NEW
Font size
WorksheetsSEMICONDUCTORES
Total questions: 16
Worksheet time: 8mins
El aumento de la resistividad con la temperatura de los metales y aleaciones se debe a:
El aumento de la velocidad de deriva.
El aumento del tamaño de estos átomos.
La disminución de la movilidad de los electrones.
La disminución de la movilidad de los huecos.
En un semiconductor extrínseco de tipo p la conducción a bajas temperaturas se debe al movimiento de:
Los electrones activados térmicamente.
Los huecos.
Los electrones y huecos.
No hay conducción neta a bajas temperaturas.
En un semiconductor intrínseco la conductividad está controlada por:
La movilidad y la temperatura.
La temperatura y la concentración de dopante.
La temperatura, movilidad y la brecha o nivel prohibido
La concentración de dopante
En un semiconductor tipo n la conducción a alta temperatura se debe a:
Electrones donadores.
Electrones donadores y electrones activados térmicamente.
Electrones donadores, huecos y electrones activados térmicamente.
Huecos y electrones activados térmicamente.
La estructura electrónica de los semiconductores está formada por:
Dos bandas de energía con algunos estados superpuestos.
Dos bandas de energía, con electrones conductores en la de conducción.
Bandas de valencia y conducción, separadas por un intervalo prohibido de energía.
Bandas de valencia y conducción coincidentes.
En los semiconductores, los agentes activos de conducción son:
Los electrones de la banda de valencia.
Los huecos de la banda de valencia.
Los electrones de la banda de conducción.
Electrones y huecos.
Un semiconductor que contiene elementos químicos con la capa electrónica de valencia diferente a la de los del semiconductor se denomina:
Extrínseco
Intrínseco
Débilmente extrínseco.
No recibe ningún nombre especial.
Los parámetros que inciden en la conductividad de un semiconductor intrínseco son:
Disminuye en el rango de bajas temperaturas por actuar la agitación térmica de la red cristalina.
Disminuye a altas temperaturas al disminuir la movilidad.
Aumenta en el rango de bajas temperaturas por actuar los dopantes como promotores del mecanismo conductor.
Ninguna es correcta ya que la concentración de portadores de carga es independiente de la temperatura en los extrínsecos.
La diferencia entre la estructura electrónica de un metal y un semiconductor radica en:
La diferencia de población electrónica en la banda de conducción.
La inexistencia de una banda de energía prohibida en el metal separando las bandas de valencia y conducción.
Un mayor valor de la energía prohibida en el semiconductor que en el metal.
La inexistencia de banda de valencia en los metales.
Los semiconductores intrínsecos son los que....
tienen muchas impurezas
carecen de huecos
carecen de electrones
carecen de impurezas
Los semiconductores tienen una dificultad intermedia para pasar los electrones de valencia a la de conducción. Verdadero o Falso.
Un semiconductor se caracteriza por tener una banda prohibida, entre la de conducción y la de valencia muy ancha. Verdadero o Falso.
Un semiconductor con impurezas con 5 electrones de valencia. ¿Qué tipo de semiconductor es?
Tipo N
Tipo P
Intrínseco
Puede se N o P
Los semiconductores están en un punto intermedio entre los conductores y los aislantes porque......
Tienen alta resistencias
Se comportan como conductores, solo en determinadas condiciones
Son aislantes siempre
Son conductores siempre
Los semiconductores extrínsecos son del tipo...
P y N
J y K
Conductores del calor
Conductores por temperatura
Los dos materiales que más se usan para fabricar semiconductores son ....
antimonio y boro
germanio y silicio
germanio y aluminio
aluminio y boro
