NEW
Font size
WorksheetsОЭиТ 240-300
Total questions: 60
Worksheet time: 30mins
Что такое запрещённая зона?
Совокупность энергетических уровней, которыми не могут обладать электроны данного вещества
Зона, в которой могут находиться только дырки
Зона, в которой не могут находиться носители тока
Зона, в которой могут находиться основные носители тока
Что такое валентная зона?
Зона, в которой не могут находиться носители тока.
Совокупность энергетических уровней валентных электронов.
Зона, в которой могут находиться основные носители тока.
Зона, в которой могут находиться только дырки.
Что такое зона проводимости?
Зона, в которой могут находиться только дырки.
Зона, в которой могут находиться основные носители тока.
Совокупность энергетических уровней свободных электронов.
Зона, в которой не могут находиться носители тока
Влияет ли концентрация носителей тока в n и p областях на ширину запорного слоя и величину потенциального барьера?
При большой концентрации запорного слоя и потенциальный барьер увеличивается.
При увеличении концентрации запорный слой увеличивается, а потенциальный барьер не меняется.
При увеличении концентрации ширина запорного слоя уменьшается, а величина потенциального барьера увеличивается.
Влияет.
Одинаковый ли ток в германии и кремнии при подаче на p-n переход одинаковых напряжений
В германии больше, в кремнии меньше.
Одинаковый при любом включении.
В кремнии больше, в германии меньше.
Напряжение не влияет на ток.
Одинакова ли отрицательная температура для германиевых и кремниевых диодов?
Для германиевых больше, для кремниевых меньше.
Одинакова.
Для германиевых меньше, для кремниевых больше.
При любых отрицательных температурах диоды могут работать.
Как образуется потенциальный барьер?
Путём инжекции электронов из n-области в p-область.
Путём инжекции дырок из p-области в n-область.
За счёт инжекции электронов из p-области в n-область, а дырок из n-области в p-область.
За счёт образования ( - ) ионов в p-области, а ( + ) в n-области
Как изменяется сопротивление запорного слоя при прямом и обратном включении p-n перехода.
Увеличивается
Не изменится
В прямом – уменьшается, в обратном –уменьшается.
В прямом – уменьшается, в обратном – увеличивается.
Какие п/п диоды кремниевые или германиевые могут работать при более высокой температуре?
Кремниевые.
При определённых условиях германиевые.
Германиевые.
Оба не могут работать.
Какие электроны в атоме находятся на более высоких энергетических уровнях?
Электроны внутренней оболочки.
Наиболее удаленные от ядра.
Наиболее быстрые электроны.
Обладающие меньшей энергией
Какие носители являются основными в п/п n и p – типа.
n – с большими энергиями, в p – с малыми Энергиями.
P – дырки и электроны, n – электроны.
p – дырки, n – электроны.
n – электроны и дырки, p – дырки
Что такое p-n переход?
Слой с не основными носителями.
Слой, заполненный электронами и дырками.
Скачёк потенциала на границе p и n – областей.
Слой на границе раздела p и n – областей.
Какие п/п диоды - точечные или плоскостные способны пропускать больше тока.
Плоскостные.
Ни точечные, ни плоскостные.
Только точечные, так как они мощнее.
Плоскостные при использовании их в выпрямителях и детекторах.
Как изменяются барьерная и диффузионная ёмкости при изменении напряжения, приложенного к p-n переходу в прямом направлении?
Не изменяется.
Барьерная уменьшается при увеличении прямого напряжения, диффузионная увеличивается.
При уменьшении напряжения барьерная – увеличивается, диффузионная – уменьшается.
При увеличении напряжения обе ёмкости уменьшаются.
Какими носителями тока обусловлена собственная проводимость полупроводника?
Электронами и дырками.
Дырками.
Электронами.
Электронами и ионами.
Что такое инжекция?
Хаотическое движение зарядов.
Введение носителей тока через p-n переход.
Движение носителей тока под действием электрического поля.
Введение носителей заряда в область, где они являются неосновными носителями.
Какие диоды кремниевые или германиевые обладают большим напряжением пробоя?
Кремниевые.
Германиевые.
У обоих диодов одинаковое и большое.
Для обоих диодов напряжение пробоя не имеет смысла.
Изменяется ли проводимость полупроводников n и p типа при изменении температуры?
Не изменяется.
Увеличивается при увеличении температуры.
Уменьшается при увеличении температуры.
При увеличении температуры, в n-типа увеличивается, в р-типа уменьшается.
Как влияет электрическое поле запорного слоя на движение основных и не основных носителей тока?
Для основных – ускоряющее, для не основных – тормозящее.
Является ускоряющим.
Для основных – тормозящее, для не основных – ускоряющее.
Является тормозящим.
При одинаковом ли напряжении, приложенном к p-n переходу в прямом направлении, будет скомпенсирован потенциальный барьер в германии и кремнии?
В германии при большем, в кремнии при меньшем.
При одинаковом.
В германии может быть скомпенсирован, в кремнии нет.
В германии при меньшем, в кремнии при большем.
В каких диодах германиевых или кремниевых ток сильнее изменяется при изменении температуры.
В германиевых
В кремниевых.
В германиевых изменяется, в кремниевых – не изменяется.
В кремниевых изменяется, в германиевых – не изменяется.
В каких зонах происходит перемещение свободных электронов и дырок.?
В зоне проводимости
Электроны в зоне проводимости, дырки в валентной зоне
Дырки в зоне проводимости, электроны в валентной зоне
Дырки в валентной зоне, электроны в запрещённой
Как влияет обратное напряжение на движение основных и не основных носителей тока через p-n переход?
Тормозит движение носителей
Ускоряет движение носителей
Основные тормозит, не основные ускоряет
Основные ускоряет, не основные тормозит
Какие диоды, точечные или плоскостные способны работать на более высоких частотах?
Плоскостные
На высоких частотах могут работать и точечные, и плоскостные диоды
На высоких частотах могут работать только германиевые диоды
Точечные
Какие диоды, точечные или плоскостные способны работать на более низких частотах?
Плоскостные.
На высоких частотах могут работать только германиевые диоды.
Точечные.
На высоких частотах могут работать и точечные, и плоскостные диоды.
Влияет ли изменение температуры на величину допустимого обратного напряжения?
Величина допустимого обратного напряжения возрастает при увеличении температуры.
Влияет увеличение температуры.
Допустимое обратное напряжение уменьшается при уменьшении температуры.
Уменьшение температуры не влияет на величину допустимого обратного напряжения.
Какие условия должны быть выполнены, чтобы электрон мог перейти с более низкого энергетического уровня на более высокий?
Чтобы энергетический уровень был свободен
Электрон должен обладать достаточной энергией и скоростью
Необходимо сообщить электрону дополнительную энергию
Необходимо сообщить электрону дополнительную энергию, и чтобы энергетический уровень был свободен
Какие носители являются не основными в полупроводниках n и р типа?
В n – электроны, р – дырки
В n – (+) ионы, в р- (-) ионы
В n – с большими энергиями, в р – с малыми энергиями
В р – электроны, n – дырки
Что является характерным для запорного слоя?
Большое сопротивление
Большая разность потенциалов
Скопление дырок и электронов
Занятие носителями высоких энергетических уровней
Какими носителями обусловлен ток через р-n переход при прямом и обратном включении?
При прямом – дырками, при обратном – электронами.
При прямом – основными, обратном – не основными.
При прямом – электронами, при обратном – дырками.
При прямом – не основными, при обратном – основными.
Как изменяется собственная проводимость полупроводников при изменении температуры?
При понижении температуры увеличивается.
При повышении температуры уменьшается.
При повышении температуры увеличивается.
Уменьшается при повышении и понижении температуры
Что характерно для полупроводниковых материалов?
при повышении температуры не проводят электрический ток, т.е. являются диэлектриками
при температуре абсолютного нуля их электропроводность велика, т.е. они являются проводниками
на внешней электронной оболочке вращаются пять валентных электронов
на внешней электронной оболочке вращаются четыре валентных электрона
Как влияет прямое напряжение на движение основных и не основных носителей тока через p-n переход?
Основные ускоряет, неосновные тормозит.
Ускоряет движение носителей через p-n переход.
Неосновные ускоряет, основные тормозит.
Тормозит движение носителей через p-n переход.
Как изменяется барьерная и диффузионная ёмкости при включении p-n перехода в обратном направлении?
Уменьшается – барьерная, не имеет смысла – диффузионная.
Диффузионная – уменьшается, барьерная – увеличивается.
Не изменяется.
Диффузионная – увеличивается, барьерная – уменьшается.
Как изменяется барьерная и диффузионная ёмкости при включении р - n перехода при прямом направлении?
Диффузионная – уменьшается, барьерная – увеличивается.
Не изменяется.
Диффузионная – увеличивается, барьерная – уменьшается.
Уменьшается – барьерная, не имеет смысла – диффузионная.
Будет ли одинаковым обратный ток германиевого и кремниевого диодов при одинаковом обратном напряжении?
У кремниевого больше.
У обоих одинаковый.
Токи от величины напряжения не зависят.
У германиевого больше.
Что такое рекомбинация?
Процесс исчезновения пары электрон проводимости дырка проводимости
Движение носителей через p-n переход
Переход носителей в область, где они являются неосновными
Столкновение основных и неосновных носителей
Что такое генерация?
Движение носителей через p-n переход.
Процесс образования пары электрон проводимости дырка проводимости.
Столкновение основных и неосновных носителей.
Переход носителей в область, где они являются неосновными.
Какие заряды находятся на запорном слое?
(-) ионы и (+) ионы.
(-) ионы и дырки.
Электроны и дырки.
(-) ионы и электроны.
Как изменяется ширина запорного слоя при прямом и обратном его включении?
Увеличивается
Уменьшается
При прямом включении уменьшается, при обратном уменьшается
При прямом включении уменьшается, при обратном увеличивается
Как изменится высота потенциального барьера?
При прямом включении уменьшается. , при обратном увеличивается
При прямом включении уменьшается, при обратном уменьшается
Увеличивается
Уменьшается
При одинаковой температуре наступает электрический пробой в кремниевых и германиевых диодах?
При одинаковой, когда приложено одинаковое напряжение.
В кремниевых при большой, в германиевых при меньшей.
В германиевых при большой, в кремниевых при меньшей.
При любой температуре пробоя не наступит.
Примеси какой валентности обеспечивают получение п/п p и n типа?
n – 3 валентные, p – 5 валентные.
n – 5 валентные, p – 5 валентные.
n – 5 валентные, p – 3 валентные.
n – 4 валентные, p – 3 валентные.
Что такое диффузия носителей в проводнике?
Хаотическое тепловое движение.
Движение за счёт электрического поля.
Упорядоченное движение носителей.
Движение за счёт разности концентрации носителей.
Какое включение p-n перехода называемая прямым и обратным?
Прямое – плюс к источнику питания к p-области, минус к n-области; обратное – плюс к n, а минус к p-области.
(+) к n и (-) к p – прямое; (+) к p и (-) к n – обратное.
(-) к n и (-) p – прямое; (+) к p и (+) к n – обратное.
(-) к n и (+) к p – обратное; (+) к n и (-) к p – прямое.
Какие носители заряда являются не основными в полупроводниках n и р типа?
В n- большими энергиями
В р –электроны, n- дырки
В n – (+) ионы, р (-) ионы
В р (+) ионы, n- (-) ионы
Что такое р-n переход?
Слой с не основными носителями
Слой заполненный электронами и дырами
Слой на границе раздела р и n областей, обедненный основными носителями заряда
Слой на границе двух областей
Какое включение р-n перехода называется прямым и обратным?
(+) к n, а (-) к р- прямое, (+) к-р, а (-) к-n обратное
(-) к –n, и (-) к р- прямое, (+) к р, и(+) к n- обратное
Прямое – плюс источника питания к р области, минус к n- области
(-) к n – и (+) к р-области; обратное, (+) к n и (-) к р- прямым
Каким носителями обусловлен ток через р-n переход при прямом и обратном его включении
При прямом – электронами, и обратном - дырками
При прямом – основными носителями, при обратном – не основными носителями
При прямом – дырками, обратном – электронами
При прямом–не основными носителями ,при обратном – основными
Как влияет прямое напряжение на движение носителей заряда?
Ускоряет движение носителей через р-n переход
Основные – ускоряет ,не основные – тормозит
Не сновные – ускоряет, основные тормозит
Тормозит движение носителей через р – n переход
Что такое база?
Область, основными носителями тока является (-) ионы
Область, основными носителями тока являются (+) ионы
Средняя область транзистора, является основной для построения р-n переходов входа и выхода
Область, обедненная основными носителями тока
Что такое эмиттер?
Область, основными носителями, которой являются (+) ионы
Область, основными носителями являются (-) ионы
Область, примыкающая к р-n переходу, включенному в обратном направлении
Крайняя область, примыкающая к р-n переходу, включаемому в прямом направлении, и являющаяся источником носителей тока
Что такое коллектор?
Крайняя область, примыкающая к р-n переходу, включаемая в обратном направлении, и собирающая носители тока, выходящие из эмиттера
Область, примыкающая к р-n переходу, включаемому в прямом направлении
Область, с не основными носителями тока
Область между р-n переходами
В каком направлении включается эмиттерный и коллекторный переход транзистора в усилительном режиме?
Эмиттерный - в прямом ,коллекторный- под напряжением не включается
Эмиттерный – в прямом, коллекторный – в обратном
Оба перехода в прямом
Оба перехода в обратном
В каком направлении включается эмиттерный и коллекторный переход транзистора в режиме насыщения?
Эмиттерный – в прямом, коллекторный – в обратном
Эмиттерный - в прямом ,коллекторный- под напряжением не включается
Оба перехода в прямом
Оба перехода в обратном
Какая примесь называется донорной ?
Имеющая 4 свободных электронов
Имеющая 3 свободных электронов
Имеющая 2 свободных электронов
Имеющая 5 свободных электронов
В каком направлении включается эмиттерный и коллекторный переход транзистора в режиме отсечки?
Эмиттерный – в прямом, Коллекторный – в обратном
Эмиттерный - в прямом ,коллекторный- под напряжением не включается
Оба перехода в прямом
Оба перехода в обратном
Какие полупроводниковые приборы работают в режиме пробоя
Выпрямительные.
Туннельные.
Стабилитроны.
Светодиоды.
Где больше концентрация носителей заряда, в области p-n – перехода или прилегающих к нему областях полупроводника?
Больше в прилегающих к p-n – переходу областях полупроводника
Больше в области p-n – перехода
Примерно одинакова
По краям полупроводника
Как изменится толщина p-n – перехода при обратном включении?
Не изменится.
Увеличится.
Уменьшится.
Уменьшится, но сопротивление возрастёт.
