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WorksheetsDiodi ,BJT, JFET e MOSFET
Total questions: 30
Worksheet time: 30mins
Nel JFET, quale affermazione descrive correttamente la funzione del pinch-off?
È il punto in cui Vgs rende nullo il canale e interrompe definitivamente ID
È la condizione in cui Vds rende il canale parzialmente chiuso: ID smette di aumentare con Vds e diventa pressoché costante
È la regione iniziale in cui ID cresce linearmente con Vds perché il canale si comporta come un resistore puro
È la situazione in cui il gate è in conduzione diretta e controlla la corrente di source
In un MOSFET Enhancement,(ad arricchimento) quando inizia la conduzione?
Quando Vgs supera la tensione di soglia Vt
Anche con Vgs = 0
Solo con Vgs negativo
Indipendentemente da Vgs
Per un MOSFET Enhancement a canale N, quale segno deve avere la Vgs per superare Vt tipico?
Positivo, tipicamente nell’intervallo +2…+4 V
Negativo, tipicamente −2…−4 V
Zero volt
Alternato a 50 Hz
Perché un MOSFET Depletion (a svuotamento) può condurre a Vgs = 0 o negativo?
Perché possiede un canale già formato a riposo
Perché il gate è sempre polarizzato in forward
Perché la Vt è sempre negativa
Perché la conduzione avviene solo per effetto termico
Quale scelta descrive una condizione di non conduzione per un MOSFET Enhancement a canale N?
Vgs inferiore a Vt
Vgs maggiore di Vt
Vgs = +5 V con Vt = +3 V
Vgs = +4 V con Vt = +2 V
In un JFET, che cosa accade aumentando la tensione inversa Vgs?
Il canale si restringe e la corrente Id diminuisce
Il canale si allarga e la corrente Id aumenta
La corrente rimane costante indipendentemente da Vgs
Si entra sempre in zona ohmica
Rispetto alla resistenza d’ingresso, come si comporta un FET?
Molto alta, fino a megaohm o gigaohm
Molto bassa, nell’ordine dei ohm
Media, nell’ordine dei kiloohm
Variabile ma sempre inferiore ai BJT
Quale coppia di termini descrive le due modalità operative associate ai MOFET Depletion?
Enhancement e Depletion
Forward e Reverse
Attiva e Interdizione
Ohmica e Breakdown
Quale effetto si osserva nella prima tratta lineare della caratteristica di uscita JFET?
Comportamento resistivo con corrente proporzionale a Vds
Corrente costante indipendente da Vds
Interdizione completa del canale
Fenomeno di valanga
Quale delle seguenti frasi riassume meglio la condizione a riposo di un MOS Depletion?
Canale già conduttivo senza necessità di Vgs positiva
Canale assente finché Vgs non diventa positiva
Conduzione possibile solo oltre Vds(sat)
Gate sempre in conduzione diretta
Un MOSFET Depletion è portato da Vgs = 0 a Vgs = −2 V. Qual è l’effetto atteso sulla corrente Id?
Diminuisce per progressivo svuotamento del canale
Aumenta per maggiore arricchimento del canale
Resta invariata perché indipendente da Vgs
Diventa nulla istantaneamente
Quale affermazione descrive correttamente un diodo polarizzato direttamente in silicio?
Conduce una corrente elevata di tipo diretto oltre circa 0,7 V di caduta.
Blocca quasi tutta la corrente fino a 5 V in diretta.
Conduce solo una debole corrente inversa detta di saturazione.
La sua soglia aumenta di ~2 mV/°C all’aumentare della temperatura.
Nel BJT, come si confrontano le correnti ai terminali in regime stazionario?
La corrente di collettore è molto minore di quella di base.
La corrente di emettitore è circa uguale alla somma delle correnti di base e collettore, con Ic ≈ Ie e Ib molto più piccola.
La corrente di base è la più grande tra le tre.
Le correnti di base e collettore sono uguali per definizione.
Qual è l’ordine di grandezza tipico della resistenza d’ingresso di un FET?
Qualche centinaio di ohm.
Qualche kiloohm.
Fino a megaohm o gigaohm, quindi molto alta.
Circa 50 ohm, come una linea coassiale.
Per un MOSFET a canale N di tipo Enhancement, quando inizia a condurre?
Per Vgs qualsiasi, anche negativa.
Solo quando Vgs supera la tensione di soglia Vt, tipicamente tra +2 V e +4 V.
Quando Vgs è esattamente 0 V.
Solo se Vds è minore di Vt.
Un MOSFET di tipo Depletion può condurre con quale valore di Vgs?
Solo con Vgs maggiore di Vt positivo.
Solo con Vgs pari a zero e mai con valori negativi.
Sì, anche con Vgs = 0 o negativo, perché il canale è già formato.
Solo con Vgs molto positivo, oltre +10 V.
Il punto di lavoro a riposo (Q) di un dispositivo rappresenta:
Le condizioni di funzionamento stabili senza segnale (solo polarizzazione).
Il valore massimo di corrente possibile.
La condizione di corto circuito a ingresso.
Il momento in cui inizia l’amplificazione con segnale.
Per garantire il corretto funzionamento di un BJT NPN in regione attiva, come devono essere polarizzate le giunzioni?
Base-emettitore diretta e base-collettore inversa.
Entrambe dirette.
Entrambe inverse.
Base-emettitore inversa e base-collettore diretta.
In un transistor a effetto di campo, quando Vds è minore di Vds(sat), il dispositivo si trova:
In zona ohmica (comportamento resistivo).
In interdizione completa.
In saturazione con corrente costante.
In breakdown per eccesso di tensione.
Per un JFET, qual è il comportamento nel primo tratto lineare della caratteristica di uscita?
La corrente aumenta linearmente con la tensione Vds (comportamento resistivo).
La corrente resta costante indipendentemente da Vds.
La corrente diminuisce all’aumentare di Vds.
Il canale è già strozzato e non conduce.
Quale effetto ha un aumento della temperatura sulla tensione di soglia (Vj) di un diodo al silicio?
Diminuisce
Aumenta
Si annulla completamente
Rimane costante
Per far funzionare un transistor BJT di tipo NPN come amplificatore (in regione attiva), come devono essere polarizzate le sue giunzioni?
Entrambe polarizzate inversamente
Entrambe polarizzate direttamente
Giunzione base-emettitore diretta e giunzione base-collettore inversa
Giunzione base-emettitore inversa e giunzione base-collettore diretta
Il parametro hFE (o β) di un BJT rappresenta:
Il rapporto tra la corrente di emettitore e la corrente di base (IE/IB).
Il rapporto tra la corrente di collettore e la corrente di base (IC/IB).
Il rapporto tra la corrente di collettore e la corrente di emettitore (IC/IE).
La resistenza di ingresso del transistor.
In un transistor JFET, come viene controllata la corrente di drain (ID)?
Variando la tensione di polarizzazione inversa applicata al gate (Vgs).
Variando la tensione drain-source (Vds) quando si è in regione di saturazione.
Variando la corrente che scorre nel terminale di gate.
Variando la temperatura del dispositivo.
Qual è la differenza fondamentale tra un MOSFET a svuotamento (depletion) e uno ad arricchimento (enhancement)?
Il tipo di svuotamento funziona solo con Vgs negativa, mentre quello ad arricchimento solo con Vgs positiva.
Il tipo a svuotamento è fatto di germanio, quello ad arricchimento di silicio.
Il tipo a svuotamento ha già un canale conduttivo con tensione di gare zero (Vgs =0), mentre quello ad arricchimento no.
Il tipo di arricchimento ha una resistenza d'ingresso molto più alta.
Quando un BJT viene utilizzato come interruttore chiuso (stato ON), in quale regione di funzionamento si trova?
Regione di interdizione.
Regione di saturazione.
Regione di pinch-off.
Regione attiva.
Perché la resistenza d'ingresso di un FET (sia JFET che MOSFET) è estremamente elevata?
Perché sono dispositivi controllati in corrente.
Perché il terminale di gate è isolato (MOSFET) o polarizzato inversamente (JFET), assorbendo una corrente quasi nulla.
Perché il canale attraverso cui scorre la corrente è molto sottile.
Perché sono costruiti con materiali semiconduttori ad alta resistività.
Quale delle seguenti relazioni tra le correnti di un BJT in regione attiva è quella fondamentale e corretta?
IE=IC+IB
IC=IE+IB
IB=IE+IC
IE≈IC≈IB
In un JFET, cosa accade alla corrente di drain (ID) quando la tensione drain-source (Vds) supera il valore di pinch-off?
Continua ad aumentare in modo lineare.
Diminuisce rapidamente fino ad azzerarsi.
Aumenta in modo esponenziale.
Rimane pressoché costante.
Qual è la principale differenza nel modo in cui un BJT e un JFET sono pilotati?
Entrambi sono pilotati in tensione.
Il BJT è pilotato in corrente, mentre il JFET è comandato in tensione.
Entrambi sono pilotati in corrente.
Il BJT è pilotato in tensione, mentre il JFET è comandato in corrente.
