wayground logo

Free Printable Worksheets

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

สอบอุปกรณ์

Total questions: 20

Worksheet time: 10mins

Name
Class
Date
1.

ส่วนที่เล็กสุดของสสารที่ยังคงแสดงคุณสมบัติของสสารเดิมอยู่คืออะไร

a)

ธาตุ

b)

อะตอม

c)

โมเลกุล

d)

นิวเคลียส

2.

โครงสร้างอะตอมประกอบด้วยอะไรบ้าง

a)

โมเลกุล, นิวเคลียส

b)

โปรตรอน ,อิเล็กตรอน

c)

นิวเคลียส,อิเล็กตรอน

d)

โปรตรอน,
นิวเคลียส,อิเล็กตรอน

3.

ส่วนที่วิ่งเคลื่อนที่ได้ภายในโครงสร้างอะตอม
และวิ่งเคลื่อนที่ไปยังอะตอมอื่นได้คืออะไร

a)

อิเล็กทตรอน

b)

นิวเคลียส

c)

นิวตรอน

d)

โปรตอน

4.

ตามทฤษฎีอะตอมส่วนสำคัญที่เป็นตัวบอกถึงคุณสมบัติทางไฟฟ้าของธาตุต่างๆ คืออะไร

a)

โปรตรอน

b)

นิวตรอน

c)

นิวเคลียส

d)

อิเล็กตรอนวงนอกสุด

5.

คุณสมบัติของฉนวนไฟฟ้าคืออะไร

a)

ยอมให้ไฟฟ้าผ่านได้ง่าย

b)

มีค่าความต้านทานทางไฟฟ้าสูงมาก

c)

นิยมใช้เป็นธาตุนำไปผลิตสารกึ่งตัวนำ

d)

ไม่ทำปฏิกิริยาต่อสิ่งใดๆ ที่มากระทำ เป็นกลางทางไฟฟ้า

6.

ธาตุสารกึ่งตัวนำที่บริสุทธิ์ อะตอมของธาตุจะจับตัวกันแบบใด

a)

แลกเปลี่ยนอิเล็กตรอนวงนอกสุดซึ่งกันและกัน

b)

เฉลี่ยอะตอมให้เท่ากันซึ่งกันและกัน

c)

เกาะกลุ่มแบบหนาแน่น

d)

หลอมตัวเป็นก้อน

7.

ธาตุกึ่งตัวนำที่นิยมนำมาใช้ผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำคือข้อใด

a)

โบรอน

b)

ซิลิกอน

c)

อาเซนิก

d)

แกลเลียม

8.

การผลิตสารกึ่งตัวนำชนิด N ต้องเติมสารเจือปนชนิดใดลงไปในธาตุสารกึ่งตัวนำ

a)

โบรอน

b)

อินเดียม

c)

อาเซนิก

d)

อลูมิเนียม

9.

การผลิตสารกึ่งตัวนำชนิด P ต้องเติมสารเจือปนชนิดใดลงไปในธาตุสารกึ่งตัวนำ

a)

โบรอน

b)

ฟอสฟอรัส

c)

อาเซนิก

d)

แอนทิโมนี

10.

สารกึ่งตัวนำชนิด N อะตอมธาตุเจือปนชนิดนี้ถูกเรียกว่าอะไร

a)

อะตอมผู้รับ

b)

อะตอมผู้ให้

c)

อะตอมส่วนเกิน

d)

อะตอมเป็นกลาง

11.

โครงสร้างไดโอดข้อใดถูกต้อง

a)

ประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำชนิด P และ ชนิด N
ต่อชนกัน

b)

มีขาต่อออกมาใช้งาน 2 ขา คือ ขา A และ ขา K

c)

ระหว่างรอยต่อ PN เกิดพลีชันริจินขึ้นมา

d)

ถูกทุกข้อ

12.

การจ่ายแรงดันไบแอสตรงให้ตัวไดโอดคือจ่ายไปแอสอย่างไร

a)

จ่ายบวกให้สารชนิด N จ่ายลบให้สารชนิด P

b)

จ่ายเพื่อทำให้รอยต่อ PN
เกิดดีพลีชันจิน

c)

จ่ายบวกให้ขา A
จ่ายลบให้ขา K

d)

ถูกทุกข้อ

13.

การจ่ายแรงดันไบแอสกลับให้ตัวไดโอดคืจะเกิดผลเช่นไร

a)

ความต้านทานระหว่างรอยต่อเพิ่มสูงขึ้น

b)

อิเล็กตรอนอิสระวิ่งเคลื่อนที่ผ่านรอยต่อ PN
ได้จำนวนมาก

c)

รอยต่อ PN เกิดดีพลีชันริจินลดลงเกิดกระแสไฟฟ้าไหลในวงจร

d)

โฮลในสารชนิด P เพิ่มจำนวนมากขึ้น ดึงดูดอิเล็กตรอนอิสระวิ่งเคลื่อนที่ได้มากขึ้น

14.

ข้อใดคือสัญญาลักษณ์ของไดโอด

a)

b)

c)

d)

15.

ค่าดีพลีชันริจินระหว่างรอยต่อ PN ของไดโอดชนิดซิลิคอนมีค่าเท่าไร

a)

0.2 V

b)

0.4 V

c)

0.5 V

d)

0.8 V

16.

สัญลักษณ์ของทรานซิสเตอร์ตามรูปข้อใด

a)

PNN

b)

NPN

c)

PNP

d)

NNP

17.

ค่าดีพลีชันริจินระหว่างรอยต่อของทรานซิสเตอร์คืออะไร

a)

ตัวเก็บประจุ

b)

สารกึ่งตัวนำ

c)

ตัวต้านทาน

d)

โฮลและอิเล็กตรอน

18.

กระแสไฟฟ้าที่ไหลในตัวทานซิสเตอร์ กระแสไฟฟ้าใดเป็นตัวควบคุมการทำงาน

a)

IB

b)

IC

c)

IE

d)

IE+IC

19.

วงจรไบแอสแบบใดที่ไม่สามารถควบคุมอุณหภูมิในการทำงานให้คงที่

a)

ไบแอสคงที่

b)

ไบแอสผสม

c)

ไบแอสตัวเอง

d)

ไบแอสกระแสป้อนกลับ

20.

วงจรไบแอสแบบใดที่ให้ความคงที่อุณหภูมิดีที่สุด

a)

ไบแอสคงที่

b)

ไบแอสผสม

c)

ไบแอสตัวเอง

d)

ไบแอสกระแสป้อนกลับ