wayground logo

Free Printable Worksheets

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

CHƯƠNG 1 – INTRO TO SEMICONDUCTORS

Total questions: 150

Worksheet time: 1hrs 15mins

Name
Class
Date
1.

Chất bán dẫn có điện trở suất:

a)

Nhỏ hơn kim loại rất nhiều

b)

Lớn hơn chất cách điện

c)

Nằm giữa kim loại và cách điện

d)

Bằng kim loại

2.

Trong bán dẫn nội tại ở cân bằng nhiệt:

a)

n ≫ p

b)

p ≫ n

c)

n = p = n_i

d)

n = p = 0

3.

Dải năng lượng chứa electron tự do chủ yếu là:

a)

Depletion band

b)

Valence band

c)

Conduction band

d)

Forbidden band

4.

Bandgap E_g là:

a)

E_V − E_C

b)

E_F − E_V

c)

E_C − E_V

d)

E_F − E_C

5.

Cặp electron–hole (EHP) được tạo khi:

a)

Electron nhận đủ năng lượng để lên CB từ VB

b)

Electron rơi từ VB xuống CB

c)

Ion hoá donor

d)

Hole lên CB

6.

Quan hệ mass action law ở cân bằng:

a)

n/p = n_i

b)

np=ni2np = n_i^2

c)

np = n_i

d)

n + p = n_i

7.

Pha tạp donor làm bán dẫn trở thành:

a)

insulator

b)

n-type

c)

intrinsic

d)

p-type

8.

Pha tạp acceptor làm bán dẫn trở thành:

a)

p-type

b)

n-type

c)

intrinsic

d)

metal

9.

Hạt tải đa số trong n-type là:

a)

Ion dương

b)

Ion âm

c)

Electron

d)

Hole

10.

Hạt tải thiểu số trong p-type là:

a)

Ion dương

b)

Hole

c)

Ion âm

d)

Electron

11.

Khi N_D > N_A (compensated), bán dẫn là:

a)

p-type

b)

n-type

c)

cách điện

d)

intrinsic

12.

Khi (N_D − N_A) ≫ 2n_i, xấp xỉ nồng độ electron:

a)

n ≈ n_i

b)

n ≈ N_D − N_A

c)

n ≈ N_A − N_D

d)

n ≈ ni2/NDn_i^2 / N_D

13.

Trong n-type, lỗ trống thiểu số:

a)

p≈ni2⋅np \approx n_i^2 \cdot n

b)

p ≈ ni2/nn_i^2 / n

c)

p = n_i

d)

p ≈ N_D

14.

Độ dẫn điện của bán dẫn:

a)

σ = q(n + p)

b)

σ = q(μ_n + μ_p)

c)

σ = (nμ_n + pμ_p)/q

d)

σ = q(μ_n n + μ_p p)

15.

Điện trở suất:

a)

ρ = σ

b)

ρ = E/σ

c)

ρ = σE

d)

ρ = 1/σ

16.

Drift current xuất hiện do:

a)

Nhiệt độ 0 K

b)

Tái hợp

c)

Điện trường E

d)

Gradient nồng độ

17.

Diffusion current xuất hiện do:

a)

Kim loại tiếp xúc

b)

Gradient nồng độ hạt tải

c)

Điện trường E

d)

Không phụ thuộc không gian

18.

Dòng khuếch tán electron theo trục x:

a)

j_n(diff) = −qD_p (dp/dx)

b)

j_n(diff) = −qD_n (dn/dx)

c)

j_n(diff) = +qD_n (dp/dx)

d)

j_n(diff) = +qD_n (dn/dx)

19.

Dòng khuếch tán hole theo trục x:

a)

j_p(diff) = −qD_n (dn/dx)

b)

j_p(diff) = +qD_n (dp/dx)

c)

j_p(diff) = +qD_p (dp/dx)

d)

j_p(diff) = −qD_p (dp/dx)

20.

Dòng tổng electron:

a)

j_nT = qμ_n nE + qD_n (dn/dx)

b)

j_nT = qμ_n nE − qD_n (dn/dx)

c)

j_nT = qμ_p pE − qD_p (dp/dx)

d)

j_nT = qD_n (dn/dx)

21.

Dòng tổng hole:

a)

j_pT = qμ_p pE − qD_p (dp/dx)

b)

j_pT = qμ_p pE + qD_p (dp/dx)

c)

j_pT = qμ_n nE + qD_n (dn/dx)

d)

j_pT = qD_p (dp/dx)

22.

Quan hệ Ohm trong bán dẫn:

a)

j = ρE

b)

j = E/σ

c)

j = σE

d)

j = qDE

23.

Trung hoà điện tích (charge neutrality) dạng đúng:

a)

q(N_D + n − N_A − p) = 0

b)

n = p = n_i

c)

q(N_D + p − N_A − n) = 0

d)

N_D = N_A

24.

Einstein relation:

a)

D = μq

b)

Dμ = kT/q

c)

D/μ = kT/q

d)

D/μ = q/kT

25.

Thermal voltage V_T là:

a)

kT/q

b)

k/qT

c)

qT/k

d)

q/kT

26.

Ở 300 K, V_T xấp xỉ:

a)

2.5 mV

b)

2.5 V

c)

25 mV

d)

250 mV

27.

Khi tăng nhiệt độ, n_i:

a)

Giảm

b)

Tăng

c)

Bằng 0

d)

Không đổi

28.

Fermi level trong n-type dịch:

a)

Giữa gap

b)

Gần E_V

c)

Không đổi

d)

Gần E_C

29.

Fermi level trong p-type dịch:

a)

Không đổi

b)

Gần E_C

c)

Gần E_V

d)

Giữa gap

30.

Typical doping concentration (thực tế) thường nằm khoảng:

a)

1014–1021cm−310^{14} – 10^{21} cm^{-3}

b)

1010–1012cm−310^{10} – 10^{12} cm^{-3}

c)

105–108cm−310^5 – 10^8 cm^{-3}

d)

1022–1030cm−310^{22} – 10^{30} cm^{-3}

31.

Trong vật liệu nào, bán dẫn nằm giữa kim loại và chất điện cách về khả năng dẫn điện?

a)

Chất điện cách dẫn rất kém

b)

Bán dẫn ở mức trung gian dẫn

c)

Kim loại dẫn mạnh hơn đáng kể

32.

Điều kiện cân bằng của bán dẫn nội sinh là gì?

a)

p bằng n nội sinh ni

b)

p lớn hơn n khi pha tạp

c)

n nhỏ hơn p trong n‑type

33.

Electron tự do thuộc dải năng lượng nào?

a)

Mức Fermi cố định

b)

Dải dẫn cho chuyển động

c)

Dải hoá trị chứa liên kết

34.

Biểu thức độ rộng vùng cấm Eg bằng gì?

a)

Ef trừ Ec trong n‑type

b)

Ec trừ Ev cho vùng cấm

c)

Ev trừ Ec năng lượng

35.

Electron đủ năng lượng sẽ nhảy vào dải nào để dẫn điện?

a)

Dải hoá trị liên kết bền

b)

Dải dẫn cho chuyển động

c)

Mức Fermi cân bằng

36.

Trong bán dẫn nội sinh, tích n nhân p bằng gì?

a)

ni bình phương chuẩn

b)

ND trừ NA chênh lệch

c)

na cộng np tổng số

37.

Tạp chất cho (donor) tạo loại bán dẫn nào?

a)

p‑type giàu lỗ trống

b)

intrinsic cân bằng

c)

n‑type giàu electron

38.

Tạp chất nhận (acceptor) tạo loại bán dẫn nào?

a)

intrinsic không pha tạp

b)

n‑type với electron đa số

c)

p‑type với lỗ trống đa số

39.

Trong n‑type, hạt mang đa số là gì?

a)

Ion âm chiếm ưu thế

b)

Electron chiếm ưu thế

c)

Lỗ trống chiếm ưu thế

40.

Trong p‑type, hạt mang thiểu số là gì?

a)

Donor là thiểu số

b)

Lỗ trống là thiểu số

c)

Electron là thiểu số

41.

Điều kiện để vật liệu trở thành n‑type khi có ND và NA là gì?

a)

ND lớn hơn NA đáng kể

b)

ND nhỏ hơn NA rõ rệt

c)

ND bằng NA chính xác

42.

Quan hệ giữa mật độ electron n và ND, NA trong n‑type gần đúng là gì?

a)

n xấp xỉ ND trừ NA

b)

n bằng ni nội sinh

c)

n bằng p trong cân bằng

43.

Trong bán dẫn nội sinh, n bằng gì so với p?

a)

p bằng n bình phương

b)

p bằng n bằng ni

c)

p lớn hơn n luôn luôn

44.

Công thức độ dẫn điện sigma của bán dẫn là gì?

a)

sigma bằng 1 chia rho điện trở

b)

sigma bằng q nhân n mu_n

c)

sigma bằng q(n mu_n + p mu_p)

45.

Điện trở suất rho liên hệ thế nào với độ dẫn sigma?

a)

Rho bằng một chia sigma

b)

Rho bằng sigma nhân q

c)

Rho bằng ni chia mu

46.

Dòng trôi (drift) xuất hiện do nguyên nhân nào?

a)

Do điện trường tác động

b)

Do gradient nồng độ

c)

Do va chạm mạng tinh

47.

Khuếch tán hạt mang xảy ra chủ yếu do yếu tố nào?

a)

Do điện trường ngoài

b)

Do gradient nồng độ

c)

Do nhiệt độ cố định

48.

Biểu thức mật độ dòng khuếch tán electron jn(diff) là gì?

a)

jn bằng q mu_n E

b)

jn bằng −qD_n dn/dx

c)

jn bằng qD_n dn/dx

49.

Biểu thức mật độ dòng khuếch tán lỗ trống jp(diff) là gì?

a)

jp bằng −qD_p dp/dx

b)

jp bằng +qD_p dp/dx

c)

jp bằng q mu_p E

50.

Dòng điện tổng của electron gồm những thành phần nào?

a)

Chỉ có trôi điện trường

b)

Trôi và khuếch tán

c)

Chỉ có tái hợp kèm

51.

Dòng điện tổng của lỗ trống gồm những thành phần nào?

a)

Chỉ khuếch tán thôi

b)

Trôi và khuếch tán

c)

Chỉ trôi do E

52.

Mật độ dòng do trôi thường viết bằng công thức nào?

a)

j bằng sigma nhân E

b)

j bằng q n v_drift

c)

j bằng qD dn/dx

53.

Điều kiện trung hoà điện tích trong bán dẫn là gì?

a)

ND bằng NA mọi lúc

b)

n bằng p luôn luôn

c)

Tổng qhạt bằng không

54.

Quan hệ Einstein giữa hệ số khuếch tán D và độ linh động mu là gì?

a)

D chia mu bằng kT/q

b)

D nhân mu bằng kT/q

c)

D bằng mu nhân qT

55.

Điện áp nhiệt VT được định nghĩa như thế nào?

a)

VT bằng q chia kT

b)

VT bằng kT chia q

c)

VT bằng kT nhân q

56.

Tại 300 K, giá trị xấp xỉ của VT là bao nhiêu?

a)

10 mV gần đúng

b)

25 mV gần đúng

c)

50 mV gần đúng

57.

Khi nhiệt độ T tăng, mật độ hạt mang n trong intrinsic thay đổi ra sao?

a)

n giảm do tán xạ mạnh

b)

n tăng do kích hoạt nhiệt

c)

n không đổi theo nhiệt

58.

Trong vật liệu n‑type, mức Fermi EF nằm gần dải nào?

a)

Gần dải hoá trị EV

b)

Gần dải dẫn EC

c)

Giữa hai dải cân bằng

59.

Trong vật liệu p‑type, mức Fermi EF nằm gần dải nào?

a)

Gần dải hoá trị EV

b)

Gần dải dẫn EC

c)

Giữa hai dải cân bằng

60.

Phạm vi nồng độ pha tạp điển hình cho bán dẫn là khoảng nào (cm^{-3})?

a)

101410^{14} đến 102110^{21}

b)

101210^{12} đến 101410^{14}

c)

10^{21} đến 10^{24}

61.

Dòng nghịch gần như không đổi cho đến khi đạt:

a)

Breakdown voltage

b)

Knee voltage

c)

Threshold

d)

Forward voltage

62.

Barrier potential của Si xấp xỉ:

a)

0.1 V

b)

0.3 V

c)

1.0 V

d)

0.7 V

63.

Barrier potential của Ge xấp xỉ:

a)

0.3 V

b)

0.1 V

c)

0.7 V

d)

1.0 V

64.

PN junction hình thành khi:

a)

p–p

b)

n–n

c)

kim loại–kim loại

d)

n–p

65.

Depletion region là vùng:

a)

Chỉ có electron tự do

b)

Không có hạt tải tự do

c)

Chỉ có hole tự do

d)

Nhiều hạt tải tự do

66.

Ở cân bằng, diffusion current cân bằng bởi:

a)

short-circuit current

b)

drift current

c)

recombination current

d)

thermal current

67.

Reverse bias: cực dương nối với vùng:

a)

p

b)

cả p và n

c)

n

d)

không nối

68.

Forward bias làm depletion region:

a)

biến mất hoàn toàn

b)

rộng ra

c)

thu hẹp

d)

không đổi

69.

Practical diode model của Si dùng V_F xấp xỉ:

a)

0 V

b)

0.3 V

c)

1.0 V

d)

0.7 V

70.

Dynamic resistance:

a)

r_d = ΔI/ΔV

b)

r_d = I/V

c)

r_d = ΔV/ΔI

d)

r_d = V/I

71.

Complete diode model:

a)

V_F = 0

b)

V_F = I_F r_d

c)

V_F = 0.7 + I_F r_d

d)

V_F = 0.3 + I_F R

72.

Reverse current chủ yếu do:

a)

majority carriers

b)

minority carriers

c)

điện dung

d)

depletion

73.

Avalanche breakdown thường xảy ra ở:

a)

pha tạp nặng

b)

pha tạp nhẹ

c)

LED

d)

kim loại

74.

Zener diode làm việc chủ yếu ở:

a)

saturation

b)

cutoff

c)

reverse breakdown

d)

forward region

75.

Với V_Z < 5 V, cơ chế chính:

a)

avalanche

b)

tunneling (Zener)

c)

diffusion

d)

recombination

76.

Trong mạch Zener, tải tăng (I_L tăng) thì I_Z:

a)

không đổi

b)

bằng 0

c)

giảm

d)

tăng

77.

Nếu V_in tăng (mạch ổn áp Zener), I_Z:

a)

tăng

b)

giảm

c)

không đổi

d)

bằng 0

78.

Công thức nhiệt Zener:

a)

ΔV_Z = TC + ΔT

b)

ΔV_Z = V_Z · ΔT

c)

ΔV_Z = TC / V_Z

d)

ΔV_Z = TC · V_Z · ΔT

79.

Derating công suất theo nhiệt độ:

a)

P không đổi

b)

P = P0 + kΔT

c)

P = kT

d)

P = P0 − kΔT

80.

LED phát sáng do:

a)

avalanche breakdown

b)

recombination → photon

c)

drift current

d)

tunneling

81.

Màu LED phụ thuộc chủ yếu vào:

a)

doping/material → bandgap

b)

V_in

c)

điện trở nối tiếp

d)

nhiệt độ phòng

82.

Photodiode dòng tỉ lệ với:

a)

V_Z

b)

dòng thuận

c)

cường độ ánh sáng (dòng nghịch)

d)

barrier potential

83.

Photodiode thường làm việc ở:

a)

forward bias

b)

reverse bias

c)

saturation

d)

cutoff

84.

Varactor diode hoạt động như:

a)

công tắc

b)

cuộn cảm

c)

tụ điện biến thiên

85.

Trong chế độ phân cực thuận, điện trở động của diode r_d được xác định gần đúng bởi biểu thức nào?

a)

r_d = V/I trong toàn dải

b)

r_d = ΔV/ΔI ở điểm làm việc

c)

r_d = V/P theo năng lượng

d)

r_d = P/I theo công suất

86.

Một diode Zener hoạt động ở vùng breakdown chủ yếu do cơ chế nào khi V_Z nhỏ hơn khoảng 5 V?

a)

Tunneling qua vùng cấm mỏng

b)

Nhiệt điện do phát xạ phonon

c)

Khuếch tán ngược do nồng độ cao

d)

Avalanche do va chạm hạt tải

87.

Đối với varactor, khi điện áp phân cực ngược V_R tăng, điện dung chuyển tiếp sẽ thay đổi thế nào?

a)

Giảm theo hệ số phi tuyến

b)

Bằng 0 ở mọi giá trị

c)

Tăng theo tuyến tính gần đúng

d)

Giữ không đổi theo dải hẹp

88.

Một bộ chỉnh lưu nửa chu kỳ tạo ripple có tần số bằng bao nhiêu so với tần số nguồn xoay chiều?

a)

Bằng f của nguồn vào

b)

Bằng 2f của nguồn vào

c)

Bằng f/2 của nguồn vào

d)

Bằng 0 tuyệt đối

89.

Trong vùng nghèo của tiếp giáp PN, đặc điểm chính là gì?

a)

Lỗ trống di chuyển tự do không cản trở

b)

Điện tử tự do tăng mạnh theo nhiệt độ

c)

Ion cố định tạo điện trường bên trong

d)

Không có sự hình thành điện thế rào cản

90.

Thông số nào mô tả điện áp làm điốt dẫn mạnh theo chiều ngược?

a)

Điện áp đánh thủng của điốt

b)

Điện áp ngưỡng thuận tiêu chuẩn

c)

Điện áp sụt trên dây dẫn

d)

Điện áp pin nội tại của PN

91.

Mô hình điốt lý tưởng giả định điều gì?

a)

Điện áp thuận cố định khoảng 0.7 V

b)

Không có sụt áp khi dẫn thuận

c)

Dòng rò ngược lớn và biến thiên

d)

Có điện trở loạt phụ thuộc nhiệt độ

92.

Trong mô hình điốt với điện áp ngưỡng, giá trị gần đúng của điốt Si là bao nhiêu?

a)

Khoảng 2.2 volt cố định

b)

Khoảng 0.2 volt tiêu chuẩn

c)

Khoảng 1.5 volt danh định

d)

Khoảng 0.7 volt điển hình

93.

Điốt Zener hoạt động chủ yếu dựa vào cơ chế nào ở chế độ ngược?

a)

Hiệu ứng Hall tạo điện trường dọc

b)

Ghép hỗ cảm để giảm dòng rò

c)

Tăng tốc điện tử phát photon liên tục

d)

Đánh thủng có kiểm soát giữ điện áp ổn định

94.

Khi nhiệt độ tăng, điện áp Zener thường thay đổi như thế nào?

a)

Tăng theo bình phương điện trở

b)

Giảm tuyến tính theo dòng thuận IF

c)

ΔV_Z tỉ lệ với hệ số nhiệt TC_VZ·ΔT

d)

Không phụ thuộc vì là lý tưởng

95.

Khái niệm derating của điốt có nghĩa là gì?

a)

Chỉ áp dụng cho điốt quang học

b)

Giữ nguyên điện áp bất kể nhiệt độ

c)

Tăng dòng tối đa bằng cách làm mát

d)

Giảm công suất cho phép khi nhiệt độ tăng

96.

Cơ chế phát sáng của LED là gì?

a)

Đánh thủng avalanche tạo ánh sáng

b)

Điện trở nhiệt phát bức xạ hồng ngoại

c)

Hiệu ứng Zener sinh ra bức xạ ngược

d)

Tái hợp electron–lỗ trống phát photon

97.

Màu của LED phụ thuộc chủ yếu vào yếu tố nào?

a)

Chiều dài dây nối cathode

b)

Độ rộng vùng cấm của vật liệu

c)

Đường kính thấu kính khuếch tán

d)

Cường độ dòng rò ngược

98.

Photodiode thường được phân cực như thế nào để tăng tốc độ đáp ứng?

a)

Phân cực xen kẽ để tạo tín hiệu AC

b)

Phân cực ngược để mở rộng vùng nghèo

c)

Không phân cực để tránh nhiễu nhiệt

d)

Phân cực thuận để giảm điện áp rào

99.

Trong chế độ reverse của photodiode, điều gì xảy ra khi ánh sáng tăng?

a)

Dòng ngược tăng tỷ lệ với quang thông

b)

Điện áp ngưỡng thuận giảm nhanh chóng

c)

Tần số đáp ứng giảm theo căn bậc hai

d)

Điện dung tiếp giáp tăng không giới hạn

100.

Varactor là loại điốt có đặc tính nào nổi bật?

a)

Điện dung thay đổi theo điện áp ngược

b)

Điện áp thuận cố định không đổi

c)

Điện trở loạt giảm theo nhiệt độ

d)

Dòng ngược bão hòa theo ánh sáng

101.

Khi V_R tăng ở điốt varactor, xu hướng của điện dung C là gì?

a)

Điện dung không đổi theo thời gian

b)

Điện dung dao động quanh giá trị trung

c)

Điện dung tăng tuyến tính với V_R

d)

Điện dung giảm theo quy luật phi tuyến

102.

Trong chỉnh lưu nửa chu kỳ, ripple chủ đạo có tần số bao nhiêu so với nguồn?

a)

Bằng tần số nguồn đầu vào f

b)

Gấp đôi tần số nguồn 2f

c)

Bằng nửa tần số nguồn f/2

d)

Bằng ba lần tần số nguồn 3f

103.

Tăng điện dung bộ lọc sau chỉnh lưu sẽ có hiệu ứng nào lên ripple?

a)

Giảm biên độ ripple đáng kể

b)

Tăng công suất tỏa nhiệt luôn luôn

c)

Không ảnh hưởng đến điện áp DC

d)

Tăng tần số ripple lên nhiều lần

104.

Điốt Schottky có điện áp rơi thuận điển hình khoảng bao nhiêu?

a)

Khoảng 2.0 volt danh định

b)

Khoảng 1.2 volt cố định

c)

Khoảng 0.9 volt ở mọi mức

d)

Khoảng 0.3 volt ở dòng nhỏ

105.

Điốt PIN thường được dùng trong ứng dụng nào?

a)

RF và điều chế công suất cao

b)

Chỉnh lưu nguồn dân dụng

c)

Ổn áp tuyến tính DC nhỏ

d)

Cách ly quang học cơ bản

106.

CRD (Current Regulative Diode) có chức năng chính là gì?

a)

Tạo xung quang học nội tại

b)

Giảm điện trở theo nhiệt độ

c)

Tăng điện áp đầu ra cố định

d)

Giữ dòng gần như không đổi

107.

Nếu dòng tải I_L tăng, dòng qua điốt Z thay đổi thế nào trong mạch ổn áp Zener?

a)

I_Z đảo chiều tạo ổn áp mới

b)

I_Z giảm tương ứng để giữ V_out

c)

I_Z không đổi dù tải thay đổi

d)

I_Z tăng gấp đôi không đổi V_out

108.

Khi điện áp vào V_in tăng, xu hướng dòng qua Zener I_Z là gì (với tải cố định)?

a)

I_Z không thay đổi vì lý tưởng

b)

I_Z giảm theo hệ số tuyến tính

c)

I_Z bằng không do bảo vệ nhiệt

d)

I_Z tăng để duy trì V_out

109.

NPN có cấu trúc:

a)

NPP

b)

PNN

c)

NPN

d)

PNP

110.

Vùng pha tạp nặng nhất:

a)

như nhau

b)

Base

c)

Collector

d)

Emitter

111.

Forward-active NPN:

a)

BE thuận, BC nghịch

b)

BE nghịch, BC nghịch

c)

BE nghịch, BC thuận

d)

BE thuận, BC thuận

112.

Saturation:

a)

BE nghịch, BC thuận

b)

BE nghịch, BC nghịch

c)

BE thuận, BC thuận

d)

BE thuận, BC nghịch

113.

Cutoff:

a)

I_B = 0, I_C = 0

b)

V_BE ≈ 0.7 V

c)

I_C rất lớn

d)

V_CE ≈ 0.2 V

114.

Quan hệ dòng:

a)

I_B = I_C + I_E

b)

I_E = I_B − I_C

c)

I_E = I_C + I_B

d)

I_C = I_B + I_E

115.

β được định nghĩa:

a)

I_C/I_B

b)

I_C/I_E

c)

I_B/I_C

d)

I_E/I_B

116.

α được định nghĩa:

a)

I_C/I_B

b)

I_E/I_B

c)

I_C/I_E

d)

I_E/I_C

117.

Quan hệ α và β:

a)

α = β

b)

α = β/(β + 1)

c)

α = 1 − β

d)

α = 1 + β

118.

V_BE (Si) vùng active xấp xỉ:

a)

0.1 V

b)

0.3 V

c)

1.2 V

d)

0.7 V

119.

DC load line (CE):

a)

I_C = V_CE/R_C

b)

V_CE = V_CC + I_C R_C

c)

V_CE = V_CC − I_C R_C

d)

V_CE = I_C R_C

120.

Q-point là:

a)

điểm cắt

b)

giao giữa load line và đặc tuyến ứng với I_B

c)

điểm bão hòa

d)

điểm V_BE = 0.7 V

121.

Base-bias:

a)

I_B = (V_CC − V_BE)/R_B

b)

I_B = V_BE/R_B

c)

I_B = V_CE/R_B

d)

I_B = V_CC/R_C

122.

V_CE =

a)

V_CC − I_C R_C

b)

V_BE − V_CC

c)

V_CC + I_C R_C

d)

I_C R_C

123.

Saturation voltage thường lấy:

a)

2 V

b)

0 V

c)

0.2 V

d)

0.7 V

124.

Dòng bão hòa xấp xỉ:

a)

I_C(sat) = 0

b)

I_C(sat) = β I_B luôn đúng

c)

I_C(sat) = V_CC/R_C

d)

I_C(sat) ≈ (V_CC − V_CE(sat))/R_C

125.

Để chắc chắn bão hòa, cần:

a)

I_B < I_C(sat)/β

b)

β = 0

c)

I_B = 0

d)

I_B > I_C(sat)/β

126.

Voltage-divider bias:

a)

V_B ≈ 0

b)

V_B ≈ (R2/(R1+R2))·V_CC

c)

V_B ≈ V_CC

d)

V_B ≈ (R1/(R1+R2))·V_CC

127.

Thevenin của R1–R2:

a)

R_TH = R1 + R2

b)

R_TH = R1 R2

c)

R_TH = (R1·R2)/(R1+R2)

d)

R_TH = R2 R1

128.

Công suất transistor:

a)

P=IC2RCP = I_C^2 R_C

b)

P = V_CE I_C

c)

P = V_BE I_B

d)

P = V_CC I_B

129.

Small-signal emitter resistance:

a)

r′_e ≈ 0.7/I_E

b)

r′_e ≈ 25 mV/I_E

c)

r′_e ≈ I_E/25 mV

d)

r′_e ≈ 25 mV·I_E

130.

CE voltage gain xấp xỉ:

a)

A_v ≈ r′_e/R_C

b)

A_v ≈ β

c)

A_v ≈ R_C/r′_e

d)

A_v = 1

131.

Pha của CE amplifier:

a)

cùng pha

b)

không đổi

c)

lệch 90°

d)

ngược pha 180°

132.

Phototransistor hoạt động vì:

a)

ánh sáng đốt emitter

b)

LED phát sáng

c)

ánh sáng tạo dòng base

d)

không đo được

133.

Trong chế độ CE, tín hiệu ngõ ra có pha như thế nào so với tín hiệu ngõ vào tại tần số thấp?

a)

Ngược pha, khuếch đại điện áp

b)

Cùng pha, biên độ tỷ lệ dòng

c)

Không đổi pha, chỉ khuếch đại dòng

d)

Lệch pha 90°, phụ thuộc tải

134.

Trong BJT, ký hiệu NPN chỉ ra cấu trúc vật liệu nào?

a)

Một lớp P phủ lên hai lớp N

b)

Ba lớp N ghép nối song song

c)

Hai lớp P xen giữa lớp N lớn

d)

Lớp N, lớp P, lớp N xếp nối

135.

Ở chế độ Active của BJT, trạng thái phân cực của BE và BC là gì?

a)

BE thuận, BC thuận phân cực

b)

BE nghịch, BC nghịch phân cực

c)

BE nghịch, BC thuận phân cực

d)

BE thuận, BC nghịch phân cực

136.

Trong chế độ Cutoff, dòng qua B và C bằng bao nhiêu?

a)

I_B nhỏ, I_C lớn tăng

b)

I_B=0, I_C>0 đáng kể

c)

I_B>0, I_C≈0 gần như

d)

I_B≈0, I_C≈0 giá trị nhỏ

137.

Ở trạng thái bão hòa (Saturation), phân cực của BE và BC như thế nào?

a)

BE nghịch, BC thuận chắc chắn

b)

BE thuận, BC thuận đồng thời

c)

BE nghịch, BC nghịch hoàn toàn

d)

BE thuận, BC nghịch thường gặp

138.

Hệ số truyền dòng β được định nghĩa đúng nhất là gì?

a)

β = I_C/I_B tỉ số chuẩn

b)

β = I_E/I_C tính ngược lại

c)

β = I_C/I_E phụ thuộc nhiệt

d)

β = I_B/I_C theo dòng nhỏ

139.

Hệ số α của BJT liên hệ với dòng nào?

a)

α = I_C/I_E quan hệ chính

b)

α = β/(β+1) công thức gần

c)

α = I_B/I_E rất nhỏ

d)

α = I_E/I_B phụ thuộc β

140.

Điện áp ngưỡng V_BE xấp xỉ bằng bao nhiêu ở silic?

a)

Tầm 2.5 V đặc trưng

b)

Nhỏ hơn 0.2 V chuẩn

c)

Lớn hơn 1.2 V thường

d)

Khoảng 0.7 V điển hình

141.

Biểu thức V_CE của mạch CE với nguồn V_CC và điện trở R_C là gì?

a)

V_CE = V_CC − I_C·R_C đơn giản

b)

V_CE = I_C·R_C + V_CC cộng

c)

V_CE = I_C/V_CC · R_C nhân

d)

V_CE = V_CC + I_C/R_C chia

142.

Trong phân tích đường tải, đại lượng Q biểu diễn điều gì?

a)

Điểm làm việc tĩnh trên đường

b)

Biên độ tín hiệu vào BE

c)

Hệ số khuếch đại điện áp

d)

Điện trở tương đương nút B

143.

Dòng I_B được xác định gần đúng bởi biểu thức nào?

a)

I_B ≈ I_C/β quan hệ cơ bản

b)

I_B ≈ β·I_C tăng tuyến

c)

I_B ≈ I_E/β tỉ lệ khác

d)

I_B ≈ I_C· β2β^2 khuếch

144.

Khi transistor bão hòa, V_CE(sat) thường vào khoảng nào?

a)

Cỡ 1.0 V mức trung bình

b)

Dưới 0.05 V cực nhỏ

c)

Khoảng 0.2 V giá trị nhỏ

d)

Xấp xỉ 2.0 V khá lớn

145.

Công suất P tiêu tán tại transistor được tính như thế nào?

a)

P = I_C^2·R_C mạch tải

b)

P = V_BE·I_B đúng hơn

c)

P = V_CC·I_E nguồn

d)

P = V_CE·I_C công thức

146.

Điện trở nhỏ tín hiệu r_e xấp xỉ bằng?

a)

r_e ≈ β/ I_B công thức

b)

r_e ≈ R_C/β suy ra

c)

r_e ≈ 50 mV/I_C gần đúng

d)

r_e ≈ 25 mV/I_E quy tắc

147.

Hệ số khuếch đại điện áp A_v cho CE với tải R_C và r_e là gì?

a)

A_v ≈ R_C/r_e độ lớn

b)

A_v ≈ β·R_C công thức

c)

A_v ≈ r_e/R_C tỉ lệ

d)

A_v ≈ R_C·r_e nhân

148.

Trong cấu hình CE, tín hiệu đầu ra đảo pha bao nhiêu độ?

a)

Không đảo, 0° cùng pha

b)

Đảo pha khoảng 180° chuẩn

c)

Đảo nhẹ 90° trung gian

d)

Đảo 270° vượt mức

149.

Phototransistor hoạt động khác BJT thường ở điểm nào?

a)

Không có cực collector rõ

b)

V_BE cao hơn đáng kể

c)

Chỉ làm việc ở chế độ CB

d)

Dòng kích do ánh sáng vào

150.

Reverse-active mô tả điều gì trong BJT?

a)

Khóa hoàn toàn mọi dòng

b)

Hoạt động đảo vai BE, BC

c)

Tăng β khi nhiệt độ giảm

d)

Bão hòa mạnh do quá áp

Similar Resources on Wayground

Tâm lý học đại cương – Chương 1 (trích bài tập trắc nghiệm)

150 questions

Tâm lý học đại cương – Chương 1 (trích bài tập trắc nghiệm)

quiz

Worksheet

•

University

Câu hỏi Kinh tế học

149 questions

Câu hỏi Kinh tế học

quiz

Worksheet

•

University

Kung Phút

151 questions

Kung Phút

quiz

Worksheet

•

University

Untitled Quiz

149 questions

Untitled Quiz

quiz

Worksheet

•

University

Diễn biến hòa bình và Bạo loạn lật đổ

148 questions

Diễn biến hòa bình và Bạo loạn lật đổ

quiz

Worksheet

•

12th Grade - University

Marxist-Leninist Philosophy triết : Questions 1-20

150 questions

Marxist-Leninist Philosophy triết : Questions 1-20

quiz

Worksheet

•

University

한국문학

150 questions

한국문학

quiz

Worksheet

•

University

Giáo dục quốc phòng và an ninh

150 questions

Giáo dục quốc phòng và an ninh

quiz

Worksheet

•

University