短通道效應

窄通道效應

本體碰穿

漏電流增加

源極與汲極的電場會影響電荷分佈

n通道的臨界電壓往較大的正電壓偏移

p通道的臨界電壓往較小的負電壓偏移

汲極電壓增加會造成臨界電壓下滑更厲害

只由結構中寄生的 p-n-p電晶所造成

結構中形成閘流體，且形成負授回路

電源供應處(V_DD)會有一個大電流流向接地點(V_SS)

此現象會有高功率散逸問題產生，進而燒毀chip

利用金摻雜或中子幅射引進深陷阱

提高基板摻雜濃度

降低寄生電路中well(區域)的基極雜質濃度

採用SOI的技術