Wayground logo

Free Printable Worksheets

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

электроника 133-206

Total questions: 73

Worksheet time: 37mins

Name
Class
Date
1.

Чем сопровождается переход в чистом полупроводнике электрона из валентной зоны в зону проводимости?

a)

появлением дырки в валентной зоне

b)

появлением дырки в запрещенной зоне

c)

появление дырки в зоне проводимости

d)

заполненных энергетических зон

e)

пропускает электрический ток

2.

Что называется р-n - переходом?

a)

особая область, возникающая на границе двух полупроводников с различным типом проводимости область полупроводника, которая не пропускает электрический ток

b)

область полупроводника, которая пропускает электрический ток

c)

область полупроводника р - типа, которая пропускает электрический ток в одном направлении

d)

область полупроводника n - типа, которая пропускает электрический ток

e)

дырки в зоне проводимости

3.

Ионизированный атом, захватывая свободный электрон, становится

a)

нейтральным

b)

положительно заряженным

c)

отрицательно заряженным

d)

в зоне проводимости

e)

проводником

4.

Выберите правильное утверждение

a)

валентная зона-верхняя из заполненных энергетических зон

b)

валентная зона-нижняя из заполненных энергетических зон

c)

валентная зона-средняя из заполненных энергетических зон

d)

акцепторно-электронной

e)

электронно-акцепторной

5.

Не полностью занятая валентная зона характерна для

a)

проводников

b)

изоляторов

c)

полупроводников

d)

р-n - переходом

e)

акцептором

6.

Дефекты кристаллической решетки полупроводника и наличие примесей

a)

уменьшают запрещенную зону

b)

увеличивают запрещенную зону

c)

становится акцептором

d)

трещиной

e)

пробой

7.

Для изготовления полупроводниковых кристаллов используют германий и

a)

кремний

b)

фосфор

c)

металл

d)

атомы

e)

чистый песок

8.

Пятивалентная донорная примесь в четырехвалентном кристалле создает какую электропроводность

a)

электронную

b)

зонную

c)

ковалентную

d)

атомную

e)

токовую

9.

Электропроводность полупроводника р - типа называется

a)

дырочной

b)

ковалентной

c)

атомной

d)

электрической

e)

прямое включение

10.

Электропроводность чистого кристалла, вызванная генерацией пар свободных, то ест способных перемещаться под действием приложенного напряжения, зарядов называется

a)

собственной

b)

динамической

c)

автоматической

d)

высокочастотной

e)

ампером

11.

В собственном полупроводнике количество свободных электронов равно количеству

a)

дырок

b)

5*4

c)

атомов

d)

1012

e)

1019

12.

Элемент электротехники, создающий в цепи емкостное сопротивление, называется

a)

конденсатор

b)

резистор

c)

выпрямительный диод

d)

варикапы

e)

контактные переключатели

13.

Область полупроводника, расположенная вблизи металлургической границы между p и n слоями, называется:

a)

p-n - переход

b)

валентный слой

c)

зона контакта

d)

фазовый переход

e)

запирающий слой

14.

Как называется полупроводниковый прибор с двумя переходами и тремя и более выводами?

a)

триодом

b)

диодом

c)

биполярный транзистором

d)

варикапы

e)

p-n - переходы

15.

Как называется атом, если электрон переходит на очень удаленную орбиту и отрывается от атома?

a)

ионизированным

b)

варикап

c)

p-n - переходом

d)

атомом

e)

диодом

16.

Чем является один p-n - переход и 2 омических контакта?

a)

полупроводниковым диодом

b)

с высоким сопротивлением

c)

резистором

d)

только p-n - переходом

e)

катодом

17.

Какие материалы называются полупроводниками?

a)

те, которые по своим свойствам занимают промежуточное положение между проводниками и диэлектриками

b)

те, которые проводят ток в одном направлении

c)

те, которые имеют высокое удельное сопротивление

d)

те, которые имеют малое удельное сопротивление

e)

металлы с незаполненной d - орбитою

18.

Энергетическое состояние атома - это

a)

полная энергия электронов

b)

энергия ядра

c)

суммарная энергия ядра и электронов

d)

электроны

e)

масса

19.

Выберите правильное утверждение

a)

зона проводимости - разрешенная энергетическая зона, расположенная непосредственно над валентной зоной

b)

зона проводимости - разрешенная энергетическая зона, расположенная под валентной зоной

c)

зона проводимости - запрещенная энергетическая зона, расположенная непосредственно над валентной зоной

d)

неизменится

20.

С увеличением температуры

a)

сопротивление проводника увеличивается, а полупроводников уменьшается

b)

сопротивление проводника уменьшается, а полупроводников увеличивается

c)

сопротивление проводника равно нулью

d)

сопротивление полупроводника равно нулью

e)

неизменится

21.

В чистом полупроводнике переход электрона из валентной зоны в зону проводимости сопровождается

a)

появлением дырки в валентной зоне

b)

появлением дырки в запрещенной зоне

c)

появление дырки в зоне проводимости

d)

с увеличением отрицательного заряда

e)

с донорной примесю

22.

Электропроводность полупроводника, вызванная различными примесями, называется

a)

примесной

b)

донорной

c)

акцепторной

d)

электронными

e)

германиевой

23.

Примесь, создающая в четырехвалентном кристалле электронную электропроводность, называется

a)

донорной

b)

примесной

c)

акцепторной

d)

электронными

e)

германиевой

24.

Трехвалентная примесь в полупроводнике называется

a)

акцепторной

b)

примесной

c)

донорной

d)

электронными

e)

германиевой

25.

Процесс спонтанного перехода части электронов из зоны проводимости в валентную зону называется

a)

рекомбинацией пар

b)

валентной зоной

c)

зоны проводимости

d)

собственным полупроводником

e)

однородный полупроводник

26.

Элемент электротехники, создающий в цепи активное сопротивление, называется

a)

резистор

b)

сопротивление

c)

металл

d)

R

e)

полупроводник

27.

При подключении к полупроводнику прямого напряжения зона p-n - перехода

a)

сужается

b)

расширяется;

c)

не изменяется

d)

расширяется со стороны p - слоя

e)

сужается со стороны n - слоя

28.

Чему равна энергетическая ширина запрещенной зоны германия?

a)

0,67 эВ

b)

0,47 эВ

c)

0,74 эВ

d)

1,1 эВ

e)

1,54 эВ

29.

Напряжение какого знака возникает на фотодиоде в вентильном режиме его работы при световом потоке?

a)

плюс на p - области и минус на n - области

b)

плюс на n - области и минус на p - области

c)

полярность напряжения определяется длинной волны светового потока

d)

полярность напряжения определяется интенсивностью светового потока

e)

полярность напряжения зависит от полярности приложенного внешнего напряжения

30.

Располагается уровень Ферми у невырожденных примесных полупроводников n-типа;

a)

в запрещенной вблизи зоны проводимости

b)

посредине запрещенной зоны

c)

в валентной зоне

d)

в зоне проводимости

e)

в запрещенной вблизи валентной зоны

31.

Укажите величину барьерной емкости p-n - перехода конденсатора

a)

1000 пФ

b)

0,1 мкФ

c)

10 пФ

d)

1000 нФ

e)

0,033 мкФ

32.

Чему равна энергетическая ширина запрещенной зоны кремния?

a)

1,1 эВ

b)

0,47 эВ

c)

0,74 эВ

d)

0,67 эВ

e)

1,54 эВ

33.

Что такое модуляция толщины базы коллекторным напряжением?

a)

изменение толщины базы при изменении коллекторного напряжения вследствие изменения ширины коллекторного перехода

b)

влияние коллекторного напряжения на толщину базы в области вывода базы

c)

изменение толщины базы из-за влияния коллекторрного напряжения на концентрацию подвижных носителей в базе

d)

пробой

e)

изменение толщины базы из-за влияния коллекторного напряжения на ширину эмиттерного перехода

34.

Чтобы получить полупроводник n - типа атомы какого элемента нужно внедрить внутрь полупроводника?

a)

фосфора

b)

золота

c)

серебра

d)

железа

e)

индия

35.

Применяются опорные диоды?

a)

для выпрямления переменного тока

b)

для генерирования незатухающих колебаний

c)

для стабилизации напряжения

d)

для усиления слабых сигналов

e)

для преобразования частоты

36.

Где больше концентрация подвижных носителей, в области p-n - перехода или прилегающих к нему областях полупроводника?

a)

в прилегающих к p-n - переходу областях полупроводников

b)

в области p-n - перехода

c)

в прилегающей p - области

d)

в прилегающей n - области

e)

примерно одинаково

37.

Чтобы получить полупроводник p - типа атомы какого элемента нужно внедрить внутрь полупроводника?

a)

индия

b)

золота

c)

серебра

d)

фосфора

e)

железа

38.

Какой величины емкость электролитического конденсатора сглаживающего фильтра?

a)

100÷1000 мкФ

b)

100÷1000 пФ

c)

1÷10 мкФ

d)

100÷1001 нФ

e)

0,01÷0,033 мкФ

39.

Чего зависит проводимость примесных полупроводников?

a)

от концентрации примесей

b)

от полярности приложенного напряжения

c)

от направления протекающего тока

d)

от вида примесей

e)

нет правильного ответа

40.

Примеси какой валентности обеспечивают получение полупроводников р -типа?

a)

с валентностью меньшей, чем у исходного материала

b)

четырехвалентные

c)

пятивалентные

d)

с валентностью в два раза большей, чем у исходного материала

e)

правильного ответа нет

41.

Что такое р-n - переход?

a)

обедненный подвижными носителями заряда область между двумя полупроводниками с разным типом проводимости

b)

область между полупроводниками различных типов, соприкасающиеся между собой

c)

скачок потенциала на границе различных полупроводников

d)

барьер Шоттки

e)

фототок намного меньше прямого тока и трудно фототок выделить на фоне прямого тока

42.

Какое включение р-n - перехода называется обратным?

a)

плюс внешнего источника к n - области, минус - к р - области

b)

способствующее движению подвижных носителей к р-n - переходу

c)

плюс внешнего источника к p - области, минус - к n - области

d)

уменьшающее скачок потенциала на p-n - переходе

e)

правильного ответа нет

43.

Какой двойной слой зарядов образует барьерную емкость p-n – перехода?

a)

отрицательных ионов

b)

положительных ионов

c)

отрицательных ионов и дырок

d)

положительных ионов и электронов

e)

двойной слой молекул

44.

Примеси какой валентности обеспечивают получение полупроводников n - типа?

a)

пятивалентные

b)

трехвалентные

c)

с валентностью в два раза больше, чем у исходного материала

d)

с валентностью в два раза меньше, чем у исходного материала

e)

правильного ответа нет

45.

Какова зависимость тока через р-n - переход от величины приложенного внешнего напряжения?

a)

I=I0(eU/jт-1)

b)

I=aU3/2

c)

I=I0(1-eU/jт)

d)

I=US/2

e)

ток от напряжения не зависит

46.

Как изменяется диффузионная емкость р-n - перехода при обратном включении?

a)

уменьшается

b)

увеличивается

c)

не изменяется

d)

толщина перехода сначала увеличивается, затем за счет увеличения падения напряжения уменьшается

e)

сначала уменьшается затем за счет увеличения тока увеличивается

47.

Укажите значение подвижности для дырок

a)

(n=0,025 м2/В*с

b)

(n=0,25 м2/В*с

c)

(n=0,75 м2/В*с

d)

(n =1,2 м2/В*с

e)

(n=0,12 м2/В*с

48.

Укажите значение подвижности для электронов

a)

(n=0,12 м2/В*с

b)

(n=0,025 м2/В*с

c)

(n=0,25 м2/В*с

d)

(n=0,75 м2/В*с

e)

(n=1,2 м2/В*с

49.

Почему фотодиод невыгодно использовать в прямом включении?

a)

фототок << прямого тока и трудно фототок выделить на фоне прямого тока

b)

мал допустимый прямой ток

c)

мало прямое сопротивление

d)

возникает туннельный эффект

e)

возникает перегрев диода

50.

Какое положительное напряжение стабилизирует стабистор?

a)

0,7 В

b)

10 В

c)

1,5 В

d)

1,2 В

e)

5 В

51.

На каких частотах работает диод Шоттки?

a)

10÷15 ГГц

b)

10÷20 кГц

c)

1÷30 МГц

d)

500÷1000 Гц

e)

100÷300 кГц

52.

На каких длинах волн работает светодиод?

a)

456÷920 нм

b)

400÷600 мкм

c)

50÷100 мм

d)

800÷900 мкм

e)

20÷120 нм

53.

Из какого полупроводникового материала изготовляется полупроводниковый лазер?

a)

арсенида галлия

b)

фосфида галлия

c)

нитрида кремния

d)

оксида кремния

e)

антимонида индия

54.

В каком направлении движутся электроны через p-n - переход в результате воздействия электрического поля?

a)

из области R(n)

b)

положительные ионы

c)

отрицательные ионы

d)

это зависит от концентрации акцепторной примеси

e)

h12

55.

Что такое экстракция носителей заряда?

a)

прохождение носителей заряда через р-n - переход, который усиливается электрическим полем

b)

из n - области в p - область

c)

равновероятно в обоих направлениях

d)

при обратном смещении ток не течет ни при каких условиях

e)

ток через фотодиод не течет, т.к. он может течь при смещении

56.

При какой полярности напряжения работает стабилитрон?

a)

при обратном напряжении

b)

при отсутствии светового потока ток через фотодиод не течет

c)

течет большой ток, т.к. фотодиод подключен в обратном направлении

d)

для усиления слабых сигналов

e)

для преобразования частоты

57.

При каком смещении перехода (прямой и обратный) нормально используется варикап?

a)

при обратном мещении ререхода

b)

для выпрямления переменного тока

c)

для генерирования затухающих колебаний

d)

(T=0,25 V

e)

(T=1,15 V

58.

Какие диоды применяют в качестве ёмкости?

a)

варикап

b)

режим короткого замыкания

c)

активный режим

d)

режим насыщения

e)

зависит от температуры

59.

Какие диоды применяют на основе контакта металл-полупроводник?

a)

диод Шоттки

b)

это зависит от материала изготовления

c)

одинаковое минимальное у схемы с ОБ и ОК

d)

с ОБ

e)

с ОЭ и ОК

60.

Какие диоды предназначены для стабилизации напряжения?

a)

стабилитрон

b)

в схеме с ОБ

c)

с ОЭ и ОБ

d)

с ОК и ОБ

e)

бездрейфовый

61.

Какие качества р-n - перехода используются в работе варикапа?

a)

ёмкостные свойства р-n - перехода

b)

это зависит от толщины базы

c)

на изменении разности потенциалов на входе

d)

на изменении емкости перехода

e)

плюс на n - области и минус на p - области

62.

Как называется процесс возникновения пары электрон-дырка?

a)

генерация пар

b)

дрейфовый

c)

плюс на n - области и минус на p - области

d)

в зоне проводимости

e)

влияние сопротивления базы

63.

Восстановление потерянных валентных электронных связей это

a)

двойная регенерация

b)

на изменении разности потенциалов на входе

c)

влияние сопротивления базы

d)

10 пФ

e)

при отсутствии светового потока ток через фотодиод не течет

64.

Изменение зарядов при инжекции определяет

a)

диффузионная емкость

b)

изменение толщины базы из-за влияния коллекторного напряжения на ширину эмиттерного перехода

c)

изменение толщины базы из-за влияния коллекторного напряжения на концентрацию подвижных носителей в базе

d)

пробой

65.

Применяются в качестве конденсаторов переменной ёмкости

a)

варикап

b)

индия

c)

золота

d)

серебра

e)

железа

66.

Полупроводниковый диод, предназначенный для стабилизации напряжения, имеет достаточно низкое напряжение пробоя, может поддерживать это напряжение на постоянном уровне при значительном изменении силы обратного тока

a)

стабилитрон

b)

варикап

c)

золота

d)

транзистор

e)

железа

67.

Полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором при приложении напряжения в прямом направлении, туннельный эффект проявляется в появлении участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением на ВАХ

a)

туннельный диод

b)

варикап

c)

стабилитрон

d)

транзистор

e)

железа

68.

Почему фотодиод не используется в прямом включении?

a)

трудно фототок выделить на фоне прямого тока

b)

можно, если понизить управляющий ток до нуля

c)

фототок намного меньше прямого тока

d)

транзисторы, в которых дрейфовый ток через эмиттерный переход больше, чем через коллекторный

e)

транзисторы, в которых токи в областях транзистора определяются исключительно дрейфовом носителе

69.

Течет ли ток через фотодиод при отсутствии светового потока при обратном смещении?

a)

течет небольшой обратный ток через фотодиод

b)

при отсутствии светового потока ток через фотодиод не течет

c)

течет большой ток, т.к. фотодиод подключен в обратном направлении

d)

при обратном смещении ток не течет ни при каких условиях

e)

ток через фотодиод не течет, т.к. он может течь при смещении

70.

Где располагается уровень Ферми у невырожденных примесных полупроводников n-типа;

a)

в запрещенной вблизи зоны проводимости

b)

посредине запрещенной зоны

c)

в валентной зоне

d)

в зоне проводимости

e)

в запрещенной вблизи валентной зоны

71.

Укажите величину барьерной емкости p-n - перехода

a)

1000 пФ

b)

0,1 мкФ

c)

10 пФ

d)

1000 нФ

e)

0,033 мкФ

72.

Для чего применяются диоды?

a)

для выпрямления переменного тока

b)

для генерирования незатухающих колебаний

c)

для стабилизации напряжения

d)

для усиления слабых сигналов

e)

для преобразования частоты

73.

Какова величина потенциального барьера (контактной разности потенциалов) для кремния?

a)

(0=0,6 V

b)

(0=1,25 V

c)

(0=1,15 V

d)

(0=0,5 V

e)

(0=0,75 V

Similar Resources on Wayground

LC Food Commodities (Cereals,Fruit & Veg, Fats & Oils)

77 questions

LC Food Commodities (Cereals,Fruit & Veg, Fats & Oils)

quiz

Worksheet

•

KG - 12th Grade

электроника 207-279

73 questions

электроника 207-279

quiz

Worksheet

•

12th Grade

Quản lý thu chi gia đình – Trắc nghiệm tổng hợp

76 questions

Quản lý thu chi gia đình – Trắc nghiệm tổng hợp

quiz

Worksheet

•

12th Grade

PLTW IED Sem 1 Review

72 questions

PLTW IED Sem 1 Review

quiz

Worksheet

•

9th - 12th Grade

Islam Cycle-4 Quiz

71 questions

Islam Cycle-4 Quiz

quiz

Worksheet

•

9th - 12th Grade