蝕刻基礎Part-2

提供晶圓載入大氣 與真空 的傳送界面 是？

• VTM

• LoadLock

• FI (Factory Interface)

• Chamber

SiO etch主要應用甚麼氣體

• CF4

• Cl2

• O2

• BCl3

Which RF system provide better ion bombardment capability

• Thermal Chemical etch

• ICP

• TCP

• RIE

蝕刻Wafer的機構稱之為 ?

• FI

• VTM

• Chamber

• LoadLock

為改善Within Wafer uniformity, ESC 的設計趨勢是 ?

• Bigger is better

• Smaller is better

• Different Shape

• Mult-zones temperture control

高真空適合用哪一種pump來維持Chamber 的壓力

• Turbo Pump

• Dry Pump

• Rotary Pump

• Oil Pump

Turbo pump 是利用葉片與氣體分子的什麼作用將氣體排出

• 擠壓

• 碰撞

• 化學反應

• 以上皆非

蝕刻七大系統裡面的哪一個系統, 可以藉由偵測光譜的變化, 停止蝕刻

• Plasma

• Pressure

• Endpoint

• Transfer

Etch Chamber會選擇哪一種材料的化合物來抵抗Plasma

• Copper

• Au

• Aluminum

• Yttrium

SiO and SiN etch 都使用fluorine 氣體, 但因為SiO鍵結較強, 通常會加入哪一種氣體來提供物理轟擊

• O2

• Ar

• Cl2

• HBr