Wayground logo

Free Printable Worksheets

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

Микротехника

Total questions: 37

Worksheet time: 9hrs 15mins

Name
Class
Date
1.

FinFET-транзисторда қандай құрылым жылу шығындарын азайтуға мүмкіндік береді?

a)

Үшөлшемді құрылым

b)

Жұқа негізді құрылым

c)

Параллель өткізгіш құрылым

d)

Тік орналасқан құрылым

2.

Гетеротранзисторлардың қай түрі жоғары жиілікті және күшейткіш қасиеттерге ие?

a)

TeraHertz гетеротранзисторлары

b)

Si/SiGe негізіндегі гетеротранзисторлар

c)

AlGaN/GaN негізіндегі гетеротранзисторлар

d)

Көпарналы транзисторлар

3.

MODFET-транзисторлары қандай құрылымның негізінде құрастырылады?

a)

GaN/GaAs

b)

InGaP/InAs

c)

AlGaAs/InP

d)

Si/SiGe

4.

Кванттық нүктелердегі транзисторларда көлікте қатысатын электрондар қай

өрістерде шоғырланады?

a)

Күшті электрлер өрісінде

b)

Нейтрал өрісінде

c)

Әлсіз электр өрісінде

d)

Әлсіз магниттік өрісінде

5.

КНИ-транзисторлардың жұқа негізі қандай жағдайды азайтуға мүмкіндік береді?

a)

Сәулелену төзімділікті

b)

Электрлік өріс инверсиясын

c)

Энергия тұтыну

d)

Құрылымның өткізгіштігін

6.

Гетеротранзистордың шекті кернеуі неге байланысты?

a)

Оксида қалыңдығында

b)

Өткізгіштігінде

c)

Ауа тығыздығына

d)

Арна қалыңдығында

7.

MESFET-транзисторларында арна қалыңдығы шамамен қанша болады?

a)

0,3мкм

b)

0,13мкм

c)

0,5мкм

d)

1мкм

8.

MODFET-транзисторлардың арнасындағы тасымалдаушылардың қозғалысы қандай

мәнге дейін жетеді?

a)

1300-2800 см2/(В×с)

b)

2000-4000 см2/(В×с)

c)

1000-2000см2/(В×с)

d)

1200-4200 см2/(В×с)

9.

Жартылай өткізгіш лазерлердегі алғашқы маңызды жетістіктерді кімдер ұсынған?

a)

Ж. И. Алферов пен Г. Кремер

b)

Цу мен Л. Эсаки

c)

.С. Накамура мен Л. Эсаки

d)

Г.Кремер мен А. Смит

10.

GaAs/AlGaAs негізіндегі гетероқұрылымды қолданудың басты мақсаты қандай

болды?

a)

Кванттық шұңқырлар жасау

b)

Жарық түсуін орнату

c)

Кристалды түзету

d)

Лазерлік генерацияны үздіксіз режимде іске асыру

11.

Тарқозонды қабаттағы сәуле шығару рекомбинациясының ықтималдығы нені

анықтайды?

a)

Тоқ өткізу қуатын

b)

Ішкі кванттық шығуды

c)

Ондық байланысты

d)

Жылу өткізгіштігін

12.

Шекті токтардың азаюы жартылай өткізгіш лазерлерге қандай әсер береді?

a)

Жұмыс тиімділігін төмендетеді

b)

Құрылғылардың ұзақ өмір сүруін қамтамасыз етеді

c)

Жарықтың интенсивтілігін арттырады

d)

Қыздыруды арттырады

13.

Гетероқұрылымдарда сәуле шығару рекомбинациясы қай белсенді салада болады?

a)

Шекті аймақта

b)

Эпитаксиялы қабатта

c)

Жарық диодты қабатта

d)

Тарзонды қабатта

14.

Жарық диодындағы pn өтудің негізгі қызметі қандай?

a)

Тоқ өткізгіштік

b)

Жарық шығару

c)

Жылуды азайту

d)

Тоқтың таралуын азайту

15.

Сыртқы кванттық шығуды анықтайтын маңызды факторлардың бірі қандай?

a)

Жарықтың сыртқы ортаға шығарылу коэффициенті

b)

Электронды-дырғыш шоғырының азаюы

c)

Шығару қабатының қалыңдығы

d)

Жылу өткізгіштігі

16.

Сәуле шығару рекомбинациясы қай жағдайларда жүзеге асады?

a)

Жарық көзі қосылғанда

b)

Тасымалдау қабаты жоғарлағанда

c)

Электрондар мен тесіктер ең аз энергиялы деңгейлерге жеткенде

d)

Жарық диоды сөнгенде

17.

Рекомбинация саласында қоспалар қолданудан бас тартудың себебі қандай?

a)

Қоспалар рекомбинация орталығын жасайды

b)

Қоспалар жарық ағынын төмендетеді

c)

Қоспалар ток тығыздығын арттырады

d)

Қоспалар құрылымды әлсіздендіреді

18.

Сәулелену түсін реттеу үшін қолданылатын параметр қандай?

a)

Электрондық тасымалдау қабаты

b)

Тасымалдаушы қабаты

c)

Жарық өткізгіштік қабаты

d)

Кванттық шұңқыр қалыңдығы

19.

Көп қабатты кванттық шұңқырлы светодиодта қосымша қабат қай элементтен

жасалады

a)

GaAs

b)

ALN

c)

SIN

d)

InN

20.

Светодиод құрылымында линзаның негізгі қызметі қандай?

a)

Тоқ тарату

b)

Тоқ тығыздығын азайту

c)

Жарық ағынын фокустау

d)

Тасымалдауды реттеу

21.

Бір электрлік аспаптарды дамыту қандай құбылысқа негізделген?

a)

Жоғары температуралық тұрақтылық

b)

Электрондар қозғалысының диффузиясы

c)

Молекулалық вибрациялардың синхронизациясы

d)

Бір электронның ауысуын бақылау

22.

>Бір электрлік туннелдеу теориясын кім ұсынды?

a)

К.Лихарев

b)

И.Зворкин

c)

А.Ржанова

d)

Д.Аверин

23.

Бір электрлік аспаптарда электронның ауысуы қандай процесс арқылы жүзеге

асырылады?

a)

Диффузия

b)

Туннельдеу

c)

Инверсия

d)

Потенциалдық тосқауыл

24.

>Кулон блокадасы нені негіздейді

a)

Электрондардың үнемі қозғалуына мүмкіндік беру

b)

Молекулалардың байланысын нығайту

c)

Электрондардың нүктеден ұшып шығуына тосқауыл қою

d)

Жоғары кернеу туындату

25.

Бір электрлік транзистордың құрамы қандай элементтерден тұрады?

a)

Пластина, анод, катод

b)

Электродтар, конденсатор, резистор

c)

Исток, ағын, затвор

d)

Электролит, катод, ағын

26.

n>Бір электрлік транзистордағы Кулон бөгетінің мәні неден тәуелді?

a)

Температураның тұрақтылығынан

b)

Жарықтың әсерінен

c)

Өткізгіш материалдан

d)

Электрондардың саны мен ток көзінен

27.

Кулон энергиясының шамасы қандай сипаттамамен анықталады?

a)

Зарядтар арасындағы потенциалдық энергия

b)

Токтың электр өрісіне әсері

c)

Электр өрісінің күштілігі

d)

Жартылай өткізгіштің энергетикалық деңгейі

28.

Бір электрлік транзисторда электрондардың қозғалысын қандай әлеует бақылайды?

a)

Катод

b)

Анод

c)

Жапқыш

d)

Пластина

29.

Қандай өлшемдегі құрылымдар бөлме температурасында жұмыс істей алады?

a)

10нм дейін

b)

50нм дейін

c)

100нм дейін

d)

200нм дейін

30.

Қандай құбылыстың әсерінен бір электрлік аспаптарда электрондардың энергия

тұтынуы төмендейді?

a)

Кернеудің өзгеруі

b)

Туннелдеу уақытының қысқаруы

c)

Жарық әсерінің жоғарылауы

d)

Жоғары жиілікті тербелістер

31.

Кремний бір электрлік транзисторлар қандай құрылым негізінде құрылады?

a)

Пластикалық конденсатор

b)

Диодтық құрылым

c)

МОП-транзисторлық құрылым

d)

Лазерлік құрылымдар

32.

Шотка бекітпесі бар құрылымда электрондарды не оқшаулайды?

a)

Магнит өрісі

b)

Гравитациялық күш

c)

Жарықтың әсері

d)

Электр өрісі мен туннель өткелдері

33.

Молекулалық электрониканың негізгі элементтерінің бірі қандай?

a)

Электрод

b)

Құрылғы

c)

Көміртек наноүтік

d)

Бір молекула

34.

Мономолекулалық электроникаға қандай қасиет тән?

a)

Қосымша молекула қажет

b)

Бір молекула барлық элементарлық процестерді біріктіреді

c)

> Екі қабатты құрылым қажет

d)

Физикалық құрылымсыз

35.

Молекулалық электроника үшін Л-Б әдісі қалай қолданылады?

a)

Туннельдік микроскоп қолдану үшін

b)

Ток көзін қосу үшін

c)

Көбейткіш құрылғы жасау үшін

d)

Жұқа пленкаларды жасау үшін

36.

Молекулалық құрылғыларды жасау үшін қандай материалдар қолданылады?

a)

Май қышқылдары мен олардың тұздары

b)

Мырыш тотығы

c)

Титан нанобөлшектері

d)

Кремний пластинасы

37.

Көміртек нанотүтікшелері негізіндегі молекулалық құрылғы қай жылы жасалды?

a)

2010

b)

2005

c)

1998

d)

1970

Similar Resources on Wayground

ДЖТ 48-Сабақ

40 questions

ДЖТ 48-Сабақ

quiz

Worksheet

•

KG

Физика

32 questions

Физика

quiz

Worksheet

•

1st - 5th Grade

Understanding ППМИ Concepts

40 questions

Understanding ППМИ Concepts

quiz

Worksheet

•

7th Grade

Физика тест сұрақтары

33 questions

Физика тест сұрақтары

quiz

Worksheet

•

KG

Куптлеуова 2 часть(41-80)

40 questions

Куптлеуова 2 часть(41-80)

quiz

Worksheet

•

1st Grade

сессия 1

42 questions

сессия 1

quiz

Worksheet

•

KG

61-100

40 questions

61-100

quiz

Worksheet

•

1st Grade

инклюзив 81-120

40 questions

инклюзив 81-120

quiz

Worksheet

•

KG