Технология флеш-памяти

Ce este tehnologia memoriei flash?

Что представляет собой технология флеш-памяти?

• un fel de tehnologie de semiconductor memorie reprogramabilă EEPROM.

  разновидность полупроводниковой технологии перепрограммируемой памяти EEPROM.

• dispozitiv de stocare cu acces aleatoriu (dispozitiv de stocare a informațiilor, unitate) bazat pe principiul înregistrării magnetice.

  запоминающее устройство (устройство хранения информации, накопитель) произвольного доступа, основанное на принципе магнитной записи.

• un mediu optic de stocare sub forma unui disc de plastic cu o gaură în centru, al cărui proces de înregistrare și citire a informațiilor se realizează cu ajutorul unui laser.

  оптический носитель информации в виде пластикового диска с отверстием в центре, процесс записи и считывания информации которого осуществляется при помощи лазера.

Cine a descoperit tehnologia memoriei flash?

Кто открыл технологию флеш-память?

• Fuji Masuoka

  Фудзи Масуока

• Kim Chen In

  Ким Чен Ын

• Elon Musk

  Илон Маск

• Qi Ching Ping

  Ци Цзин Пин

Ce este o celulă de stocare elementară?

Что представляет из себя элементарная ячейка хранения данных?

• tranzistor cu poartă plutitoare

  транзистор с плавающим затвором

• tranzistor cu virgulă mobilă

  транзистор с плавающей запятой

• tranzistor cu punct mobil

  транзистор с плавающей точкой

• Nu există niciun răspuns corect

  Нет верного ответа

Care sunt principalele tipuri de memorie flash?

Какие основные типы флеш-памяти существуют?

• NAND

• NOR

• XOR

• NOT

Specificați versiunile flash hibride.

Укажите гибридные версии флеш-памяти.

• NAND

• NOR

• DiNOR

• superAND

Specificați principalele tipuri de celule de memorie.

Укажите основные типы ячеек памяти.

• MLC

• SLC

• SPA

• MPA

Celulele sunt mai încăpătoare și mai ieftine, dar ele cu un timp de acces mai lung și mai puține cicluri de scriere/ștergere (aproximativ 10.000) se numesc ...

Ячейки более емкие и дешевые, но они с большим временем доступа и меньшим количеством циклов записи/стирания (около 10000) называется ...

• Multi-level cell (многоуровневые ячейки памяти)

• Single-level cell (одноуровневые ячейки памяти)

Celulele care au numărul maxim de cicluri de scriere/ștergere (100000) și au un timp de acces mai scurt se numesc ...

Ячейки имеющее максимальное количество циклов записи/стирания(100000) и обладают меньшим временем доступа называется ...

• Single-level cell (одноуровневые ячейки памяти)

• Multi-level cell (многоуровневые ячейки памяти)

Ce arhitectură de memorie flash este prezentată în imagine?

Какая архитектура флеш-памяти изображена на картинке?

• NOR

• NAND

• DiNOR

• superAND

Ce arhitectură de memorie flash este prezentată în imagine?

Какая архитектура флеш-памяти изображена на картинке?

• NAND

• NOR

• DiNOR

• superAND