Как изменяется сопротивление запорного слоя при прямом и обратном включении p-n перехода.

В прямом – уменьшается, в обратном – увеличивается.

В прямом – уменьшается, в обратном –уменьшается.

Какие п/п диоды кремниевые или германиевые могут работать при более высокой температуре?

При определённых условиях германиевые.

Оба не могут работать.

Какие электроны в атоме находятся на более высоких энергетических уровнях?

Наиболее удаленные от ядра.

Электроны внутренней оболочки.

Наиболее быстрые электроны.

Обладающие меньшей энергией

Какие носители являются основными в п/п n и p – типа.

p – дырки, n – электроны.

n – с большими энергиями, в p – с малыми Энергиями.

P – дырки и электроны, n – электроны.

n – электроны и дырки, p – дырки

Что такое p-n переход?

Слой на границе раздела p и n – областей.

Слой с не основными носителями.

Слой, заполненный электронами и дырками.

Скачёк потенциала на границе p и n – областей.

Какие п/п диоды - точечные или плоскостные способны пропускать больше тока.

Ни точечные, ни плоскостные.

Только точечные, так как они мощнее.

Плоскостные при использовании их в выпрямителях и детекторах.

Как изменяются барьерная и диффузионная ёмкости при изменении напряжения, приложенного к p-n переходу в прямом направлении?

Барьерная уменьшается при увеличении прямого напряжения, диффузионная увеличивается.

При уменьшении напряжения барьерная – увеличивается, диффузионная – уменьшается.

При увеличении напряжения обе ёмкости уменьшаются.

Какими носителями тока обусловлена собственная проводимость полупроводника?

Электронами и дырками.

Электронами и ионами.

Что такое инжекция?

Введение носителей заряда в область, где они являются неосновными носителями.

Хаотическое движение зарядов.

Введение носителей тока через p-n переход.

Движение носителей тока под действием электрического поля.

Какие диоды кремниевые или германиевые обладают большим напряжением пробоя?

У обоих диодов одинаковое и большое.

Для обоих диодов напряжение пробоя не имеет смысла.

Изменяется ли проводимость полупроводников n и p типа при изменении температуры?

Увеличивается при увеличении температуры.

Уменьшается при увеличении температуры.

При увеличении температуры, в n-типа увеличивается, в р-типа уменьшается.

Как влияет электрическое поле запорного слоя на движение основных и не основных носителей тока?

Для основных – тормозящее, для не основных – ускоряющее.

Для основных – ускоряющее, для не основных – тормозящее.

Является ускоряющим.

Является тормозящим.

При одинаковом ли напряжении, приложенном к p-n переходу в прямом направлении, будет скомпенсирован потенциальный барьер в германии и кремнии?

В германии при меньшем, в кремнии при большем.

В германии при большем, в кремнии при меньшем.

В германии может быть скомпенсирован, в кремнии нет.

В каких диодах германиевых или кремниевых ток сильнее изменяется при изменении температуры.

В германиевых изменяется, в кремниевых – не изменяется.

В кремниевых изменяется, в германиевых – не изменяется.

В каких зонах происходит перемещение свободных электронов и дырок.?

Электроны в зоне проводимости, дырки в валентной зоне

В зоне проводимости

Дырки в зоне проводимости, электроны в валентной зоне

Дырки в валентной зоне, электроны в запрещённой

Как влияет обратное напряжение на движение основных и не основных носителей тока через p-n переход?

Основные тормозит, не основные ускоряет

Тормозит движение носителей

Ускоряет движение носителей

Основные ускоряет, не основные тормозит

Какие диоды, точечные или плоскостные способны работать на более высоких частотах?

На высоких частотах могут работать и точечные, и плоскостные диоды

На высоких частотах могут работать только германиевые диоды

Какие диоды, точечные или плоскостные способны работать на более низких частотах?

На высоких частотах могут работать только германиевые диоды.

На высоких частотах могут работать и точечные, и плоскостные диоды.

Влияет ли изменение температуры на величину допустимого обратного напряжения?

Влияет увеличение температуры.

Величина допустимого обратного напряжения возрастает при увеличении температуры.

Допустимое обратное напряжение уменьшается при уменьшении температуры.

Уменьшение температуры не влияет на величину допустимого обратного напряжения.

Какие условия должны быть выполнены, чтобы электрон мог перейти с более низкого энергетического уровня на более высокий?

Необходимо сообщить электрону дополнительную энергию

Чтобы энергетический уровень был свободен

Электрон должен обладать достаточной энергией и скоростью

Необходимо сообщить электрону дополнительную энергию, и чтобы энергетический уровень был свободен

Какие носители являются не основными в полупроводниках n и р типа?

В р – электроны, n – дырки

В n – электроны, р – дырки

В n – (+) ионы, в р- (-) ионы

В n – с большими энергиями, в р – с малыми энергиями

Что является характерным для запорного слоя?

Большое сопротивление

Большая разность потенциалов

Скопление дырок и электронов

Занятие носителями высоких энергетических уровней

Какими носителями обусловлен ток через р-n переход при прямом и обратном включении?

При прямом – основными, обратном – не основными.

При прямом – дырками, при обратном – электронами.

При прямом – электронами, при обратном – дырками.

При прямом – не основными, при обратном – основными.

Как изменяется собственная проводимость полупроводников при изменении температуры?

При повышении температуры увеличивается.

При понижении температуры увеличивается.

При повышении температуры уменьшается.

Уменьшается при повышении и понижении температуры

Что характерно для полупроводниковых материалов?

на внешней электронной оболочке вращаются четыре валентных электрона

при повышении температуры не проводят электрический ток, т.е. являются диэлектриками

при температуре абсолютного нуля их электропроводность велика, т.е. они являются проводниками

на внешней электронной оболочке вращаются пять валентных электронов

Как влияет прямое напряжение на движение основных и не основных носителей тока через p-n переход?

Основные ускоряет, неосновные тормозит.

Ускоряет движение носителей через p-n переход.

Неосновные ускоряет, основные тормозит.

Тормозит движение носителей через p-n переход.

Как изменяется барьерная и диффузионная ёмкости при включении p-n перехода в обратном направлении?

Диффузионная – уменьшается, барьерная – увеличивается.

Уменьшается – барьерная, не имеет смысла – диффузионная.

Диффузионная – увеличивается, барьерная – уменьшается.

Как изменяется барьерная и диффузионная ёмкости при включении р - n перехода при прямом направлении?

Диффузионная – увеличивается, барьерная – уменьшается.

Диффузионная – уменьшается, барьерная – увеличивается.

Уменьшается – барьерная, не имеет смысла – диффузионная.

Будет ли одинаковым обратный ток германиевого и кремниевого диодов при одинаковом обратном напряжении?

У германиевого больше.

У кремниевого больше.

У обоих одинаковый.

Токи от величины напряжения не зависят.

Что такое рекомбинация?

Процесс исчезновения пары электрон проводимости дырка проводимости

Движение носителей через p-n переход

Переход носителей в область, где они являются неосновными

Столкновение основных и неосновных носителей

Что такое генерация?

Процесс образования пары электрон проводимости дырка проводимости.

Движение носителей через p-n переход.

Столкновение основных и неосновных носителей.

Переход носителей в область, где они являются неосновными.

Какие заряды находятся на запорном слое?

Электроны и дырки.

(-) ионы и электроны.

Как изменяется ширина запорного слоя при прямом и обратном его включении?

При прямом включении уменьшается, при обратном увеличивается

При прямом включении уменьшается, при обратном уменьшается

Как изменится высота потенциального барьера?

При прямом включении уменьшается. , при обратном увеличивается

При прямом включении уменьшается, при обратном уменьшается

При одинаковой температуре наступает электрический пробой в кремниевых и германиевых диодах?

В кремниевых при большой, в германиевых при меньшей.

При одинаковой, когда приложено одинаковое напряжение.

В германиевых при большой, в кремниевых при меньшей.

При любой температуре пробоя не наступит.

Примеси какой валентности обеспечивают получение п/п p и n типа?

n – 5 валентные, p – 3 валентные.

n – 3 валентные, p – 5 валентные.

n – 5 валентные, p – 5 валентные.

n – 4 валентные, p – 3 валентные.

Что такое диффузия носителей в проводнике?

Движение за счёт разности концентрации носителей.

Хаотическое тепловое движение.

Движение за счёт электрического поля.

Упорядоченное движение носителей.

Какое включение p-n перехода называемая прямым и обратным?

Прямое – плюс к источнику питания к p-области, минус к n-области; обратное – плюс к n, а минус к p-области.

(+) к n и (-) к p – прямое; (+) к p и (-) к n – обратное.

(-) к n и (-) p – прямое; (+) к p и (+) к n – обратное.

(-) к n и (+) к p – обратное; (+) к n и (-) к p – прямое.

Какие носители заряда являются не основными в полупроводниках n и р типа?

В р –электроны, n- дырки

В n- большими энергиями

В n – (+) ионы, р (-) ионы

В р (+) ионы, n- (-) ионы

Что такое р-n переход?

Слой на границе раздела р и n областей, обедненный основными носителями заряда

Слой с не основными носителями

Слой заполненный электронами и дырами

Слой на границе двух областей

Какое включение р-n перехода называется прямым и обратным?

(-) к n – и (+) к р-области; обратное, (+) к n и (-) к р- прямым

(+) к n, а (-) к р- прямое, (+) к-р, а (-) к-n обратное

(-) к –n, и (-) к р- прямое, (+) к р, и(+) к n- обратное

Прямое – плюс источника питания к р области, минус к n- области

Каким носителями обусловлен ток через р-n переход при прямом и обратном его включении

При прямом – электронами, и обратном - дырками

При прямом – основными носителями, при обратном – не основными носителями

При прямом – дырками, обратном – электронами

При прямом–не основными носителями ,при обратном – основными

Как влияет прямое напряжение на движение носителей заряда?

Основные – ускоряет ,не основные – тормозит

Ускоряет движение носителей через р-n переход

Не сновные – ускоряет, основные тормозит

Тормозит движение носителей через р – n переход

Что такое база?

Средняя область транзистора, является основной для построения р-n переходов входа и выхода

Область, основными носителями тока является (-) ионы

Область, основными носителями тока являются (+) ионы

Область, обедненная основными носителями тока

ОЭиТ 240-300

Authored by Альбина Дайрабаева

Physics

University

AI Actions

Add similar questions

Adjust reading levels

Convert to real-world scenario

Translate activity

More...

Content View

Student View

60 questions

Show all answers

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Что такое запрещённая зона?

Совокупность энергетических уровней, которыми не могут обладать электроны данного вещества

Зона, в которой могут находиться только дырки

Зона, в которой не могут находиться носители тока

Зона, в которой могут находиться основные носители тока

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Что такое валентная зона?

Зона, в которой не могут находиться носители тока.

Совокупность энергетических уровней валентных электронов.

Зона, в которой могут находиться основные носители тока.

Зона, в которой могут находиться только дырки.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Что такое зона проводимости?

Зона, в которой могут находиться только дырки.

Зона, в которой могут находиться основные носители тока.

Совокупность энергетических уровней свободных электронов.

Зона, в которой не могут находиться носители тока

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Влияет ли концентрация носителей тока в n и p областях на ширину запорного слоя и величину потенциального барьера?

При большой концентрации запорного слоя и потенциальный барьер увеличивается.

При увеличении концентрации запорный слой увеличивается, а потенциальный барьер не меняется.

При увеличении концентрации ширина запорного слоя уменьшается, а величина потенциального барьера увеличивается.

Влияет.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Одинаковый ли ток в германии и кремнии при подаче на p-n переход одинаковых напряжений

В германии больше, в кремнии меньше.

Одинаковый при любом включении.

В кремнии больше, в германии меньше.

Напряжение не влияет на ток.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Одинакова ли отрицательная температура для германиевых и кремниевых диодов?

Для германиевых больше, для кремниевых меньше.

Одинакова.

Для германиевых меньше, для кремниевых больше.

При любых отрицательных температурах диоды могут работать.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Как образуется потенциальный барьер?

Путём инжекции электронов из n-области в p-область.

Путём инжекции дырок из p-области в n-область.

За счёт инжекции электронов из p-области в n-область, а дырок из n-области в p-область.

За счёт образования ( - ) ионов в p-области, а ( + ) в n-области

Access all questions and much more by creating a free account

Create resources

Host any resource

Get auto-graded reports

Continue with Google

Continue with Email

Continue with Classlink

Continue with Clever

or continue with

Microsoft

Apple

Others

Already have an account?

Similar Resources on Wayground

65 questions

Electricity and Magnetism Midterm Exam

Quiz

•

University

58 questions

Fizika test Mexanika

Quiz

•

University

64 questions

Физика Тест Тапсырмасы

Quiz

•

University

56 questions

Fluid Mechanics

Quiz

•

University

Popular Resources on Wayground

7 questions

History of Valentine's Day

Interactive video

•

4th Grade

15 questions

Fractions on a Number Line

Quiz

•

3rd Grade

20 questions

Equivalent Fractions

Quiz

•

3rd Grade

25 questions

Multiplication Facts

Quiz

•

5th Grade

$fractions$

22 questions

fractions

Quiz

•

3rd Grade

15 questions

Valentine's Day Trivia

Quiz

•

3rd Grade

20 questions

Main Idea and Details

Quiz

•

5th Grade

20 questions

Context Clues

Quiz

•

6th Grade

Discover more resources for Physics

19 questions

Generators, Motors, and Transformers

Quiz

•

8th Grade - University