Wayground logo

Free Printable Worksheets

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

đề 1232

Total questions: 43

Worksheet time: 22mins

Name
Class
Date
1.
Kỹ thuật phún xạ RF có thể chế tạo được màng mỏng với bia là vật liệu:
a)

Không dẫn điện

b)

Dẫn điện

c)

Bia dẫn điện và không dẫn điện

d)

Bia là chất lỏng

2.
Để tăng hiệu suất phún xạ, người ta sử dụng thêm các nam châm gắn bên dưới bề mặt bia (tạo thành phương pháp phún xạ Magnetron) nhằm mục đích
a)
hướng các dòng ion dương chuyển vận ra xa bề mặt bia.
b)
hướng các dòng ion dương chuyển vận tới va đập vào bề mặt bia.
c)
hướng các dòng ion âm chuyển vận ra xa bề mặt bia.
d)
hướng các dòng ion âm chuyển vận tới va đập vào bề mặt bia.
3.
Trong hiệu ứng tỷ lệ kích thước đối với hệ cơ/hệ chất lỏng, lực tĩnh điện … (1)…., lực trọng trường …. (2)….
a)
(1) tăng, (2) giảm.
b)
(1) tăng, (2) tăng.
c)
(1) giảm, (2) tăng.
d)
(1) giảm, (2) giảm.
4.
Mặt nạ quang là công cụ cần thiết được sử dụng trong phương pháp quang khắc. Mặt nạ quang có cấu trúc bao gồm tấm phẳng bằng vật liệu trong suốt và các vùng chắn sáng bằng kim loại được phủ lên bề mặt của tấm đó. Tấm phẳng trong suốt thường được làm bằng vật liệu gì?
a)
Thủy tinh và nhựa plastic trong suốt
b)
Nhựa plastic trong suốt.
c)
Thạch Anh.
d)
Thủy tinh và thạch anh.
5.
Chất cảm quang được phân thành 2 loại là cảm quang dương và cảm quang âm. Sau khi chiếu sáng bằng ánh sáng UV, chất cảm quang sẽ bị tan mạnh trong dung dịch hiện hình (developer) là loại
a)

Cảm quang dương

b)

Cảm quang âm

c)

Cả 2 loại đều tan mạnh

d)

Tùy thuộc vào bước sóng ánh sáng chiếu vào mà loại nào sẽ tan nhiều hơn.

6.
Đây là hình ảnh của một cấu trúc sử dụng dung dịch HNA để ăn mòn. Cho biết đây là dạng ăn mòn nào?
a)

Ăn mòn ướt đẳng hướng.

b)

Ăn mòn ướt dị hướng.

c)

Ăn mòn khô đẳng hướng

d)

Ăn mòn khô dị hướng.

7.
Loại dung dịch HNA nào dưới đây sẽ cho tốc độ ăn mòn ướt lớn nhất
a)
20%HF – 30% HNO3 – 50% Axetic axit.
b)
30%HF – 20% HNO3 – 50% Axetic axit.
c)
40%HF – 30% HNO3 – 30% Axetic axit.
d)
50%HF – 30% HNO3 – 20% Axetic axit
8.
Khi sử dụng kỹ thuật Quang khắc, ánh sáng dùng để chiếu sáng vào bề mặt đế đã phủ lớp cảm quang là ánh sáng thuộc vùng nào?
a)
Hồng ngoại.
b)
Tử ngoại.
c)
Ánh sáng đỏ
d)
Ánh sáng vàng.
9.
Các bước chính trong quá trình quang khắc là
a)

Xử lý đế; Quay phủ chất cảm quang và sấy sơ bộ; Chiếu sáng; Hiện hình; Sấy sau khi hiện hình; Khắc/ tẩm thực SiO2; Tẩy lớp cảm quang.

b)

Xử lý đế; Chiếu sáng; Hiện hình; Sấy sau khi hiện hình; Khắc/ tẩm thực SiO2; Tẩy lớp cảm quang

c)

Quay phủ chất cảm quang và sấy sơ bộ; Chiếu sáng; Hiện hình; Sấy sau khi hiện hình; Khắc/ tẩm thực SiO2; Tẩy lớp cảm quang.

d)

Xử lý đế; Quay phủ chất cảm quang và sấy sơ bộ; Chiếu sáng; Hiện hình; Sấy sau khi hiện hình; Khắc/ tẩm thực SiO2.

10.
Vật liệu nào thường được sử dụng trong công nghệ MEMS
a)
Niken
b)
Đồng
c)
Silic
d)
Thủy tinh
11.
Kỹ thuật phún xạ DC có thể chế tạo được màng mỏng với bia là vật liệu:
a)
Không dẫn điện
b)
Dẫn điện
c)
Bia dẫn điện và không dẫn điện
d)
Bia là chất lỏng.
12.
Nguyên lý hoạt động của kỹ thuật phún xạ là
a)

Dưới tác dụng của môi trường plasma tạo ra trong buồng chân không, các nguyên tử được tách ra khỏi vật liệu nguồn (bia) trên cơ sở các ion âm đến phản ứng hóa học với các nguyên tử trên bề mặt bia, sau đó nguyên tử lắng đọng lên trên đế (phiến Si/SiO2)

b)

Dưới tác dụng của môi trường plasma tạo ra trong buồng chân không, các nguyên tử được tách ra khỏi vật liệu nguồn (bia) trên cơ sở cơ chế va đập của các ion âm lên bề mặt bia, sau đó nguyên tử lắng đọng lên trên đế (phiến Si/SiO2).

c)

Dưới tác dụng của môi trường plasma tạo ra trong buồng chân không, các nguyên tử được tách ra khỏi vật liệu nguồn (bia) trên cơ sở các ion dương đến phản ứng hóa học với các nguyên tử trên bề mặt bia, sau đó nguyên tử lắng đọng lên trên đế (phiến Si/SiO2).

d)

Dưới tác dụng của môi trường plasma tạo ra trong buồng chân không, các nguyên tử được tách ra khỏi vật liệu nguồn (bia) trên cơ sở cơ chế va đập của các ion dương lên bề mặt bia, sau đó nguyên tử lắng đọng lên trên đế (phiến Si/SiO2)

13.
Trong lĩnh vực vi cơ điện tử (MEMS), các linh kiện như vi cảm biến, vi chấp hành thường có kích thước nhỏ cỡ từ:
a)
Hàng trăm nanomet đến vài milimet.
b)
Vài nanomet đến hàng trăm nanomet.
c)
Vài milimet đến vài centimet.
d)
Vài centimet đến vài mét.
14.
Phiến Silic dùng trong công nghệ vi cơ điện tử được tạo ra từ kỹ thuật
a)
Nuôi đơn tinh thể.
b)
Nấu chảy từ cát và đúc từ khuôn.
c)
Điện phân.
d)
Không đáp án nào đúng.
15.
Trong kỹ thuật khắc (ăn mòn) ướt silic đẳng hướng. Dung dịch hóa học thường được sử dụng là hỗn hợp dung dịch axit có tên là HNA. HNA là hỗn hợp của những dung dịch nào?
a)
HF – HNO3 axit – Axetic axit.
b)
HCl – HNO3 axit – Axetic axit.
c)
H2SO4 – HNO3 axit – Axetic axit.
d)
HF – HCl axit – Axetic axit.
16.
Mặt nạ quang là công cụ cần thiết được sử dụng trong phương pháp quang khắc. Mặt nạ quang có cấu trúc bao gồm tấm phẳng bằng vật liệu trong suốt và các vùng chắn sáng bằng kim loại được phủ lên bề mặt của tấm đó. Kim loại được dùng để phủ lớp chắn sáng này thường là
a)
Đồng (Cu).
b)
Crôm (Cr).
c)
Bạc (Ag).
d)
Vàng (Au).
17.
Trong kỹ thuật khắc (ăn mòn) ướt silic dị hướng. Dung dịch hóa học được sử dụng là các dung dịch kiềm như KOH, NaOH, LiOH, NH4OH, CsOH. Trong số đó, dung dịch nào sử dụng phổ biến
a)

LiOH

b)

NaOH

c)

KOH

d)

NH4OH

18.
Đây là hình ảnh của một cấu trúc sử dụng dung dịch KOH để ăn mòn. Cho biết đây là dạng ăn mòn nào?
a)

Ăn mòn ướt dị hướng.

b)

Ăn mòn ướt đẳng hướng.

c)

Ăn mòn khô đẳng hướng

d)

Ăn mòn khô dị hướng.

19.
Trong kỹ thuật bốc bay nhiệt. Yêu cầu vật liệu làm nguồn nung nhiệt (cốc nung, chén nung,…) phải có
a)

Điện trở suất nhỏ, không chứa tạp chất, không phản ứng hóa học với vật liệu tạo màng

b)

Điện trở suất cao, không chứa tạp chất và phản ứng hóa học được với vật liệu tạo màng.

c)

Điện trở suất nhỏ, không chứa tạp chất và phản ứng hóa học được với vật liệu tạo màng.

d)

Điện trở suất cao, không chứa tạp chất, không phản ứng hóa học với vật liệu tạo màng.

20.
Trong hiệu ứng tỷ lệ kích thước đối với hệ cơ, các linh kiện MEMS có khả năng chịu đựng …………. khi có tác động của va đập hay rung động so với loại linh kiện đó nhưng ở kích thước lớn vĩ mô
a)
. Kém hơn
b)
Tốt hơn
c)
Tương đương.
d)
. Tùy thuộc vào mức độ va đập
21.
Hiệu ứng tỷ lệ kích thước đối với một hệ mạch điện, khi ta thu nhỏ một điện trở về kích thước MEMS thì giá trị của điện trở sẽ
a)
Tăng lên.
b)
Giảm đi
c)
Không thay đổi.
d)
Tùy vào vào công nghệ chế tạo
22.
Chất cảm quang được phân thành 2 loại là cảm quang dương và cảm quang âm. Sau khi chiếu sáng bằng ánh sáng UV, chất cảm quang sẽ bị tan mạnh trong dung dịch hiện hình (developer) là loại
a)

Cảm quang dương.

b)

Cảm quang âm

c)

Cả 2 loại đều tan mạnh.

d)

Tùy thuộc vào bước sóng ánh sáng chiếu vào mà loại nào sẽ tan nhiều hơn.

23.
: Mặt nạ quang là công cụ cần thiết được sử dụng trong phương pháp quang khắc. Mặt nạ quang có cấu trúc bao gồm tấm phẳng bằng vật liệu trong suốt và các vùng chắn sáng bằng kim loại được phủ lên bề mặt của tấm đó. Tấm phẳng trong suốt thường được làm bằng vật liệu gì?
a)

Thủy tinh và nhựa plastic trong suốt

b)

Nhựa plastic trong suốt

c)

Thạch Anh

d)

Thủy tinh và thạch anh.

24.
Lớp Silic Oxit (SiO2) thường dùng trong chế tạo linh kiện với vai trò là lớp cách điện hay lớp bảo vệ trong quá trình khuếch tán. Người ta thường tạo ra lớp này bằng kỹ thuật ôxy hóa nhiệt khô hoặc ôxy hóa nhiệt ướt từ phiến Silic (Si). Trong kỹ thuật ôxy hóa khô, khí ôxy sạch được đưa vào lò ôxy hóa, nhiệt độ ôxy hóa có giá trị trong khoảng
a)
900oC - 1200oC
b)
300oC - 500oC
c)
. 1500oC - 2000oC
d)
. 100oC - 200oC
25.
Bốc bay chân không (bốc bay nhiệt) là kỹ thuật chế tạo màng mỏng trong chân không trên cơ sở quá trình tách các nguyên tử hay phân tử khỏi nguồn vật liệu rắn nhờ sự nung nhiệt. Chân không được khống chế trong buồng bốc bay cỡ
a)
. 10-5 mmHg - 10-7 mmHg.
b)
10-1 mmHg - 10-3 mmHg.
c)
10-3 mmHg - 10-5 mmHg.
d)
. 10-8 mmHg - 10-10 mmHg
26.
: Kỹ thuật phún xạ DC có thể chế tạo được màng mỏng với bia là vật liệu:
a)
Không dẫn điện
b)
Dẫn điện
c)
Bia dẫn điện và không dẫn điện
d)
Bia là chất lỏng.
27.
Vật liệu chủ yếu nhất hiện nay được sử dụng để chế tạo các cấu trúc MEMS ba chiều bằng công nghệ vi cơ khối ướt là
a)
Nhôm
b)
Silic
c)
Platin
d)
Thủy tinh
28.
: Loại dung dịch HNA nào dưới đây sẽ cho tốc độ ăn mòn ướt lớn nhất
a)
. 20%HF – 30% HNO3 – 50% Axetic axit.
b)
30%HF – 20% HNO3 – 50% Axetic axit
c)
40%HF – 30% HNO3 – 30% Axetic axit
d)
. 50%HF – 30% HNO3 – 20% Axetic axit.
29.
Đây là hình ảnh của một cấu trúc sử dụng dung dịch KOH để ăn mòn. Cho biết đây là dạng ăn mòn nào?
a)

. Ăn mòn ướt đẳng hướng.

b)

Ăn mòn ướt dị hướng.

c)

Ăn mòn khô đẳng hướng

d)

Ăn mòn khô dị hướng.

30.
Hiệu ứng tỷ lệ kích thước đối với một hệ mạch điện, khi ta thu nhỏ một cuộn cảm về kích thước MEMS thì giá trị của độ tự cảm sẽ
a)
Tăng lên
b)
Giảm đi
c)
Không thay đổi.
d)
Tùy vào vào công nghệ chế tạo.
31.
: Trong lĩnh vực vi cơ điện tử (MEMS), các linh kiện như vi cảm biến, vi chấp hành thường có kích thước nhỏ cỡ từ:
a)
Hàng trăm nanomet đến vài milimet.
b)
Vài nanomet đến hàng trăm nanomet
c)
Vài milimet đến vài centimet
d)
Vài centimet đến vài mét
32.
Mặt nạ quang là công cụ cần thiết được sử dụng trong phương pháp quang khắc. Mặt nạ quang có cấu trúc bao gồm tấm phẳng bằng vật liệu trong suốt và các vùng chắn sáng bằng kim loại được phủ lên bề mặt của tấm đó. Kim loại được dùng để phủ lớp chắn sáng này thường là
a)
Đồng (Cu)
b)
Crôm (Cr)
c)
Bạc (Ag).
d)
Vàng (Au).
33.
Khi sử dụng kỹ thuật Quang khắc, ánh sáng dùng để chiếu sáng vào bề mặt đế đã phủ lớp cảm quang là ánh sáng thuộc vùng nào?
a)
Hồng ngoại
b)
Tử ngoại.
c)
Ánh sáng đỏ
d)
Ánh sáng vàng
34.
Lớp Silic Oxit (SiO2) thường dùng trong chế tạo linh kiện với vai trò là lớp cách điện hay lớp bảo vệ trong quá trình khuếch tán. Người ta thường tạo ra lớp này bằng kỹ thuật ôxy hóa nhiệt khô hoặc ôxy hóa nhiệt ướt (ẩm) từ phiến Silic (Si). Chọn kết luận đúng nhấ
a)

Phương pháp ôxy hóa ướt (ẩm) có tốc độ tạo lớp SiO2 thấp hơn so với phương pháp ôxy hóa khô. Tuy nhiên lớp SiO2 nhận được bằng phương pháp đó thường có chất lượng tốt hơn.

b)

Phương pháp ôxy hóa ướt (ẩm) có tốc độ tạo lớp SiO2 lớn hơn so với phương pháp ôxy hóa khô. Tuy nhiên lớp SiO2 nhận được bằng phương pháp đó thường có chất lượng kém hơn

c)

Phương pháp ôxy hóa ướt (ẩm) có tốc độ tạo lớp SiO2 lớn hơn so với phương pháp ôxy hóa khô và lớp SiO2 nhận được bằng phương pháp đó cũng có chất lượng tốt hơn.

d)

Phương pháp ôxy hóa ướt (ẩm) có tốc độ tạo lớp SiO2 thấp hơn so với phương pháp ôxy hóa khô và lớp SiO2 nhận được bằng phương pháp đó thường có chất lượng tốt hơn.

35.
Trong kỹ thuật phún xạ. Môi trường trong buồng chân không nhất thiết phải có để tạo ra sự va đập với các nguyên tử trên bề mặt Bia là
a)
Môi trường nhiều electron
b)
Môi trường Plasma
c)
Môi trường đầy khí ôxy
d)
Môi trường chất lỏng.
36.
Trong kỹ thuật khắc (ăn mòn) ướt silic dị hướng. Dung dịch hóa học được sử dụng là các dung dịch kiềm như KOH, NaOH, LiOH, NH4OH, CsOH. Trong số đó, dung dịch nào sử dụng phổ biến
a)

LiOH

b)

NaOH

c)

KOH

d)

. NH4OH

37.
Đây là hình ảnh của một cấu trúc sử dụng dung dịch HNA để ăn mòn. Cho biết đây là dạng ăn mòn nào?
a)

Ăn mòn ướt đẳng hướng

b)

Ăn mòn ướt dị hướng.

c)

Ăn mòn khô đẳng hướng

d)

. Ăn mòn khô dị hướng.

38.
Kỹ thuật phún xạ RF có thể chế tạo được màng mỏng với bia là vật liệu
a)

Không dẫn điện

b)

Dẫn điện

c)

Bia dẫn điện và không dẫn điện

d)

Bia là chất lỏng

39.
Vật liệu nào thường được sử dụng trong công nghệ MEMS
a)
Niken
b)
Đồng
c)
Silic
d)
Thủy tinh
40.
Trong hiệu ứng tỷ lệ kích thước đối với hệ cơ/hệ chất lỏng, lực tĩnh điện … (1)…., lực trọng trường …. (2)…..
a)
. (1) tăng, (2) giảm
b)
(1) tăng, (2) tăng.
c)
. (1) giảm, (2) tăng.
d)
(1) giảm, (2) giảm
41.
Các bước chính trong quá trình quang khắc là
a)

Xử lý đế; Quay phủ chất cảm quang và sấy sơ bộ; Chiếu sáng; Hiện hình; Sấy sau khi hiện hình; Khắc/ tẩm thực SiO2; Tẩy lớp cảm quang

b)

Xử lý đế; Chiếu sáng; Hiện hình; Sấy sau khi hiện hình; Khắc/ tẩm thực SiO2; Tẩy lớp cảm quang.

c)

Quay phủ chất cảm quang và sấy sơ bộ; Chiếu sáng; Hiện hình; Sấy sau khi hiện hình; Khắc/ tẩm thực SiO2; Tẩy lớp cảm quang

d)

Xử lý đế; Quay phủ chất cảm quang và sấy sơ bộ; Chiếu sáng; Hiện hình; Sấy sau khi hiện hình; Khắc/ tẩm thực SiO2

42.
Trong kỹ thuật bốc bay nhiệt. Yêu cầu vật liệu làm nguồn nung nhiệt (cốc nung, chén nung,…) phải có
a)

Điện trở suất nhỏ, không chứa tạp chất, không phản ứng hóa học với vật liệu tạo màng.

b)

Điện trở suất cao, không chứa tạp chất và phản ứng hóa học được với vật liệu tạo màng

c)

Điện trở suất nhỏ, không chứa tạp chất và phản ứng hóa học được với vật liệu tạo màng.

d)

Điện trở suất cao, không chứa tạp chất, không phản ứng hóa học với vật liệu tạo màng

43.
Để tăng hiệu suất phún xạ, người ta sử dụng thêm các nam châm gắn bên dưới bề mặt bia (tạo thành phương pháp phún xạ Magnetron) nhằm mục đích
a)
hướng các dòng ion dương chuyển vận ra xa bề mặt bia
b)
hướng các dòng ion dương chuyển vận tới va đập vào bề mặt bia
c)
hướng các dòng ion âm chuyển vận ra xa bề mặt bia
d)
hướng các dòng ion âm chuyển vận tới va đập vào bề mặt bia

Similar Resources on Wayground

Lịch sử đảng 6

48 questions

Lịch sử đảng 6

quiz

Worksheet

•

KG

bài 3

40 questions

bài 3

quiz

Worksheet

•

1st Grade

Rảnh rỗi sinh nông nỗi

42 questions

Rảnh rỗi sinh nông nỗi

quiz

Worksheet

•

1st Grade

dia11

46 questions

dia11

quiz

Worksheet

•

11th Grade

Gdcd cuối kì 2

42 questions

Gdcd cuối kì 2

quiz

Worksheet

•

12th Grade

CN HKII 7

40 questions

CN HKII 7

quiz

Worksheet

•

KG