Font size
Worksheetssesiune
Total questions: 47
Worksheet time: 31mins
Care afirmatii sunt adevarate in cazul circuitelor de memorie bazate pe celula de memorie DRAM MOS cu un tranzistor?
Celulele de memorie nu trebuie reincarcate dupa fiecare ciclu de citire?
Celulele de memorie trebuie reincarcate dupa fiecare ciclu de citire
Informatia este stocata in bistabilele realizate cu tranzistoare MOS
IInformatia este stocata intr-un dispozitiv MOS cu stocare de sarcina si poarta flotantA
Informatia este stocata in condensatoare
Considerand circuitul Trigger-Schmitt din imagine, care sunt factorii care determina intervalul de histerezis?
Raportul dintre rezistentele R1 si R2
Intrarea Vi setata la 1 logic
Diferenta dintre nivelurile superioare si inferioare ale tensiunii de iesire
Utilizarea unui comparator in locul unui amplificator
Se consideră circuitul basculant astabil din imagine. Selectati afirmatiile corecte (alegeti 2 răspunsuri)
Circuitul se poate afla doar în stări instabile
Descarcarea condensatorului C2 prin tranzistorul Q2 determină scăderea potentialului în baza tranzistorului Q1
Descarcarea condensatorului C2 prin tranzistorul Q2 determina cresterea potențialului în baza tranzistorului Q1
Circuitul se poate afla in doua stán, una stabilă si una stabil
Cate impulsuri de tact (aproximativ) trebuie sa treaca pentru fiecare bit, in cadrul unei transmisii seriale (eg. UART), daca se utilizeaza un oscilator un frecventa de 12MHz si se doreste obtinerea unei rate Baud de 115200 biti pe secunda? (Selectati 1 raspuns):
115
104
75
12
Care afirmatii sunt adevărate în cazul circuitelor de memorie bazate pe celula de memorie SRAM CMOS (alegeți 2răspunsuri)?
Operatia de citire nu este distructiva
Este o memorie volatila
Este o memorie nevolatila
Este o memorie adresabila prin continut
Operatia de citire este distructiva
La dispozitivele de căutare hardware CAM codificatorul (alegeti 1 raspuns):
Returnează semnale de matching ce descriu datele cautate
Primeste semnalele de la liniile match si genereaza adresa datelor căutate
Primeşte datele căutate şi genereaza adresa datelor
Primeste semnalele de la liniile match si genereaza adresa datelor căutate
Pe fronturile de comutaţie ale circuitelor integrate CMOS, puterea disipată... (alegeți 1 răspuns)
Creste consumul de putere
Poarta nu consumă curent
Toate variantele
Unul dintre cele doua tranzistoare MOS complementare este blocat
Despre timpii de propagare în circuitele logice integrate, se pot afirma următoarele: (alegeți 2 răspunsuri)
Timpii de întârziere se calculează exclusiv pe baza semnalului de iesire.
Oc Timpul de propagare nu influențează valoarea maximă a frecvenței semnalului de intrare;
Se definesc tinand cont de amplitudinea semnalului de intrare, precum si a celui de iesire
Timpii de creștere și de cădere (Rise Time şi Fall Time) se definesc pentru fronturile de tensiune ale semnalului:
Timpul de propagare mediu nu include timpii de întârziere;
Factorul de calitate al circuitelor logice reprezinta….
Diferenta intre modul dintre consumul de putere in regim static si dinamic
Raportul dintre consumul de putere si timpul de propagare
Suma dintre timpii de propagare
Produsul dintre timpul de propagare si consumul de putere
Pentru asigurarea unui curent mare de ieşire, driverul 4511 are prevazut la ieşire unc (alegeti 1 raspuns)
Tranzistor bipolar
Amplificator cu reactie negativa
Amplificator cu reactie pozitiva
Nimic
Tranzistor cu efect de camp cu canal p
Din cate circuite de memorie de 512*8 se obtine un bloc de memorie avand capacitatea de 16384*32 (alegeti 1 raspuns)?
80
120
128
64
La memoriile CAM semnalele de matching (alegeți 1 răspuns):
Starea '0' logic indica faptul ca exista cel putin un bit memorat care nu corespunde cu bitul căutat
Sunt preîncărcate la '0' logic
Starea '1' logic indica faptul ca exista cel putin un bit memorat care nu corespunde cu bitul căutat
Sunt preîncărcate la '0' logic, SUNT CRISTINA. NU EU AM PUS DE DOUA ORI ACELAȘI RASPUNS CA AȘA ERA DEJA PUS IN EXERCIȚIU ☺️👍🏻)
Tensiunea de prag (Vt) a tranzistorului MOS este: (alegeți 1 răspuns)
.O valoare a tensiunii grila-sursa
O valoare a tensiunii sursa-baza
O valoare a tensiunii grilei
O valoare a tensiunii grila-drena
Care afirmatii sunt adevărate în cazul circuitelor de memorie bazate pe celula de memorie SRAM CMOS (alegeti 2 răspunsuri)?
Informatia este stocată în condensatoare
Informatia este stocată in bistabile realizate cu tranzistoare MOS
Informația este stocată într-un dispozitiv MOS cu stocare de sarcina și poarta flotanta
Celulele de memorie nu trebuie reincarcate după fiecare ciclu de citire
Celulele de memorie trebuie reincarcatupa fiecare ciclu de citire
Selectati ordinea corecta de executie a etapelor executate de un microcontroller pentru gestionarea unei intreruperi (Selectati 1raspuns):
Salveaza pe stiva locatia urmatoarei instructiuni, determina sursa de intrerupere, acceseaza tabela vectorilor de intrerupere, executa rutina de tratare a intreruperii, incarca de pe stiva locatia urmatoarei instructiuni
Determina sursa de intrerupere, salveaza pe stiva locatia urmatoarei instructiuni, incarca de pe stiva locatia urmatoarel instructiuni, acceseaza tabela vectorilor de intrerupere, executa rutina de tratare a locația
Determina sursa de intrerupere, acceseaza tabela vectorilor de intrerupere, executa rutina de tratare a intreruperii, salveaza pe stiva locatia urmatoarei instructiuni, incarca de pe stiva locatia urmatoarei instructiuni
Determina sursa de intrerupere, executa rutina de tratare a intreruperii, acceseaza tabela vectorilor de intrerupere, salveaza pe stiva locatia urmatoarei instructiuni, incarca de pe stiva locatia urmatoarei instructiuni
Selectați ordinea corecta a activării intrărilor pentru scrierea în memoriile RAM (alegeți 1 răspuns):
Adresa, semnal read/write, selectie, date
Adresa, selectie, semnal read/write, date
Selectie, adresa, semnal read/write, date
Date, adresa, selectie, semnal read/write
La un tranzistor MOS la care nu aplicăm potential in grilă: (alegeți 1 răspuns)
Dacă intre drenă şi sursă se aplică o tensiune pozitivă, una din joncţiuni este polarizată invers> nu există curent intre drenă şi sursă -> tranzistorul este blocat
Dacă intre drenă şi sursă se aplică o tensiune pozitiva, una din joncţiuni este polarizata invers> nu există curent intre drenă şi sursă -> tranzistorul functionează în regim normal
Dacă între drenă şi sursă se aplică o tensiune pozitiva, una din joncţiuni este polarizata invers> nu există curent intre drenă şi sursă tranzistorul functionează în regim invers
Bifati varianta GREȘITĂ referitoare la semnalele electrice: (alegeți 1 răspuns)
Semnalele electrice unidimensionale pot fi doar continue
Cu cât creste perioada unui semnal sinusoidal, cu atât scade pulsatia
Inversul frecventei reprezintă perioada
Amplitudinea semnalului este o caracteristica atât pentru semnalele digitale cât şi pentru cele analogice
Despre nivelurile logice ale portii fundamentale ŞI-NU construită în tehnologie TTL, se pot afirma urmatoarele: (alegeți 2 răspunsuri)
Tensiunea maxim acceptata la iesire pentru a genera "0" logic este de doua ori mai mare decât tensiunea maxim acceptata la intrare pentru a fi comandata cu o logic
Tensiunea minim acceptata la iesire pentru a genera "1" logic este mai mare decât tensiunea minim acceptată la intrare pentru a fi comandată ai 1 logic
Pentru a genera "1" logic, tensiunea minim acceptată la iesire este 2V;
Pentru a fi comandată cu "1" logic, tensiunea minim acceptata la intrare este 2,4V;
Tensiunea la care tensiunile de intrare și iesire surit egale se numeste tensiune prag.
Bifat varianta/variantele corecte referitoare la impuls: (alegeti 2 răspunsuri)
Pentru a defini corect perioada impulsului, aceasta trebuie să fie mai mică decât durata regimului tranzitoriu din circuit
Prin compunerea a 2 semnale de tip treaptă se poate obtine un impuls
Pentru a defini corect perioada impulsului, aceasta trebuie să fie mai mare decât durata regimului tranzitoriu din circuit
Timpul de ridicare a impulsului este acelasi cu timpul de coborare
Care dintre următoarele relații sunt adevărate în cazul unui tranzistor bipolar aflat în regiunea de saturație? (alegeţi 2 răspunsuri)
vbe 0,75V
le = Ic+ lb
lc = le + lb
Ic> beta Ib
Vbe = 0,2V
Care este rolul caracteristicii de histerezis? (alegeți 1 raspuns)
a. mentine nivelul 1 logic la output indiferent de input
defineste niveluri diferite la intrare pentru trecerea intre stările de 0 si 1 logic pentru a nu reactiona la variații mici de tensiune
menţine nivelul 0 logic la output indiferent de input-
se asigură că trecerea între stările 0 si 1 logic are loc la aceeasi tensiune de prag
Despre marginile de zgomot ale porții fundamentale SI-NU construita in tehnologie TTL, se pot afirma urmatoarele: (alegeți 4 RĂSPUNSURI)
Marginile reale de zgomot explica preferinţa ca starea de inalta impedanta a unui circuit logic să fie comandată cu starea logică '1"
Valoarea garantata a marginii de zgomot pentru "0" logic este de 0,4V;
Valoarea reală a marginii de zgomot pentru "0" logic depăşeşte valoarea garantata pentru aceeaşi stare logică;
Valoarea garantată a marginii de zgomot pentru "0" logic este egala cu valoarea garantată a marginii de zgomot pentru "1" logic,
Marginile garantate de zgomot explica preferinţa ca starea de inalta impedanta a unui circuit logic să fie comandată cu starea logica '1'..
Despre timpii de propagare în circuitele logice integrate, se pot afirma următoarele: (alegeți 2 răspunsuri)
Timpii de întârziere se calculează exclusiv pe baza semnalului de ieşire.
Timpii de creștere și de cădere (Rise Time şi Fall Time) se definesc pentru fronturile de tensiune ale semnalului;
Timpul de propagare mediu nu include timpii de întârziere;
Se definesc tinand cont de amplitudinea semnalului de intrare, precum și a celui de ieşire;
Într-o sursă de tensiune continuă, transformatorul... (alegeţi 2 răspunsuri)
modifica în secundar forma de undă din primar
poate scădea sau creşte în secundar valoarea tensiunii din primar
separa aparatul de reteaua de curent alternativ
generează o tensiune cât mai apropiată de tensiunea continua
atenuează variaţiile de tensiune furnizate de redresor
Despre factorul de încărcare al portii fundamentale SI-NU construită în tehnologie TTL, se pot afirma urmatoarele: (alegeţi 2 răspunsuri)
factorul de incarcare la iesire pentru nivelul "0" logic este de doua ori mai mic decât factorul de încărcare la iesire pentru nivelul "1" logic,
Factorul de încarcare la iesire se calculeaza pe baza curentilor de ieşire ai porții care comanda si a curentilor de intrare ai portilor comandate
Pe baza factorului de încarcare o poarta SI-NU implementată printr-un circuit TTL poate comanda intre 10 si 20 de porti SI-NU de acelaș
Valoarea factorului de încărcare la iesire reprezintă numărul minim de porti care pot fi comandate de poarta SI-NU;
Pe baza factorului de încarcare o poarta SI-NU implementată printr-un circuit TTL poate comanda intre 10 si 20 de porti SI-NU de același fel
Pentru stocarea datelor/programului unui microcontroller se poate utiliza, din punct de vedere al componentelor hardware, fie o singura memorie ce contine si date si program, fie doua memorii separate, una pentru date, alta pentru program. Care sunt efectele utilizarii unei singure memorii in loc de doua? (Selectati 2 raspunsuri)
Reducerea dimensiunii circuitului final
Cresterea consumului de putere al circuitului
Cost mai redus al componentelor
Necesitatea utilizarii a doua magistrale separate pentru accesul la memorie
Care din afirmațiile legate de consumul de putere in circuitele logice integrate sunt false? (alegeți 2 răspunsuri)
Puterea consumată în regim de comutaţie este direct proporțională cu frecventa de comutare a circuitului logic;
Curentul de ieşire in scurtcircuit reprezintă un parametru caracteristic al consumului de aputere.
Puterea consumată în regim de comutaţie este direct proporţională cu pătratul tensiunii de alimentare;
Puterea totală consumată reprezintă diferența dintre puterea consumată în curent continuu si puterea consumată în regim de comutaţie;
Puterea consumată în curent continuu are o valoare mai mare decât puterea consumată în regim de comutaţie;
Care sunt avantaje ale folosirii tranzistoarelor MOS? (alegeți 2 răspunsuri)
Actiune rapidă a regiunii de saturație
Densitate de integrare mai mare
Folosirea ca rezistenta intre sursa şi drená, rezistenţa activă, facilitează creşterea factorului de integrare
Mal uşor de programan in VHDL
Selectati care dintre urmatoarele circuite sunt CNA (convertoare numeric analogice): (Alegeti 2 raspunsuri)
Cu aproximatii succesive
Cu rezistente ponderate
Cu retea de rezistente R-2R
. Cu simpla rampa
Considerand valorile iesirilor din imaginea de mai jos, este adevarat ca:
Nivelul tensiunii la ieșirea comună a porților este dat de funcția SI intre ieşirile fiecărei porti.
Circuitul funcționeaza fără pierderi.
Puterea disipată pe rezistenta R24 şi tranzistorii Q23 şi Q14 este prea mare.
Consumul celor două circuite TTL este redus.
Pentru circuitul de mai jos, calculati căderile de tensiune şi curenții prin rezistori:
URI 4.5V. I1 0.75mA
UR2 7.5V, I2 0.75mA
UR3 3V, I3 0.75mA
R1-5V, I1 1.25mA
UR2 8V, I2 1.25A
UR3 2V, I3 1.25mA
UR1 5V, I1 0.5mA
UR2-5V, I2 120.75mA
UR3 5V, I3 15mA
UR1 3V, I1 1mA
UR29V, I2 1mA
URS 3V, I3 ImA
Se considera circuitul basculant din imagine. Selectati afirmatia corecta
Circuitul functioneaza ca un bistabil cand rezistenta r are valoarea 0
Rezistenta r nu este dimensionata pentru a avea doar tensiune negativa in baza tranzistorilor T1 si T2
Rezistenta r nu poate avea valoarea 0 pentru ca circuitul sa poata functiona ca un bistabil
Cresterea tensiunii in Uc2 va fi transmisa in baza tranzistorului T1 daca rezistenta r are valoarea 0
Bitati varianta/variantele corecte, considerand circuitul de mai jos:
Tensiunile pe cei 3 condensatori vor fi întotdeauna egale
Capacitatea electrica pe întreg circuitul e data de suma capacităților condensatorilor
Tensiunea măsurată pe un condensator poate sa fie cel mult egală cu tensiunea sursei
Pentru o buna funcționare a circuitului, nu este necesar un alt element de circuit pe lângă cei trei condensatori.
Pentru circuitul de mai jos, calculati caderile de tensiune si curentii prin rezistori
UR1 5V, I1 1mA
UR2 15v, I1 2.5mA
UR3 5V, I3 1mA
UR1 10V, I1 1.5mA
UR2 10v, I1 1.2mA
UR3 10V, I3 2.5mA
UR1 6V, I1 1.25mA
UR2 10v, I1 0.75mA
UR3 4.5V, I3 3.2mA
UR1 10V, I1 1.66mA
UR2 10v, I1 1mA
UR3 10V, I3 2mA
Stabilizator cu reacţie cu amplificator de eroare:(alegeți 2 răspunsuri)
Circuitul stabilizează tensiunea chiar dacă RL îşi modifica valoarea
Circuitul stabilizează tensiunea doar dacă RL nu îşi modifica valoarea
Stabilizarea este obtinuta prin reacţie pozitiva
Stabilizarea este obținută prin reactie negativa
Considerând circuitul Trigger-Schmitt din imagine, selectați afirmațiile corecte: (alegeți 1 răspuns)
Up are tot timpul o valoare mai mare decât Ue
După tranziția porții P1 din 0-1 logic, diferenta dintre Ue şi Up va creşte pe masura ce creste Ui
După tranziția portii P1 din 0-> 1 logic, Ue va avea o valoare egala cu Up
După tranziția porții PJ din 0 -> 1 logic, diferenta dintre Ue și Up va scadea pe masură ce creste Ui
Bifati varianta/variantele corecte, considerând circuitul de mai jos: (alegeti 2 raspunsuri)
Pentru a calcula rezistenta pe intreg circuitul trebuie sa adunam valorile futuror rezistorilor
Oriunde am masura, curentul in circuit este acelasi
fiecare nod de circuit, curentul se imparte in functie de valoarea rezistorilor
Diferenta de potential pe fiecare dintre rezistori e aceeasi
Circuitul din figură folosește o poarta CMOS pentru a comanda un LED. Alegeți valoarea aproximativă a rezistenței RE ştiind că Vcc, care alimentează şi circuitul integrat, este de 5V. Pentru LED se consideră următoarele valori: VLED=1,35V şi ILED=20mA. (alegeți 1 răspuns)
120
50
1,6k
170
1k
Care dintre urmatoarele relatii sunt adevarate in cazul unui tranzistor bipolar aflat in regiunea activa normala?
Ic=Ie+Ib
Ic= beta*Ib
Vbe=0,2V
Ib= beta*Ie
Ie=Ic+Ib
In imaginea de mai jos, ce valori logice trebuie aplicate pe intrările A şi B pentru a obține la iesire "O" logic? (alegeți 1 răspuns)
A=0Bx0
A=1,B=1
A=1,B=0
A=0,B=1
Se consideră circuitul basculant astabil din imagine. Selectati afirmațiile corecte (alegeti 2 răspunsuri)
Descarcarea condensatorului C2 prin tranzistorul Q2 determina cresterea potentialului în baza tranzistorului Q1
Circuitul se poate afla în două stări, una stabilia una stabila
Circuitul se poate afla doar in stari instabile
Descarcarea condensatorului C2 prin tranzistorul 02 determină scăderea potentialului în baza tranzistorului Q1
In imaginea de mai jos ce valon trebuie aplicate intrărilor A și I pentru ca tranzistorul Qt sa se afte in regiunea activa inversa.
A=5V, I=0V
A-5V, I=5V
A-0v, I=0V
A=0V, I=5V
Bifati varianta/variantele corecte, considerand circuitul de mai jos(alegeti 2 raspunsuri)
.Pentru a calcula rezistenta pe întreg circuitul, trebuie să adunăm valorile tuturor rezistorilo
Diferenta de potential pe fiecare dintre rezistori e aceeaşi
Oriunde am masura, curentul in circuit este acelasi
La fiecare nod de circuit, curentul se imparte în funcție de valoarea rezistorilor
Bifati varianta/variantele corecte referitoare la filtrele trece sus și trece jos: (alegeți 1 răspuns)
Check the correct option (s) for the high-pass and low-pass filters: (choose 1 answer)
Filtrul trece sus atenuează frecvențele joase și alterează mai puțin frecvențele înalte; The high-pass
filter attenuates the low frequencies and less alters the high frequencies.
Reactanța capacitivă a condensatorului scade odată cu creșterea perioadei; The capacitive reactance of the
capacitor decreases as the period increases.
La ambele filtre, distorsiunile introduse de circuit asupra semnalului de intrare pot fi reduse dacă constanta de
timp RC este mai mare decât durata impulsului; In both filters, the distortions introduced by the circuit on the
input signal can be reduced if the time constant RC is greater than the pulse duration.
Raportul de divizare depinde de frecvența doar în cazul filtrului trece sus; The dividing ratio depends on the
frequency only for the high-pass filter
Caracteristicile amplificatoarelor operaționale sunt: (alegeți 2 răspunsuri)
The characteristics of operational amplifiers are: (choose 2 answers)
Tensiunea între intrări foarte mare (ideal ∞); Very high difference between the values of input voltages (ideal ∞)
b. Curenţi de intrare foarte mici (ideal 0); Very small input currents (ideal 0)
Impedanţa de intrare foarte mare (ideal ∞); Very high input impedance (ideal ∞)
Amplificarea sau câştigul în tensiune (AV) foarte mic (ideal 0); Very small amplification or voltage gain (AV)
(ideal 0)
Ce componene inglobeaza un microcontroller? (Selectati două raspunsuri)
What components does a microcontroller include? (Select two answers)
Numaratoare; Counters
Tastatură; Keyboard
Sursa de alimentare; Power supply
Memorie; Memory
Ecran; Display
