PPCTVLVC - CVD

CVD là kỹ thuật lắng đọng màng trên đế sử dụng các phản ứng hóa học của các chất có chứa các cấu phần cần thiết ở dạng hơi

• Đúng

• Sai

Trong cold wall CVD, buồng chứa được nung nóng toàn bộ, đế bị nóng theo từ bức xạ nhiệt của thành buồng.

• Đúng

• Sai

Ưu điểm của CVD so với PVD

• CVD cho phép phủ đồng nhất những cấu trúc không phẳng ví dụ các rãnh, các cấu trúc bậc thang... mà PVD gặp khó khăn

• CVD sử dụng các phản ứng hóa học nên tốc độ phủ nhanh hơn so với PVD

• CVD sử dụng các phản ứng hóa học nên có độ tinh khiết của màng cao hơn PVD

Để tạo màng có tính đồng nhất tốt

• Chúng ta ưu tiên phản ứng không đồng nhất (heterogeneous – khác thể) trên bề mặt đế

• Chúng ta ưu tiên phản ứng đồng nhất (homogeneous ) trong buồng chứa

Chọn CÁC phát biểu đúng

• Trong chế độ diffusion controlled, khuyếch tán quyết định tốc độ lắng đọng

• Trong chế độ reaction controlled, phản ứng quyết định tốc độ lắng đọng

• Trong chế độ diffusion controlled, phản ứng quyết định tốc độ lắng đọng

• Trong chế độ reaction controlled, khuyếch tán quyết định tốc độ lắng đọng