蝕刻基礎 Part-1

今天來上課的是tsmc 哪一個單位

• Fab 12B

• RDPC

• F15B

• F18A

今天上課的是哪一個部門

• DIFF

• CMP

• LIT

• ETCH

Dry Etch前, 通常是哪一個部門負責的製程

• LIT

• DIFF

• CVD

• PVD

為什麼LIT前需要CMP製程

• 便宜

• 平坦化,曝光不會Defocus

• 效能增強

• 沒事找事做

相對於WET etch, Dry etch 的優勢是 ?

• Cost

• Throughput

• High Selectivity

• Shrink Capability

Dry Etch 製程中負責Chemical etch的是 ?

• Ion

• Electron

• Radical

• Light

Dry etch 製程中負責物理轟擊的是 ?

• Ion

• Light

• Radical

• Electron

Dry etch parameter 蝕刻率 (Etch Rate) 這個KPI, 通常是 ?

• Higher better

• Lower better

• Meet Target

• Dependent

關於Plasma 何者錯誤

• 需要在真空環境下

• 需要高能量來產生

• 物質第三態

• 會產生光

Dry etch 參數 深寬比 (Aspect Ratio), 一般來說是越高越好 ,理由是 ?

• 降低元件面積

• 容易製造

• 便宜

• 沒事找事做,就是喜歡挑戰