Wayground logo

Free Printable Worksheets

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

Quizz thầy Hiếu (linh kiện điện tử)

Total questions: 41

Worksheet time: 21mins

Name
Class
Date
1.

Thuật ngữ lưỡng cực dùng để chỉ việc sử dụng

a)

lỗ trống

b)

electron

c)

lỗ trống và electron

d)

không (a), (b), cũng không (c)

2.

Trong một bóng bán dẫn npn,vùng n là:

a)

cực gốc và cực phát

b)

cực gốc và cực thu

c)

cực phát và cực thu

d)

cực gốc

3.

Một bóng bán dẫn tiếp giáp lưỡng cực (BJT) được cấu tạo bằng ba tiếp giáp pn.

a)

Đúng

b)

Sai

4.

Ba đầu cuối của một bóng bán dẫn tiếp giáp lưỡng cực được gọi là

a)

p, n, p

b)

n, p, n

c)

đầu vào, đầu ra, đất

d)

cực gốc (B), cực phát (E), cực thu (C)

5.

Trong một bóng bán dẫn pnp, các vùng p là

a)

cực gốc và cực phát

b)

cực gốc và cực thu

c)

cực phát và cực thu

6.

Để hoạt động như một bộ khuếch đại, cực gốc của một bóng bán dẫn npn phải

a)

dương so với cực phát

b)

âm so với cực phát

c)

dương so với cực thu

d)

0 V

7.

Dòng điện cực thu luôn

a)

a) lớn hơn dòng điện cực gốc

b)

b) nhỏ hơn dòng điện cực phát

c)

c) lớn hơn dòng điện cực phát

d)

trả lời (a) và (c)

8.

Dòng điện cực phát luôn

a)

a) lớn hơn dòng điện cực gốc

b)

b) nhỏ hơn dòng điện cực thu

c)

c) lớn hơn dòng điện cực thu

d)

trả lời (a) và (c)

9.

BetaDC của một bóng bán dẫn là

a)

hệ số khuyếch đại dòng

b)

hệ số khuyếch đại áp

c)

độ lợi công suất

d)

điện trở bên trong

10.

Điện áp gần đúng trên mối nối cực gốc-cực phát phân cực thuận của một BJT silicon là

a)

0 V

b)

0,7 V

c)

0,3 V

d)

VBB

11.

Alpha của một bóng bán dẫn là

a)

độ khuếch đại dòng điện

b)

tỷ số giữa dòng điện cực thu và dòng điện cực phát

c)

độ khuếch đại công suất

d)

điện trở bên trong

12.

Điều kiện phân cực để bóng bán dẫn được sử dụng làm bộ khuếch đại tuyến tính được gọi là

a)

thuận-ngược

b)

thuận-thuận

c)

ngược-ngược

d)

phân cực cực thu

13.

Khi hoạt động ở chế độ cắt và bão hòa, bóng bán dẫn hoạt động như một

a)

bộ khuếch đại tuyến tính

b)

công tắc

c)

tụ điện biến đổi

d)

điện trở biến đổi

14.

Khi đã bão hòa, việc tăng thêm dòng điện cực gốc(B) sẽ

a)

làm dòng điện cực thu tăng

b)

không ảnh hưởng đến dòng điện cực thu

c)

làm dòng điện cực thu giảm

d)

tắt bóng bán dẫn

15.

Khi BJT ở trạng thái bão hòa:

a)

dòng điện cực thu (C) không thay đổi khi dòng điện cực gốc (B) tăng

b)

dòng điện cực gốc (B) không thể tăng

c)

điện áp cực thu (C) đến cực phát (E) là cực đại

d)

tất cả các đáp án trên

16.

Khi BJT bị cắt:

a)

điện áp từ cực góp đến cực phát gần bằng không

b)

dòng điện cực góp gần bằng không

c)

tiếp giáp cực gốc (B) - cực phát (E) được phân cực thuận

d)

không có đáp án nào trên

17.

Khi bộ khuếch đại không được phân cực với điện áp DC chính xác ở đầu vào và đầu ra, nó có thể chuyển sang

a)

bão hòa

b)

cắt

c)

trả lời (a) và (b)

d)

không phải (a), (b) cũng không phải (c)

18.

Phân cực cực phát (E) là:

a)

a) về cơ bản không phụ thuộc vào bDC

b)

b) phụ thuộc rất nhiều vào bDC

c)

c) cung cấp điểm phân cực ổn định

d)

trả lời (a) và (c)

19.

Khi bộ khuếch đại không được phân cực với điện áp DC chính xác ở đầu vào và đầu ra, nó có thể chuyển sang

a)

bão hòa

b)

cắt

c)

trả lời (a) và (b)

d)

không phải (a), (b) cũng không phải (c)

20.

Phân cực cực phát (E) thường cung cấp độ ổn định điểm Q tốt nhưng yêu cầu

a)

điện áp cung cấp âm

b)

điện áp cung cấp dương

c)

cả điện áp cung cấp dương và âm

d)

không bao giờ cung cấp độ ổn định điểm Q tốt

21.

JFET là

a)

a) một thiết bị đơn cực

b)

b) một thiết bị điều khiển bằng điện áp

c)

c) một thiết bị điều khiển bằng dòng điện

d)

trả lời (a) và (c)

e)

trả lời (a) và (b)

22.

Kênh của JFET nằm giữa

a)

cực cổng (G) và cực máng (D)

b)

cực máng (D) và cực nguồn (S)

c)

cực cổng (G) và cực nguồn (S)

d)

đầu vào và đầu ra

23.

JFET luôn hoạt động với

a)

tiếp giáp pn cực cổng (G) -cực nguồn (S) phân cực ngược

b)

tiếp giáp pn cực cổng (G) -cực nguồn (S) phân cực thuận

c)

cực máng (D) được nối với đất

d)

cực cổng (G) được nối với cực nguồn

24.

Đối với VGS = 0 V, dòng điện máng (D) trở nên không đổi khi VDS vượt quá

a)

ngưỡng cắt

b)

VDD

c)

VP

d)

0 V

25.

Vùng dòng điện không đổi của JFET nằm giữa

a)

ngưỡng cắt và bão hòa

b)

ngưỡng cắt và thắt dòng (pinch-off)

c)

0 và IDSS

d)

thắt dòng và đánh thủng

26.

Dòng điện máng (D) trong vùng dòng điện không đổi tăng khi

a)

điện áp phân cực cổng (G) -nguồn (S) giảm

b)

điện áp phân cực cổng (G) -nguồn (S) tăng

c)

điện áp máng (D)-nguồn (S) tăng

d)

điện áp máng (D)-nguồn (S) giảm

27.

Một bảng dữ liệu JFET nhất định đưa ra VGS(off) = -4 V. Điện áp ngắt, VP,

a)

không thể xác định được

b)

là -4 V

c)

phụ thuộc vào VGS

d)

là +4 V

28.

Một bảng dữ liệu JFET nhất định đưa ra VGS(off) = -4 V. JEFET ...

a)

là kênh n

b)

là kênh p

29.

Bài này có ok không?

a)

Có

b)

Không

30.

một JFET kênh p nhất định, VGS(off) = 8 V. Giá trị VGS cho độ lệch điểm giữa gần đúng là

a)

4 V

b)

0 V

c)

1,25 V

d)

2,34 V

31.

Trong JFET tự phân cực, cực cổng (G) ở

a)

điện áp dương

b)

0 V

c)

điện áp âm

d)

đất

32.

MOSFET khác với JFET chủ yếu vì

a)

định mức công suất

b)

MOSFET có hai cổng

c)

JEFET có một tiếp giáp pn

d)

MOSFET không có kênh vật lý

33.

D-MOSFET hoạt động ở

a)

chỉ chế độ cạn kiệt

b)

chỉ chế độ tăng cường

c)

chỉ vùng ômi

d)

cả chế độ cạn kiệt và chế độ tăng cường

34.

D-MOSFET kênh n có VGS dương đang hoạt động ở

a)

chế độ cạn kiệt

b)

chế độ tăng cường

c)

ngắt

d)

bão hòa

35.

Một E-MOSFET kênh p nhất định có VGS(th) = -2 V. Nếu VGS = 0 V, dòng điện máng (D) là

a)

0 A

b)

ID(on)

c)

tối đa

d)

IDSS

36.

Trong E-MOSFET, không có dòng điện máng (D) cho đến khi VGS

a)

đạt đến VGS(th)

b)

dương

c)

âm

d)

bằng 0 V

37.

Trong các đầu cuối sau, đầu cuối nào không thuộc về MOSFET

a)

Drain

b)

Gate

c)

Base

d)

Source

38.

MOSFET là thiết bị __________.

a)

Ba đầu cuối

b)

Đơn cực

c)

Điều khiển bằng điện áp

d)

Tất cả như đã đề cập trước đó

39.

MOSFET sử dụng điện áp cổng (G) tương đối thấp để kiểm soát dòng điện thoát

a)

Đúng

b)

Sai

40.

E-MOSFET kênh p có Vth dương.

a)

Đúng

b)

Sai

41.

Phương pháp phân cực chia điện áp có thể được áp dụng cho cả E-MOSFET và D-MOSFET

a)

Đúng

b)

Sai