wayground logo

Free Printable Worksheets

Font size

S
M
L
XL
Worksheets

Trắc nghiệm Điện Tử Cơ Bản 1

Total questions: 114

Worksheet time: 1hrs 2mins

Name
Class
Date
1.

Chất bán dẫn thuần là chất bán dẫn

a)

Không có sự tham gia của nguyên tố ngoại lai.

b)

Được tạo thành từ các nguyên tố có hóa trị IV.

c)

Được tạo thành từ nguyên tố có hóa trị III với nguyên tố có hóa trị V.

d)

Chất không dẫn điện tại 0 0 C

2.

Chất bán dẫn tạp chất dạng n là chất bán dẫn

a)

thuần có pha thêm tạp chất là nguyên tố có hóa trị III.

b)

thuần có pha thêm tạp chất là nguyên tố có hóa trị V.

c)

có hạt tải đa số là lỗ trống tự do.

d)

có các hạt mang điện tự do là lỗ trống và điện tử.

3.

Chất bán dẫn tạp chất dạng p là chất bán dẫn

a)

thuần có pha thêm tạp chất

b)

thuần có pha thêm tạp chất là nguyên tố có hóa trị V.

c)

có hạt tải đa số là lỗ trống tự do.

d)

có các hạt mang điện tự do là lỗ trống và điện tử.

4.

Chuyển tiếp p_n khi chưa được phân cực

a)

Dòng điện chạy trong nó bằng dòng ngược bão hòa (có giá trị rất bé) và tồn tại một điện trường E tx tại biên giới tiếp xúc.

b)

Dòng điện chạy trong nó bằng dòng ngược bão hòa (có giá trị rất bé) và không tồn tại điện trường E tx tại biên giới tiếp xúc.

c)

Dòng điện chạy trong nó bằng 0 và điện trường E tx tại biên giới tiếp xúc cũng bằng 0.

d)

Dòng điện chạy trong nó bằng 0 và tồn tại một điện trường E tx tại biên giới tiếp xúc.

5.

Chuyển tiếp p-n có đặc tính

a)

Dẫn điện theo một chiều

b)

Dẫn điện khi được phân cực thuận và hở mạch khi bị phân cực nghịch.

c)

Dẫn điện theo cả hai trường hợp phân cực

6.

Chuyển tiếp p-n có đặc tính

a)

Dẫn điện theo một chiều

b)

Dẫn điện khi được phân cực thuận và hở mạch khi bị phân cực nghịch.

c)

Dẫn điện theo cả hai trường hợp phân cực thuận và nghịch.

d)

Không dẫn điện

7.

Tiếp xúc shottky có đặc điểm

a)

gồm kim loại và bán dẫn tiếp xúc nhau.

b)

gồm bán dẫn loại n tiếp xúc bán dẫn loại p.

c)

tốc độ chuyển mạch chậm hơn so với bán dẫn.

d)

gồm hai bán dẫn tiếp xúc nhau.

8.

Chuyển tiếp p-n bị đánh thủng về nhiệt khi xảy ra hiện tượng

a)

Điện áp đặt trên hai đầu của nó vượt quá điện áp VBR.

b)

Dòng điện ngược qua chuyển tiếp p-n vượt quá giá trị cho phép.

c)

Điện áp đặt trên hai đầu của nó vượt quá điện áp Vγ.

d)

Cả a và b

9.

Các hiện tượng đánh thủng sau đây, hiện tượng nào sẽ phá hủy toàn bộ đặc tính van của chuyển tiếp p-n

a)

Đánh thủng về điện.

b)

Đánh thủng về nhiệt.

c)

Đánh thủng xuyên hầm.

d)

Đánh thủng thác lũ.

10.

Công thức nào là công thức mô tả của dòng điện chạy trong chuyển tiếp p-n

a)

)1(nKTqVSnpeII

b)

)1(nKTqVSnpeII

c)

)1(nKTqVSnpeII

d)

)1(nKTqVSnpeII

11.

Chuyển tiếp p-n khi bị phân cực ngược

a)

Vùng tiếp xúc bị thu hẹp lại và điện trường trong vùng tiếp xúc giảm so với lúc chưa có điện trường ngoài.

b)

Vùng tiếp xúc được mở rộng ra và điện trường trong vùng tiếp xúc giảm so với lúc chưa có điện trường ngoài.

c)

Vùng tiếp xúc được mở rộng ra và điện trường trong vùng tiếp xúc tăng so với lúc chưa có điện trường ngoài.

d)

Vùng tiếp xúc được thu hẹp ra và điện trường trong vùng tiếp xúc tăng so với lúc chưa có điện trường ngoài.

12.

Chuyển tiếp p-n khi được phân cực thuận

a)

Vùng tiếp xúc bị thu hẹp lại so với lúc chưa có điện trường ngoài.

b)

Vùng tiếp xúc được mở rộng ra so với lúc chưa có điện trường ngoài.

13.

Chuyển tiếp p-n khi được phân cực thuận

a)

Vùng tiếp xúc bị thu hẹp lại so với lúc chưa có điện trường ngoài.

b)

Vùng tiếp xúc được mở rộng ra so với lúc chưa có điện trường ngoài.

c)

Vùng tiếp xúc không thay đổi so với lúc chưa có điện trường ngoài.

d)

Điện trường trong vùng tiếp xúc tăng so với lúc chưa có điện trường ngoài.

14.

Vùng tiếp xúc trong chuyển tiếp p-n có đặc điểm

a)

không tồn tại các hạt mang điện tự do.

b)

không tồn tại các ion tạp chất.

c)

Có các ion tạp chất mang điện tích dương phía bên bán dẫn N và các ion tạp chất âm phía bên bán dẫn P.

d)

Cả a và c.

15.

Điện dung trong chuyển tiếp p-n (diode) khi được phân cực ngược

a)

Điện dung tiếp xúc

b)

Điện dung khuếch tán

c)

Điện dung phân bố

d)

Cả a và b

16.

Điện trở trong diode có đặc tính

a)

Tuyến tính

b)

Phi tuyến

c)

Không tồn tại

d)

Vô cùng lớn

17.

Điện trở động trong chuyển tiếp p-n (diode) được tính gần đúng theo công thức

a)

DQ/dI = mV/r

b)

DQ/T = dI/V/r

c)

DQ/dI = V/r

d)

Không có công thức

18.

Diode zener có đặc điểm

a)

Hoạt động ở chế độ phân cực ngược.

b)

Dẫn điện khi được phân cực thuận và khi phân cực ngược.

c)

Dẫn điện khi được phân cực thuận với điện áp ngưỡng Vγ và khi phân cực ngược với điện áp Vz.

d)

Hoạt động ở chế độ phân cực thuận.

19.

Khi nhiệt độ hoạt động của chuyển tiếp p-n tăng thì

a)

Khả năng dẫn của nó tăng

b)

Khả năng dẫn của nó giảm

c)

Khả năng dẫn của nó không thay đổi

d)

Ngưng dẫn

20.

Tâôøã gian chuyển mạch của chuyển tiếp p-n câïû yegï được tính là

a)

Thời gian của chuyển tiếp p-n chuyển từ trạng thái dẫn sang trạng thái tắt

b)

Thời gian của chuyển tiếp p-n chuyển từ trạng thái tắt sang trạng thái dẫn

c)

Cả a và b

d)

a và b đều sai

21.

Các thông số sau thông số nào là không phải là thông số giới hạn của diode

a)

PIV

b)

IDmax

c)

PDmax

d)

Vγ

22.

Cagï trïùc cïûa dãode câlèâ lö ï goàm

a)

Moät câïyeåè tãegp p-è vaø tãegp xïùc cïûa 2 baùè daãè èaøy laø tãegp xïùc maqt.

b)

Moät câïyeåè tãegp p-è vaø tãegp xïùc cïûa 2 baùè daãè èaøy laø tãegp xïùc ñãeåm.

c)

Moät câïyeåè tãegp p-è.

d)

Haã câïyeåè tãegp p-è

23.

Cagï trïùc cïûa dãode cao taàè

a)

Moät câïyeåè tãegp p-è vaø tãegp xïùc cïûa 2 baùè daãè èaøy laø tãegp xïùc maqt.

b)

Moät câïyeåè tãegp p-è vaø tãegp xïùc cïûa 2 baùè daãè èaøy laø tãegp xïùc ñãeåm.

c)

Moät câïyeåè tãegp p-è.

d)

Moät tãegp xïùc íâottåy.

24.

Transistor lưỡng cực (BJT) không có đặc điểm sau

a)

gồm hai chuyển tiếp p-n

b)

Có ba điện cực

c)

Có ba lớp bán dẫn khác loại xếp xen kẽ.

d)

Gồm một chuyển tiếp p-n

25.

Transistor lưỡng cực (BJT) là transistor có dòng ra

a)

Được điều khiển bằng áp vào

b)

Được điều khiển bằng dòng vào

c)

Được điều khiển bằng điện trường ngoài

d)

Không điều khiển được

26.

Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động ở chế độ khuếch đại thì

a)

Mối nối B-E và B-C phải được phân cực nghịch

b)

Mối nối B-E và B-C phải được phân cực thuận

c)

Mối nối B-E phải được phân cực thuận và B-C phải được phân cực nghịch.

d)

Mối nối B-E phân cực nghịch và B-C phải được phân cực thuận.

27.

Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động ở chế độ tắt thì

a)

Mối nối B-E và B-C phải được phân cực nghịch

b)

Mối nối B-E và B-C phải được phân cực thuận

c)

Mối nối B-E phải được phân cực thuận và B-C phải được phân cực nghịch.

d)

Mối nối B-E phân cực nghịch và B-C phải được phân cực thuận.

28.

Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động ở chế độ bão hòa thì

a)

Mối nối B-E và B-C phải được phân cực nghịch

b)

Mối nối B-E và B-C phải được phân cực thuận

c)

Mối nối B-E phải được phân cực thuận và B-C phải được phân cực nghịch

d)

Mối nối B-E phân cực nghịch và B-C phải được phân cực thuận

29.

Khi transistor lưỡng cực hoạt động ở chế độ khuếch đại thì

a)

BC IIβ=

b)

0 = CE V

c)

0 = C I

d)

BC IIβ≤

30.

Khi transistor lưỡng cực hoạt động ở chế độ tắt thì

a)

BC IIβ=

b)

0 = CE V

c)

0 = C I

d)

BC IIβ≤

31.

Dòng I CBO là dòng rỉ

a)

Của mối nối CB khi cực E hở mạch

b)

Của mối nối CE khi cực B hở mạch

c)

Của mối nối BE khi cực C hở mạch

d)

Của transistor

32.

Dòng I CEO là dòng rỉ

a)

Của mối nối CB khi cực E hở mạch

b)

Của mối nối CE khi cực B hở mạch

c)

Của mối nối BE khi cực C hở mạch

d)

Của transistor

33.

Dòng điện chạy trong transistor lưỡng cực là dòng

a)

Qua các chuyển tiếp p-n

b)

Qua kênh dẫn

c)

Qua bán dẫn

d)

Qua hai chuyển tiếp p-n

34.

Dòng điện chạy trong transistor lưỡng cực là dòng tham gia của các hạt tải

a)

Đa số

b)

Thiểu số

c)

Đa số và thiểu số

d)

Electron

35.

Khi nhiệt độ làm việc của transistor thay đổi thì

a)

Dòng điện chạy trong transistor bị thay đổi

b)

Dòng điện chạy trong transistor không bị thay đổi

c)

Dòng điện chạy trong transistor tăng khi nhiệt độ tăng

d)

Dòng điện chạy trong transistor giảm khi nhiệt độ tăng

36.

Hình bên là cách mắc transistor

a)

Theo kiểu CE

b)

Theo kiểu CB

c)

Theo kiểu CC

d)

A, b và c đều đúng

37.

Để transistor lưỡng cực hoạt động có

a)

1 cách mắc

b)

2 cách mắc

c)

3 cách mắc

38.

Để transistor lưỡng cực hoạt động có

a)

1 cách mắc

b)

2 cách mắc

c)

3 cách mắc

d)

4 cách mắc

39.

Đường đặc tuyến vôn –ampe bên là

a)

Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor npn mắc CE

b)

Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor pnp mắc CE

c)

Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor npn mắc CB

d)

Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor pnp mắc CB

40.

Đường đặc tuyến vôn –ampe bên là

a)

Đường đặc tuyến ngõ ra của transistor npn mắc CE

b)

Đường đặc tuyến ngõ ra của transistor pnp mắc CE

c)

Đường đặc tuyến ngõ ra của transistor npn mắc CB

d)

Đường đặc tuyến ngõ ra của transistor pnp mắc CB

41.

Cấu trúc của JFET không có đặc điểm sau

a)

Có 3 điện cực

b)

Có một kênh dẫn

c)

Có một chuyển tiếp p-n

d)

Có hai chuyển tiếp p-n

42.

Transistor trường (FET) là transistor có dòng ra

a)

Được điều khiển bằng áp vào

b)

Được điều khiển bằng dòng vào

c)

Được điều khiển bằng ánh sáng

d)

Không điều khiển được

43.

JFET kênh n có đặc điểm

a)

Điện trở kênh dẫn thay đổi khi điện áp VGS thay đổi

b)

Điện trở kênh dẫn tăng khi điện áp VGS càng âm

c)

Điện trở kênh dẫn giảm khi điện áp VGS càng âm

d)

Điện trở kênh dẫn không thay đổi khi điện áp VGS thay đổi

44.

JFET kênh p hoạt động khi

a)

VGS ≥ 0 và VDS > 0

b)

VGS ≤ 0 và VDS < 0

c)

VGS ≥ 0 và VDS < 0

d)

VGS ≤ 0 và VDS > 0

45.

Các điện cực của MOSFET gồm cực

a)

B, C, E

b)

D, S, G

c)

D, S, G, Sub

46.

Dòng điện chạy trong FET chủ yếu là dòng của

a)

Hạt tải đa số

b)

Hạt tải thiểu số

c)

Electron

d)

Hole

47.

Transistor trường có đặc điểm sau

a)

Dòng vào bằng 0

b)

Dòng vào khác 0

c)

Quan hệ giữa dòng ra và dòng vào khi hoạt động ở chế độ tuyến tính theo phương trình Shockley

d)

Quan hệ giữa dòng ra và dòng vào khi hoạt động ở chế độ tuyến tính theo phương trình

48.

D_MOSFET là FET không có đặc điểm sau

a)

Cực cổng G hoàn toàn cách ly với kênh dẫn bằng lớp điện môi Sio

b)

Cực cổng G cách ly với kênh dẫn bằng chuyển tiếp p-n

c)

Kênh dẫn được thiết lập sẵn, nối cực D với S.

d)

Có thể hoạt động với điện áp VGS dương hay âm.

49.

E_MOSFET là FET có đặc điểm sau

a)

Cực cổng G hoàn toàn cách ly với kênh dẫn bằng lớp điện môi Sio

b)

Cực cổng G cách ly với kênh dẫn bằng chuyển tiếp p-n

c)

Kênh dẫn được thiết lập sẵn, nối cực D với S.

d)

Có thể hoạt động với điện áp VGS dương hay âm.

50.

Công thức nào sau đây biểu diễn quan hệ giữa ngõ ra với ngõ vào của D_MOSFET

a)

2 1 (VGS - Vth) = ID

b)

BC = ID

c)

(VGS - Vth) = ID

d)

2 1 (VDS - Vth) = ID

51.

Thông số nào dưới đây không phải là thông số giới hạn của BJT

a)

ICmax

b)

VCEmax

c)

PCmax

d)

ICEO

52.

Thông số nào dưới đây không phải là thông số giới hạn của FET

a)

IDmax

b)

VDSmax

c)

PCmax

d)

PDmax

53.

Dòng điện chạy trong transistor trö ôøèg là dòng

a)

Qua các chuyển tiếp p-n

b)

Qua kênh dẫn

c)

Qua bán dẫn

d)

Qua hai chuyển tiếp p-n

54.

Điện trở R_E trong các mạch phân cực của transistor lưỡng cực (BJT) có chức năng

a)

Phân cực cho cực E.

b)

Ổn định nhiệt cho trnasistor.

c)

a và b đều đúng

d)

a và b đều sai

55.

Tụ C_E trong mạch có chức năng

a)

ngắn mạch RE đối với nguồn tín hiệu.

b)

hở mạch RE đối với nguồn tín hiệu.

c)

ngắn mạch RE đối với nguồn phân cực.

d)

Giảm hệ số khuếch đại của mạch

56.

Trong các mạch phân cực của transistor lưỡng cực, mạch phân cực có tính bất ổn định nhiệt nhất là:

a)

mạch phân cực theo kiểu định dòng

b)

mạch phân cực theo kiểu phân áp

c)

mạch phân cực có hồi tiếp từ collector

57.

Hệ số bất ổn định nhiệt của các dạng mạch phân cực dùng BJT có giá trị lớn nhất khi

a)

1/(1+β) > R_E/R_B

b)

1/(1+β) < R_E/R_B

c)

1 < R_E/R_B

d)

1/(1+β) = R_E/R_B

58.

Hệ số bất ổn định nhiệt SI nhỏ nhất khi

a)

1/(1+β) > R_E/R_B

b)

1/(1+β) < R_E/R_B

c)

1 < R_E/R_B

d)

1/(1+β) = R_E/R_B

59.

Sự bất ổn định nhiệt của dòng I

4 lines
60.

Hệ số bất ổn định nhiệt SI nhỏ nhất khi

a)

1/

b)

1/

c)

1/

d)

1/

61.

Sự bất ổn định nhiệt của dòng I_C do thông số nào bị thay đổi của BJT theo nhiệt độ

a)

Vγ

b)

β

c)

I_CBO

d)

a, b và c

62.

Điện trở R_S trong mạch phân cực của transistor trường có chức năng

a)

Phân cực cho cực S.

b)

Ổn định nhiệt cho transistor

c)

a và b đều đúng

d)

a và b đều sai

63.

Trong các dạng mạch phân cực sau đây dạng nào không phải là dạng mạch phân cực cho transistor trường

a)

mạch phân cực theo kiểu định dòng

b)

mạch phân cực theo kiểu phân áp

c)

mạch tự phân cực

d)

mạch phân cực cố định

64.

Để phân cực cho E_MOSFET kênh n không thể sử dụng dạng mạch phân cực nào dưới đây

a)

mạch phân cực hồi tiếp

b)

mạch phân cực theo kiểu phân áp

c)

mạch tự phân cực

d)

mạch phân cực cố định

65.

BJT có bao nhiêu mô hình tương đương tín hiệu nhỏ

a)

Một

b)

Hai

c)

Ba

d)

Bốn

66.

Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ của BJT được sử dụng khi

a)

BJT hoạt động với tín hiệu nhỏ

b)

BJT hoạt động với tín hiệu lớn

c)

BJT hoạt động với tín hiệu trung bình

d)

A, b và c

67.

BJT hoạt động với tín hiệu trung bình

(a)  

68.

Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ của BJT mắc theo kiểu CE chỉ được sử dụng khi mạch khuếch đại dùng BJT

a)

Mắc theo kiểu CE

b)

Mắc theo kiểu CB

c)

Mắc theo kiểu CC

d)

A, b, c đều đúng

69.

Thông số h_ib của BJT được tính theo công thức

a)

eE_BE ib r I V h ≈ ΔΔ

b)

eB_BE ib r I V h β ≈ ΔΔ

c)

eE_BE ib r I V h β ≈ ΔΔ

d)

eB_BE ib r I V h ≈ ΔΔ

70.

Thông số h_fe là hệ số khuếch đại của BJT đối với

a)

Dòng điện xoay chiều

b)

Dòng điện một chiều

c)

Điện áp xoay chiều

d)

Điện áp một chiều

71.

Phương trình của mạng hai cửa tuyến tính theo thông số h được biểu diễn

a)

Áp vào và dòng ra theo dòng vào và áp ra

b)

Áp vào và áp ra theo dòng vào và dòng ra

c)

Dòng vào và dòng ra theo áp vào và áp ra

d)

Dòng vào và áp ra theo áp vào và dòng ra

72.

Trong các mạch khuếch đại sau mạch nào có hệ số khuếch đại áp lớn nhất

a)

Mạch khuếch đại mắc kiểu CE

b)

Mạch khuếch đại mắc kiểu CB

c)

Mạch khuếch đại mắc kiểu CC

d)

Câu a và b

73.

Mạch khuếch đại có điện trở vào bé nhất là mạch khuếch đại mắc kiểu

a)

CE

b)

CB

c)

CC

d)

Cả 3 đều có tổng trở vào bằng nhau

74.

Mạch khuếch đại có điện trở ra nhỏ nhất là mạch khuếch đại mắc kiểu

a)

CE

b)

CB

c)

CC

d)

CE và CB

75.

Mạch khuếch đại có điện trở vào lớn nhất là mạch khuếch đại mắc kiểu

a)

CE

b)

CB

c)

CC

d)

CC và CE

76.

Mạch khuếch đại có điện áp ra cùng pha với áp vào là mạch

a)

CE

b)

CB

c)

CC

d)

CC và CB

77.

Phương trình của mạng hai cửa tuyến tính theo thông số y được biểu diễn

a)

Áp vào và dòng ra theo dòng vào và áp ra

b)

Áp vào và áp ra theo dòng vào và dòng ra

c)

Dòng vào và dòng ra theo áp vào và áp ra

d)

Dòng vào và áp ra theo áp vào và dòng ra

78.

JFET có bao nhiêu mô hình tương đương tín hiệu nhỏ

4 lines
79.

JFET có bao nhiêu mô hình tương đương tín hiệu nhỏ?

a)

Một

b)

Hai

c)

Ba

d)

Bốn

80.

Thông số g_m của JFET được tính theo công thức?

a)

        −= p GS mom V V gg1

b)

        −−= p GS P DSS m V V V I g1 2

c)

DSS D mom I I gg=

d)

cả 3 đều đúng

81.

Trong các mạch khuếch đại dùng JFET sau mạch nào có hệ số khuếch đại áp nhỏ nhất?

a)

Mạch khuếch đại mắc kiểu CD

b)

Mạch khuếch đại mắc kiểu CS

c)

Mạch khuếch đại mắc kiểu CG

d)

b và c

82.

Mạch khuếch đại có điện trở ngõ ra nhỏ nhất là mạch khuếch đại mắc kiểu?

a)

CD

b)

CS

c)

CG

d)

CD và CS

83.

Mạch khuếch đại có điện áp ra ngược pha với áp vào là mạch?

a)

CD

b)

CS

c)

CG

d)

CC và CG

84.

Mô hình tương đương gần đúng đối với tín hiệu nhỏ hình bên là mô hình của?

a)

JFET

b)

D_MOSFET

c)

E_MOSFET

d)

a,b, c

85.

Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với nhau sẽ có hệ số khuếch đại áp của toàn mạch

a)

 = n i VV i AA 1

b)

 = n i VV i AA 1

c)

 n i VV i AA 1 =

d)

 n i VV i AA 1 =

86.

Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với nhau sẽ có hệ số khuếch đại dòng của toàn mạch

a)

 = n i ii i AA 1

b)

 = n i ii i AA 1

c)

 n i ii i AA 1 =

d)

 n i ii i AA 1 =

87.

Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với nhau sẽ có tổng trở ngõ vào của mạch là

a)

1ii ZZ =

b)

ini ZZ =

c)

 = n i ii i ZZ 1

d)

 = n i ii i ZZ 1

88.

Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với nhau sẽ có tổng trở ngõ ra của mạch là

a)

1OO ZZ =

b)

OnO ZZ =

c)

)1( = nOO ZZ

d)

)1( = nOO ZZ

89.

Có bao nhiêu cách ghép tầng khuếch đại

a)

Một

b)

Hai

c)

Ba

d)

Bốn

90.

Mạch khuếch đại ghép R-C có đặc điểm

a)

Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua tụ điện

b)

Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua điện trở

c)

Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau trực tiếp

d)

Các tầng khuếch đại trong mạch được liên l

91.

Mạch khuếch đại ghép biến áp có đặc điểm

a)

Khuếch đại được cả tín hiệu DC và AC

b)

Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua điện trở

c)

Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau trực tiếp

d)

Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua máy biến áp

92.

Mạch khuếch đại ghép trực tiếp không có đặc điểm

a)

Các tầng khuếch đại ghép trực tiếp

b)

Các tầng khuếch đại không cách ly về DC

c)

Khuếch đại được tín hiệu DC và AC

d)

Ổn định nhiệt

93.

Dạng ghép trực tiếp đặc biệt nào cho hệ số khuếch đại dòng lớn

a)

Darlington

b)

Vi sai

c)

Cascode

d)

A, b, c đều sai

94.

Mạch khuếch đại vi sai không có đặc điểm

a)

Có hai ngõ vào

b)

Ngoõ ra vã íaã câỉ khuếch đại đối với tín hiệu vi sai

c)

Ngoõ ra vã íaã câỉ khuếch đại đối với tín hiệu cách chung (cộng sai)

d)

Triệt nhiễu đồng pha tốt.

95.

Mạch khuếch đại ghép cascode thường được sử dụng

a)

Mạch khuếch đại tần số thấp

b)

Mạch khuếch đại tần số cao

c)

Mạch khuếch đại tín hiệu

d)

Làm mạch khuếch đại đệm

96.

Mạch khuếch đại ghép cascode không có đặc điểm sau

a)

Có một ngõ vào

b)

Có hai ngõ vào

c)

Gồm mạch khuếch đại mắc CE ghép với CB.

d)

Hệ số khuếch đại bằng một tầng khuếch đại.

97.

Mạch khuếch đại ghép Darlington không có đặc điểm

a)

Gồm hai transistor ghép trực tiếp

b)

Có hệ số khuếch đại dòng điện của transistor tương đương bằng tích hệ số khuếch đại dòng điện của hai transistor thành phần.

c)

Có hệ số khuếch đại dòng điện của transistor tương đương bằng tổng hệ số khuếch

98.

Có bao nhiêu cách ghép Darlington?

a)

Một

b)

Hai

c)

Ba

d)

Bốn

99.

Mạch hình bên là mạch khuếch đại ghép

a)

Darlington

b)

Vi sai

c)

Cascode

d)

A,b,c đều sai

100.

Tại sao trong mạch khuếch đại vi sai người ta thường dùng nguồn dòng thay cho điện trở R_E?

a)

Ổn định dòng điện tại cực E

b)

Tăng hệ số khuếch đại dòng điện

c)

Tăng hệ số khuếch đại đối với tín hiệu vi sai

d)

Tăng tỉ số nén tín hiệu cách chung

101.

Tỉ số nén tín hiệu cách chung được tính bằng công thức:

a)

VC/VD A A CMRR

b)

VC/VD dB A A CMRRlg20

c)

VD/VC A A CMRR

d)

a và b đều đúng

102.

Cấu trúc SCR gồm

a)

Bốn lớp bán dẫn khác loại xếp xen kẽ

b)

3 chuyển tiếp p-n

c)

3 điện cực

d)

Cả a, b và c

103.

SCR là linh kiện

a)

Chỉnh lưu

b)

Chỉnh lưu có điều khiển

c)

Khuếch đại

d)

Nghịch lưu

104.

Để mở SCR

a)

Phân cực thuận A và K, kích xung dương tại G

b)

Phân cực thuận A và K, kích xung âm tại G

c)

Phân cực nghịch A và K, kích xung dương tại G

d)

Phân cực nghịch A và K, kích xung âm tại G

105.

Để tắt SCR không thể dùng phương pháp nào dưới đây

a)

Ngắt nguồn

b)

Phân cực ngược AK

c)

Giảm dòng qua SCR nhỏ hơn I_H

d)

Kích xung âm vào G

106.

Để tắt SCR không thể dùng phương pháp nào dưới đây

a)

Ngắt nguồn

b)

Phân cực ngược AK

c)

Giảm dòng qua SCR nhỏ hơn I

d)

Kích xung âm vào G

107.

Kí hiệu bên là kí hiệu của

a)

SCS

b)

GTO

c)

SCR

d)

LASCR

108.

Diac là linh kiện có đặc điểm

a)

Có hai điện cực

b)

Có 4 lớp bán dẫn khác loại xếp xen kẽ

c)

Dẫn điện theo hai chiều khi điện áp trên nó đạt tới V hay -V

d)

Chỉ dẫn điện theo một chiều phân cực thuận

109.

Triac là linh kiện có đặc điểm

a)

Có hai điện cực A và K

b)

Có ba điện cực A, K và G

c)

Có ba điện cực A1, A2 và G

d)

Có 4 điện cực A1, A2 và G

110.

Để mở triac

a)

0 21 > AA V và kích xung dương tại G

b)

0 21 > AA V và kích xung âm tại G

c)

0 12 < AA V và kích xung dương tại G

d)

0 12 = AA V và kích xung dương tại G

111.

Diode Shockley là diode

a)

Tương tự SCR nhưng không có cực cổng G

b)

Tương tự Diac

c)

Tương tự triac nhưng không có cực cổng G

d)

Tương tự triac

112.

Có thể mô tả SCS bằng các phương pháp nào?

a)

kích xung âm tại GK hay xung dương tại GA

b)

kích xung dương tại GK hay xung âm tại GA

c)

kích xung dương tại GK hay xung dương tại GA

d)

kích xung âm tại GK hay xung âm tại GA

113.

Để tắt SCS phương pháp nào không được sử dụng

a)

Kích xung dương tại GA

b)

Kích xung âm tại GA

c)

Kích xung âm tại GK

d)

Cho VA = VK

114.

GTO

a)

Tương tự SCR nhưng có thể tắt bằng cực cổng

b)

Tương tự SCR nhưng có thể mở bằng cực cổng

c)

Tương tự SCR nhưng có hai cực cổng.

d)

Tương tự SCR.

Similar Resources on Wayground

Nhiệt luyện thép – Chương 4 (trích đề luyện tập)

112 questions

Nhiệt luyện thép – Chương 4 (trích đề luyện tập)

quiz

Worksheet

•

University

vẽ 3d

116 questions

vẽ 3d

quiz

Worksheet

•

University

Untitled Quiz

114 questions

Untitled Quiz

quiz

Worksheet

•

University