Transistor BJT

Transistor BJT

Cominciamo ripassando alcune basi...

Fill in the Blanks

Multiple Choice

Il transistor di tipo BJT è controllato

• in tensione

• in corrente

Multiple Choice

Si dice che il transistor BJT è

• un componente passivo a stato solido

• Un componente attivo a stato solido

• Un componente passivo a strato solido

• Un componente attivo a strato solido

Multiple Choice

Per funzionare, il transistor necessita in generale di

• trovarsi a una certa temperatura

• essere polarizzato inversamente

• essere alimentato

• trovarsi a una certa pressione

Match

Fai corrispondere il nome corretto al numero che ne indica la posizione in figura

• Collettore

• Base

• Emettitore

1

2

3

• 1

• 2

• 3

Multiple Choice

Questo transistor è di tipo

• NPN

• PNP

• MOSFET

Multiple Choice

Questo transistor è di tipo

• NPN

• PNP

• MOSFET

Multiple Choice

I nomi "NPN" e "PNP" si riferiscono

• Al verso della corrente nel transistor

• Al tipo di drogaggio delle zone che compongono il transistor

• Al costruttore dei transistor di questa tipologia

• Al verso di spostamento delle cariche positive e negative

Transistor BJT

NPN

Componente a semiconduttore (a stato solido) attivo

Composto da due giunzioni PN

Due tipologie: NPN e PNP

PNP

Transistor BJT

NPN

Componente a semiconduttore (a stato solido) attivo

Composto da due giunzioni PN

Due tipologie: NPN e PNP

PNP

Si può trovare in diverse zone di lavoro...

Zone di lavoro del transistor BJT

Multiple Choice

Quando le due giunzioni del transistor BJT sono polarizzate entrambe direttamente, esso si trova in

• interdizione

• saturazione

• zona attiva diretta

• zona attiva inversa

Multiple Choice

Quando le due giunzioni del transistor BJT sono polarizzate entrambe inversamente, esso si trova in

• interdizione

• saturazione

• zona attiva diretta

• zona attiva inversa

Drag and Drop

Perchè il BJT sia in zona attiva diretta, si deve avere la giunzione base-emettitore polarizzata ​

Placeholder

e la giunzione base-collettore deve essere polarizzata ​

Placeholder

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direttamente

inversamente

Reorder

Fai corrispondere il nome della zona di lavoro alla posizioni nella tabella che le compete

• Zona di interdizione

• Zona di saturazione

• Zona attiva diretta

• Zona attiva inversa

1

2

3

4

• 1
• 2
• 3
• 4

Drag and Drop

La zona attiva inversa non viene considerata perché la ​

Placeholder

che si ricava risulta essere troppo ​

Placeholder

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corrente

bassa

tensione

resistenza

alta

impulsiva

variabile

Drag and Drop

Quando il BJT funziona in zona attiva diretta, la corrente di emettitore si forma come corrente di ​

Placeholder

dovuta a ​

Placeholder

presente

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diffusione

gradiente di concentrazione

deriva

campo elettrico

Drag and Drop

Una volta arrivati in base, di questi elettroni ​

Placeholder

si ricombinano con le lacune, e i restanti vanno verso il collettore per ​

Placeholder

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pochi

diffusione

molti

deriva

Drag and Drop

Vicino alla giunzione base-collettore, gli elettroni vengono ​

Placeholder

collettore a causa di una corrente di ​

Placeholder

causata dal ​

Placeholder

intenso per la polarizzazione ​

Placeholder

della giunzione

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spinti verso il

deriva

campo elettrico

inversa

allontanati dal

gradiente di concentrazione

diretta

Drag and Drop

I ​

Placeholder

elettroni ricombinati già citati vengono poi estratti grazie al generatore formando una corrente di ​

Placeholder

di valore molto ​

Placeholder

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pochi

base

basso

molti

intenso

emettitore

collettore

Ora un po' di equazioni del BJT...

Multiple Choice

La relazione giusta tra le correnti è

• $$I_E=I_B+I_C$$

• $$I_B=I_E+I_C$$

• $$I_C=I_E+I_B$$

• $$I_C=I_B+I_E$$

Multiple Select

Per ottenere una corrente di base di piccola intensità, dovuta alle poche ricombinazioni, basta assicurare (due opzioni sono corrette)

• Che la base sia più larga delle altre due zone

• Che la base sia più stretta delle altre due zone

• Che la base sia una zona con minor drogaggio rispetto all'emettitore

• Che la base sia una zona con maggior drogaggio rispetto all'emettitore

Multiple Choice

Nell'equazione $$I_C=βI_B+(β+1)I_{CB0}$$ il termine $$I_{CB0}$$ identifica

• corrente di base collettore

• corrente di base

• corrente inversa di saturazione

• corrente di polarizzazione diretta

Multiple Choice

La formula fortemente caratteristica del transistor, che otteniamo grazie a piccole approssimazioni, è

• $$I_C=h_{FE}I_B$$

• $$I_C=\frac{I_B}{h_{FE}}$$

• $$I_C=\frac{h_{FE}}{I_B}$$

• $$I_B=h_{FE}I_C$$

Fill in the Blanks

Multiple Choice

Qual è la relazione corretta tra le tensioni ai capi del transistor?

• $$V_{CE}=V_{BE}-V_{BC}$$

• $$V_{CE}=V_{BC}-V_{BE}$$

• $$V_{BE}=V_{CE}-V_{BC}$$

• $$V_{BC}=V_{CE}-V_{BE}$$

Passiamo a qualche grafico

Multiple Choice

La curva che vedi nell'immagine qui a fianco, per il transistor BJT, è una cosiddetta curva

• di ingresso

• di uscita

• di polarizzazione

• di emettitore

Drag and Drop

La curva di ingresso qui a fianco rappresenta come varia la corrente di ​

Placeholder

al variare della tensione sulla giunzione ​

Placeholder

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base

base-emettitore

emettitore

collettore

base-collettore

Drag and Drop

Le curve di uscita qui a fianco invece mostrano la variazione della corrente di ​

Placeholder

al variare, verso destra, della tensione tra ​

Placeholder

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collettore

collettore ed emettitore

emettitore

base e collettore

base

base ed emettitore

Multiple Choice

Nel grafico delle curve di uscita vediamo una famiglia di curve, rappresentate a salire verso l'alto; ciascuna curva corrisponde a un particolare valore di

• Corrente di collettore

• Corrente di base

• Tensione tra base ed emettitore

• Tensione tra collettore ed emettitore

Match

Fai corrispondere a ciascuna zona del grafico la zona di lavoro corrispondente (indicando quale invece non è presente nel grafico)

• Saturazione

• Zona attiva diretta

• Intedizione

• Zona attiva inversa

A

B

C

Non presente nel grafico

• A

• B

• C

• Non presente nel grafico

Multiple Choice

La zona di saturazione e la zona di interdizione sono importanti se si vuole utilizzare il BJT in qualità di

• Amplificatore

• Resistore

• Interruttore

• Deviatore

Multiple Choice

La zona attiva diretta gioca un ruolo importante se si vuole utilizzare il BJT in qualità di

• Amplificatore

• Resistore

• Interruttore

• Deviatore

​Andiamo a concludere con l'utilizzo del BJT in qualità di interruttore (switching mode)

Dropdown

Quello che vedi in figura di chiama circuito di ​

Select answer

a ​

Select answer

​

Select answer

Multiple Choice

Perchè il transistor funzioni in questo circuito, si considera di avere una tensione tra base ed emettitore pari a circa

• 0,2 V

• 0,5 V

• 0,7 V

• 5 V

Multiple Choice

Perchè il transistor di questo circuito si trovi in saturazione, si considera di avere una tensione ai capi del BJT (tra collettore ed emettitore) pari a circa

• 0,2 V

• 0,5 V

• 0,7 V

• 5 V

Multiple Choice

Perchè il transistor di questo circuito si trovi in saturazione, si considera di avere una corrente di base che sia almeno

• $$\frac{I_C^{MAX}}{h_{FE}}$$

• $$\frac{h_{FE}}{I_C^{MAX}}$$

• $$h_{FE}I_C^{MAX}$$

Multiple Choice

Per assicurare che il transistor di questo circuito si trovi in interdizione, si deve garantire di avere

• La tensione applicata al collettore minore o uguale a 0

• L'emettitore scollegato da massa

• La tensione applicata alla base minore o uguale a zero

• L'emettitore collegato a massa

Multiple Choice

I tempi di commutazione per passare da interdizione a saturazione (e viceversa) sono dovuti principalmente

• al tempo di formazione caratteristico dei campi elettrici

• alla temperatura ambiente alla quale si trova il BJT

• alla resistenza del circuito in cui si trova il BJT

• alla variazione di concentrazione di carica nella base