светового потока

d)

полярность напряжения определяется интенсивностью светового потока

e)

полярность напряжения зависит от полярности приложенного внешнего напряжения

5.

Располагается уровень Ферми у невыражденных примесных полупроводников n‑типа

a)

в запрещённой зоне вблизи зоны проводимости

b)

посредине запрещённой зоны

c)

в валентной зоне

d)

в зоне проводимости

e)

в запрещённой зоне вблизи валентной зоны

6.

Укажите величину барьерной ёмкости p–n‑перехода конденсатора

a)

1000 пФ

b)

0,1 мкФ

c)

10 пФ

d)

1000 нФ

e)

0,033 мкФ

7.

Чему равна энергетическая ширина запрещённой зоны кремния?

a)

1,1 эВ

b)

0,47 эВ

c)

0,74 эВ

d)

0,67 эВ

e)

1,54 эВ

8.

Что такое модуляция толщины базы коллекторным напряжением?

a)

изменение толщины базы при изменении коллекторного напряжения вследствие изменения ширины коллекторного перехода

b)

влияние коллекторного напряжения на толщину базы в области вывода базы

c)

изменение толщины базы из‑за влияния коллекторного напряжения на ширину эмиттерного перехода

d)

изменение толщины базы из‑за влияния коллекторного напряжения на концентрацию подвижных носителей в базе

e)

пробой

9.

Чтобы получить полупроводник n‑типа, атомы какого элемента нужно внедрить внутрь полупроводника?

a)

фосфора

b)

золота

c)

серебра

d)

железа

e)

индия

10.

Применяются опорные диоды?

a)

для выпрямления переменного тока

b)

для генерирования незатухающим колебаний

c)

для стабилизации напряжения

d)

для усиления слабых сигналов

e)

для преобразования частоты

11.

Где больше концентрация подвижных носителей: в области p–n‑перехода или в прилегающих к нему областях полупроводника?

a)

в прилегающих к p–n‑переходу областях полупроводников

b)

в области p–n‑перехода

c)

в прилегающей p‑области

d)

в прилегающей n‑области

e)

примерно одинаково

12.

Чтобы получить полупроводник p‑типа, атомы какого элемента нужно внедрить внутрь полупроводника?

a)

индия

b)

золота

c)

серебра

d)

фосфора

e)

железа

13.

Какой величины ёмкость электролитического конденсатора сглаживающего фильтра?

a)

100÷1000 мкФ

b)

100÷1000 пФ

c)

1÷10 мкФ

d)

100÷1001 пФ

e)

0,01÷0,033 мкФ

14.

От чего зависит проводимость примесных полупроводников?

a)

от концентрации примесей

b)

от полярности приложенного напряжения

c)

от направления протекающего тока

d)

от вида примесей

e)

нет правильного ответа

15.

Примеси какой валентности обеспечивают получение полупроводников p‑типа?

a)

с валентностью меньшей, чем у исходного материала

b)

четырёхвалентные

c)

пятивалентные

d)

с валентностью в два раза большей, чем у исходного материала

e)

правильного ответа нет

16.

Что такое p–n‑переход?

a)

область между полупроводниками различных типов, соприкасающимися между собой

b)

объединённой подвижными носителями заряда область между двумя полупроводниками с разным типом проводимости

c)

скачок потенциала на границе различных полупроводников

d)

барьер Шоттки

e)

фототок намного меньше прямого тока и трудно фототок выделить на фоне прямого тока

17.

Какое включение p–n‑перехода называется обратным?

a)

плюс внешнего источника к n‑области, минус — к p‑области

b)

способствующее движению подвижных носителей к p–n‑переходу

c)

плюс внешнего источника к p‑области, минус — к n‑области

d)

уменьшающее скачок потенциала на p–n‑переходе

e)

правильного ответа нет

18.

Какой двойной слой зарядов образует барьерную ёмкость p–n‑перехода?

a)

отрицательных ионов

b)

положительных ионов

c)

отрицательных ионов и дырок

d)

положительных ионов и электронов

e)

двойной слой молекул

19.

Примеси какой валентности обеспечивают получение полупроводников n‑типа?

a)

пятивалентные

b)

трёхвалентные

c)

с валентностью в два раза больше, чем у исходного материала

d)

с валентностью в два раза меньше, чем у исходного материала

e)

правильного ответа нет

20.

Какова зависимость тока через p–n‑переход от величины приложенного внешнего напряжения?

a)

I=I0(eUφT−1)I = I_0\left(e^{\frac{U}{\varphi_T}} - 1\right)

b)

I=a U3/2I = a\,U^{3/2}

c)

I=I0(1−eUφT)I = I_0\left(1 - e^{\frac{U}{\varphi_T}}\right)

d)

I=U2I = U^2

e)

ток от напряжения не зависит

21.

Как изменяется диффузионная ёмкость p–n‑перехода при обратном включении?

a)

уменьшается

b)

увеличивается

c)

не изменяется

d)

толщина перехода сначала увеличивается, затем за счёт увеличения падения напряжения уменьшается

e)

сначала уменьшается, затем за счёт увеличения тока увеличивается

22.

Укажите значение подвижности для дырок

a)

μp=0,025 м^2/В*с

b)

μp=0,25 м^2/В*с

c)

μp=0,75 м^2/В*с

d)

μp=1,2 м^2/В*с

e)

μp=0,12 м^2/В*с

23.

Укажите значение подвижности для электронов

a)

μn=0,12 м^2/В*с

b)

μn=0,025 м^2/В*с

c)

μn=0,25 м^2/В*с

d)

μn=0,75 м^2/В*с

e)

μn=1,2 м^2/В*с

24.

Почему фотодиод невыгодно использовать в прямом включении?

a)

фототок значительно меньше прямого тока и его трудно выделить на фоне прямого тока

b)

мал допустимый прямой ток

c)

мало прямое сопротивление

d)

возникает туннельный эффект

e)

возникает перегрев диода

25.

Какое положительное напряжение стабилизирует стабистор?

a)

0,7 В

b)

10 В

c)

1,5 В

d)

1,2 В

e)

5 В

26.

На каких частотах работает диод Шоттки?

a)

10÷15 ГГц

b)

10÷20 кГц

c)

1÷30 МГц

d)

500÷1000 Гц

e)

100÷300 кГц

27.

На каких длинах волн работает светодиод?

a)

456÷920 нм

b)

400÷600 мкм

c)

50÷100 мм

d)

800÷900 мкм

e)

20÷120 нм

28.

Из какого полупроводникового материала изготавливается полупроводниковый лазер?

a)

арсенида галлия

b)

фосфида галлия

c)

нитрида кремния

d)

оксида кремния

e)

антимонида индия

29.

Что такое экстракция носителей заряда?

a)

прохождение носителей заряда через p-n переход, которое усиливается электрическим полем

b)

из n области в p область

c)

равновероятно в обоих направлениях

d)

при обратном смещении ток не течёт ни при каких условиях

e)

ток через фотодиод не течёт, так как он может течь при смещении

30.

При какой полярности напряжения работает стабилитрон?

a)

при обратном напряжении

b)

при отсутствии светового потока ток через фотодиод не течёт

c)

течёт большой ток, так как фотодиод подключён в обратном направлении

d)

для усиления слабых сигналов

e)

для преобразования частоты

31.

При каком смещении перехода (прямой и обратный) нормально используется варикап?

a)

при обратном смещении перехода

b)

для выпрямления переменного тока

c)

для генерации затухающих колебаний

d)

φr = 0,25 V

e)

φr = 1,15 V

32.

Какие диоды применяют в качестве ёмкости?

a)

варикап

b)

режим короткого замыкания

c)

активный режим

d)

режим насыщения

e)

зависит от температуры

33.

Какие диоды применяют на основе контакта металл–полупроводник?

a)

диод Шоттки

b)

это зависит от материала изготовления

c)

одинаковое минимальное у схемы с ОБ и ОК

d)

с ОБ

e)

с ОЭ и ОК

34.

Какие диоды предназначены для стабилизации напряжения?

a)

стабилитрон

b)

в схеме с ОБ

c)

с ОЭ и ОБ

d)

с ОК и ОБ

e)

бездрейфовый

35.

Какие качества p-n перехода используются в работе варикапа?

a)

ёмкостные свойства p-n перехода

b)

это зависит от толщины базы

c)

на изменении разности потенциалов на входе

d)

на изменении ёмкости перехода

e)

плюс на n области и минус на p области

36.

Как называется процесс возникновения пары электрон–дырка?

a)

генерация пар

b)

дрейфовый

c)

плюс на n области и минус на p области

d)

в зоне проводимости

e)

влияние сопротивления базы

37.

Восстановление потерянных валентных электронных связей — это

a)

двойная регенерация

b)

на изменении разности потенциалов на входе

c)

влияние сопротивления базы

d)

10 пФ

e)

при отсутствии светового потока ток через фотодиод не течёт

38.

Изменение зарядов при инжекции определяет

a)

диффузионная ёмкость

b)

изменение толщины базы из‑за влияния коллекторного напряжения на ширину эмиттерного перехода

c)

изменение толщины базы из‑за влияния коллекторного напряжения на концентрацию подвижных носителей в базе

d)

пробой

39.

Применяются в качестве конденсаторов переменной ёмкости

a)

варикап

b)

индия

c)

золота

d)

серебра

e)

железа

40.

Полупроводниковый диод, предназначенный для стабилизации напряжения, имеет достаточно низкое напряжение пробоя, может поддерживать это напряжение на постоянном уровне при значительном изменении силы обратного тока

a)

стабилитрон

b)

варикап

c)

золота

d)

транзистор

e)

железа

41.

Полупроводниковый диод на основе вырождённого полупроводника, в котором при приложении напряжения в прямом направлении туннельный эффект проявляется в появлении участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением на ВАХ

a)

туннельный диод

b)

варикап

c)

стабилитрон

d)

транзистор

e)

железа

42.

Почему фотодиод не используется в прямом включении?

a)

фототок намного меньше прямого тока

b)

трудно фототок выделить на фоне прямого тока

c)

транзисторы, в которых токи в областях транзистора определяются исключительно дрейфовом носителе

d)

транзисторы, в которых дрейфовый ток через эмиттерный переход больше, чем через коллекторный

e)

можно, если понизить управляющий ток до нуля

43.

Течёт ли ток через фотодиод при отсутствии светового потока при обратном смещении?

a)

течёт небольшой обратный ток через фотодиод

b)

при отсутствии светового потока ток через фотодиод не течёт

c)

течёт большой ток, так как фотодиод подключён в обратном направлении

d)

при обратном смещении ток не течёт ни при каких условиях

e)

ток через фотодиод не течёт, так как он может течь при смещении

44.

Где располагается уровень Ферми у невырождённых примесных полупроводников n‑типа?

a)

в запрещённой области вблизи зоны проводимости

b)

посредине запрещённой зоны

c)

в валентной зоне

d)

в зоне проводимости

e)

в запрещённой области вблизи валентной зоны

45.

Укажите величину барьерной ёмкости p-n перехода

a)

1000 пФ

b)

0,1 мкФ

c)

10 пФ

d)

1000 нФ

e)

0,033 мкФ

46.

Для чего применяются диоды?

a)

для выпрямления переменного тока

b)

для генерирования незатухающих колебаний

c)

для стабилизации напряжения

d)

для усиления слабых сигналов

e)

для преобразования частоты

47.

Какова величина потенциального барьера (контактной разности потенциалов) для кремния?

a)

φ0 = 0,6 V

b)

φ0 = 1,25 V

c)

φ0 = 1,15 V

d)

φ0 = 0,5 V

e)

φ0 = 0,75 V

48.

В каком направлении перемещаются дырки через p-n переход в равновесном состоянии за счёт электрического поля?

a)

из n области в p область

b)

из n в p

c)

из p области в n область

d)

равновероятно в обоих направлениях

e)

это зависит от концентрации донорной примеси

49.

Чему равно число носителей заряда в чистом кремнии?

a)

ni = 2,5⋅1016м32,5·10^16 м^3

b)

ni = 3⋅1016м33·10^16 м^3

c)

ni = 4⋅1016м34·10^16 м^3

d)

ni = 5⋅1016m35\cdot10^{16} m^{3}

e)

ni = 3,5⋅10163,5·10^16 м^3

50.

Какова величина потенциального барьера (контактной разности потенциалов) для германия?

a)

φ0 = 0,3÷0,5 V

b)

φ0 = 1÷2,5 V

c)

φ0 = 1,15 V

d)

φ0 = 0,6÷1 V

e)

φ0 = 0,75 V

51.

Какие валентные соединения дают возможность получить n‑типные полупроводники?

a)

пятивалентные (As, Sb)

b)

из фосфида галлия

c)

из оксида кремния

d)

движение за счёт разности концентраций

e)

из p области в n область

52.

Какие носители в полупроводнике n‑типа являются основными?

a)

электроны

b)

дырки

c)

позитроны

d)

положительные ионы

e)

равновероятно в обоих направлениях

53.

Что такое запрещённая зона?

a)

слой полупроводника с большой концентрацией примесей

b)

транзисторы, в которых токи в областях транзистора определяются исключительно дрейфовом носителе

c)

режим с источником напряжения и с нагрузкой во внешней цепи транзисторы, в которых дрейфовый ток через эмиттерный переход больше, чем через коллекторный

d)

изменение толщины базы из‑за влияния коллекторного напряжения на ширину эмиттерного перехода

54.

В каком направлении движутся электроны через p-n – переход в результате воздействия электрического поля?

a)

из области R(n)

b)

положительные ионы

c)

отрицательные ионы

d)

это зависит от концентрации акцепторной примеси

e)

h12

Similar Resources on Wayground

саясатт 3-деңгей 1-50

50 questions

саясатт 3-деңгей 1-50

quiz

Worksheet

•

University

физ хим 100-150

50 questions

физ хим 100-150

quiz

Worksheet

•

University

Терстом 1-50

50 questions

Терстом 1-50

quiz

Worksheet

•

University

Культурология

50 questions

Культурология

quiz

Worksheet

•

University

Электромагнетизм бойынша тест

51 questions

Электромагнетизм бойынша тест

quiz

Worksheet

•

University

Психология (201-250)

50 questions

Психология (201-250)

quiz

Worksheet

•

University

орыс т лог 51-100

50 questions

орыс т лог 51-100

quiz

Worksheet

•

University

51-100 ofd

50 questions

51-100 ofd

quiz

Worksheet

•

University